A Novel Ni/Ag/Pt Ohmic Contact to P-Type GaN for Flip-Chip Light-Emitting Diodes

We present a high-quality Ni/Ag/Pt Ohmic contact to p-type GaN. After the sample is annealed at 500℃ in 02 ambient for 3min, a specific contact resistance as low as 2.6 × 10^-5 Ωcm^2 and an optical reflectivity of 82% at 460 nm are obtained. The Auger electron spectroscopy analysis shows that the Pt layer can improve the surface morphology and thermal reliability of the annealed Ag-based electrode, Ag plays a key role in achieving good ohmic contact due to the outdiffusion of Ga into Ag forming Ga vacancies which increase the hole concentration, while the surface contamination of p-type GaN is reduced by Ni.     

ON THE NATURE OF THE MEDIUM LIFETIME COMPONENT OF POSITRON ANNIHILATION IN TEFLON POLYMER

The nature of the medium lifetime component of positron annihilation in Teflon (PTFE) polymer has been investigated by using a recently developed time-selecting γ ray energy spectro-meter with and without magnetic field.It has been assigned to o-Ps quenching annihilation too,just like the case of the longest lifetime component.     

氟涂层对聚合物-钴卟啉膜氧气输送性能及其寿命的影响

采用在聚合物-钴卟啉(CoP)膜表面旋转涂覆氟涂料法,制备了氧/氮分离膜.研究表明,与未涂层膜相比,氟涂层膜中的CoP与氧表观结合平衡常数、膜的氧渗透系数和氧/氮选择性没有发生明显变化.随氟涂层厚度增加,氧渗透系数稍有降低,但水蒸汽渗透系数显著降低.由于氟涂层的憎水性,使涂层膜的水蒸汽渗透系数显著降低,氧载体CoP与氧结合寿命延长了4倍.     

钴卟啉的不可逆氧化及含氟聚合物对钴卟啉复合膜氧络合寿命的影响

研究了甲基丙烯酸八氟戊酯 乙烯基咪唑共聚物 (PFIm)与 5 ,1 0 ,1 5 ,2 0 四 (邻 三甲基乙酰胺苯基 )钴卟啉 (TPPCo)复合膜的氧络合百分率随环境湿度和时间的变化 ,讨论了钴卟啉不可逆氧化的机理、动力学 ,及钴卟啉与氧络合的寿命 .空气中的水分子进攻与氧络合的钴卟啉 ,生成过氧化氢自由基和三价钴卟啉 ,是钴卟啉失去与氧络合能力的主要原因 .发现PFIm的憎水性可抑制由水分子引起的钴卟啉的不可逆氧化反应 ,可显著延长钴卟啉与氧络合的寿命 ,从而使含氟的PFIm TPPCo膜与氧络合的寿命要比甲基丙烯酸辛酯 乙烯基咪唑共聚物 (POIm)与钴卟啉复合膜的寿命长     

氧在甲基丙烯酸辛酯-乙烯基咪唑共聚物/钴卟啉复合膜中的溶解和扩散过程

讨论了氧在甲基丙烯酸辛酯 乙烯基咪唑共聚物 钴卟啉复合膜中的溶解和扩散过程,用二元输送模型分析了间α,α,α,α-四(邻三甲基乙酰胺苯基)钴卟啉(CoP)作为氧载体的复合膜氧输送性能.研究发现,固定在聚合物中的CoP与氧可逆地络合和解络合,其络合平衡常数K为14mol- 1 L ,根据吸附实验结果计算出氧在基体聚合物中的物理溶解度系数kD 为4 4×10 - 5cm3(STP)cm- 3Pa- 1 .聚合物 载体复合膜除了物理渗透外,氧还可通过与载体的络合和解络合而扩散,从而促进氧的输送.氧通过载体的扩散系数(DC)和通过基体聚合物的物理扩散系数(DD)的比值为0 0 8.     

燃烧反应机理构建的极小反应网络方法： C1燃料燃烧

使用极小反应网络方法, 在指定中间物种条件下, 构建反应步数最小的详细燃烧反应机理. 确定了关 于C1燃烧机理的17个物种和14个独立反应, 其中包含氢气燃烧的8个物种6个反应, 对缺乏动力学参数的独立反应进行组合替代, 反应速率常数采用Arrhenius双参数形式. 采用构建的25步反应C1多燃料燃烧机理(MRN-C1)进行了点火延迟时间和层流火焰速度的模拟. 考虑到工程应用对机理组分数的限制, 以CH₄和CH₃OH单组分燃料为例, 考察了去除“滞留”物种后单组分机理与总机理的模拟结果差别.