高能闪光照相中影响光程确定的几个因素

 利用闪光照相基本原理和成像原理，在直接记录法和转换屏记录法的情况下，研究了闪光照相中影响X射线在材料中光程确定的主要因素。结果表明，影响光程确定的几个因素是：散射效应、光源角分布效应、立体角效应和能谱效应。对于高能闪光照相，散射效应是影响光程确定的最主要因素，散射的存在使光程的测量值比实际值降低20%～40%。因此必须在做CT之前，对散射的影响进行修正。     

全自动高温水解-离子色谱法测定氧化镧铈中氟、氯

为探究稀土氧化物中氟(F)和氯(Cl)元素含量的快速检测方法,通过全自动高温水解仪对氧化镧铈样品进行前处理,并利用氢氧根体系离子色谱仪检测吸收液中F-、Cl-离子的含量,建立了基于全自动高温水解-离子色谱法测定氧化镧铈中的F、Cl元素含量的快速检测方法,该方法有效避免了传统前处理方法过程复杂、分析时间慢、极易受人为干扰的问题。称取0.3g氧化镧铈样品,在氧气流量为300 mL/min,1100 ℃高温下水解燃烧20 min,吸收定容为体积20mL的吸收液,以NAOH(15mmol/L)作为淋洗液,经色谱柱分离,测得F-与Cl-在质量浓度为1.00 mg/L-15.00 mg/L范围内,质量浓度与离子色谱峰面积呈线性关系,相关系数均为0.9999。检出限分别为0.003mg/L和0.12mg/L。全自动高温水解仪联用离子色谱仪检测系统对氧化镧铈中F-的平均加标回收率测定结果为98.4%,标准偏差RSD为0.94%;对Cl-的加标回收率测定结果为97.8%,RSD为2.86%。说明该方法较高准确度及精密度,测试结果准确可靠满足企业和检测机构的测试需求,为稀土氧化中氟、氯元素含量的研究及相关产品的开发提供了理论基础。     

磷酸氯喹的流动注射逆胶束介导化学发光法测定

在酸性条件下,磷酸氯喹分子中氮原子被质子化后与阴离子AuCl4-形成离子缔合物,该缔合物被二氯甲烷带入鲁米诺的氯化十六烷基三甲基铵逆胶束中,离解出来的AuCl4-立即与鲁米诺产生化学发光.在一定的浓度范围内,发光强度与磷酸氯喹的含量呈线性关系,从而间接测定磷酸氯喹的含量.在优化的实验条件下,线性范围为0.001～15 mg/L,检出限(3σ)为0.02 μg/L,对1.0 mg/L的磷酸氯喹进行11次平行测定,RSD为1.6%.该法已成功用于片剂的分析.     

低温等离子体数值模拟方法的分析比较

分析比较了低温等离子体模拟中采用的流体模型、粒子模型和混合模拟方法及在放电特性分析中采用的电路模拟方法。给出了每种方法的基本原理,探讨了它们的适应性。利用粒子模型对外磁镜场作用下四阳极装置辉光放电所产生等离子体进行了模拟,分析了磁场对电子密度径向分布的影响。     

天然紫杉烷类化合物的核磁共振氢谱特征

在系统分析天然紫杉烷类化合物核磁共振氢谱的基础上，对具有不同骨架类型的天然紫杉烷类二萜化合物的核磁共振氢谱的特征进行了总结, 提供了部分不同类型的紫杉烷类化合物的核磁共振氢谱图. 这些¹H NMR特征对于紫杉烷类化合物的结构确定非常有益.     

代际流动性的地区差异及影响因素—来自中国的微观证据

代际流动性是测度社会不平等的重要指标,区域发展不平衡则是中国的客观现实。运用人口普查数据和中国城市年鉴,可发现中国现阶段代际流动性的三个特征：（1）全国层面的代际收入弹性为0.673。（2）代际流动性呈现出显著的地区及城市差异,沿海、北方的代际流动性明显高于内陆及南方。代际收入弹性最低的省会城市是天津（0.107）,最高的是江西南昌（0.686）;地级市分别是山东莱芜（0.124）和云南丽江（0.76）。（3）具有以下特征的地区具有更高的代际流动性：沿海及经济发达地区,高校更多、中小学教育投入更多的地区,非少数民族聚集地,革命老区。从微观机理上分析代际流动性的地区差异,可以为中国区域平衡发展政策提供理论依据。     

三光气与酚制备三氯甲氧基甲酸芳酯研究

研究了不同取代酚与三光气的反应,得到七种未见报道的新化合物,以IR、MS、1H NMR、13C NMR对产物进行了表征,并探索得到合适的反应催化剂、反应物浓度配比、反应时间,讨论了酚上不同取代基对反应的影响,收率在78.5～90.5%之间。     

Trapping and diffusion behaviors of helium at vacancy in iron from first principles

We investigate the structure,trapping,and diffusion behaviors of helium(He) at vacancy in a Fe single crystal using first-principles simulations.Vacancy with more space can provide the lower electron density region for He binding in comparison with intrinsic Fe,causing He to diffuse into the vacancy inner easily.We provide the quantitative microscopic studies related to the atomic-level thermo-kinetic trapping processes.Moreover,such physical viewpoint can be applied to other vacancy-like defects such as vacancy clusters,void and grain boundaries which can open a space with reduced electron density region to increase He binding in metals and metal alloys.     

Bi1.8Pb0.4Sr2Ca2.2Cu3Oy的磁通运动与临界电流特征

制备了银包套的Bi_1.8Pb_0.4Sr₂Ca_2.2Cu₃O_y带材。微结构观察证明样品是高度织构化的Bi2223单相。输运测量发现J_c(T,B,θ,φ)和R(T,B,θ,φ)均与θ有关,与φ无关(T=77K,B<1T),式中的θ和φ分别表示磁场与ab面和电流的夹角。求得了磁通运动的激活能。提出了热激活磁通弯结的形成与运动模型,并用London理论计算了弯结 关键词：     

FORMATION OF A BURIED LAYER OF ALUMINIUM NITRIDE BY HIGH DOSE N2+ IMPLANTATION INTO ALUMINIUM

Aluminium films with various thickness between 700 nm and 1μm were deposited on Si (100) substrates, and 400 keV N₂⁺ ions with doses ranging from 4.3×10¹⁷ to 1.8×10¹⁸ N/cm² were implanted into the alu-minium films on silicon, Rutherford Backscattering (RBS) and channeling, secondary ion mass spectroscopy (SIMS), Fourier transform infrared spectra (FTIR), X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM) and spreading resistance probes (SRP) were used to characterize the synthesized aluminium nitride. The experiments showed that when the implantation dose was higher than a critical dose N_c, a buried stoichiometric AlN layer with high resistance was formed, while no apparent AlN XRD peaks in the as-implanted samples were observed; however, there was a strong AlN(100) diffraction peak appearing after annealing at 500 ℃ for 1h. The computer program, Implantation of Reactive Ions into Silicon (IRIS), has been modified and used to simulate the formation of the buried AlN layer as N₂⁺ is implanted into aluminium. We find a good agreement between experimental measurements and IRIS simulation.