赝形InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究

采用回旋共振光谱方法，同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In_0.80Ga_0.20As/In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应，以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性. 关键词：     

适用于神经元状态非等概率分布的神经网络模型及其光学实现

针对Hopfield模型在存储模式的神经元状态不具备理想的等概率分布时性能下降，以及光学难以实现多灰度阶互连的弱点，提出了一种非对称截值点的截值模型，在易于光学或光电子技术实现的同时，与其他模型相比，存储容量和容噪声能力都有较大提高.同时，提出了光束方向编码方法，并用该方法实现了上述模型，给出了实验结果. 关键词：     

Quantum Phase Transitions in Anisotropic Spin Ladders with Antiferromagnetic Rungs

We apply perturbation theory to study quantum phase transitions in anisotropic two-leg spin ladders with antiferromagnetic rungs in the strong interchain coupling limit. The energy gap is expanded up to the fourth order in the ratio of the intrachain to interchain couplings. The transition point is determined by examing the disappearance of the energy gap. Present results for the anisotropic ferromagnetic-leg spin ladder are consistent qualitatively with the nonlinear σ-model analysis and in good agreement with the numerical results by the diagonalization method.     

The Effective Gluon Propagator in the Global Color Symmetry Model

It is shown that the effective gluon propagator in the global color symmetry model can be calculated in the instanton dilute liquid approximation. The calculated effective gluon propagator is consistent with the general command on the qualitative features of the gluon propagator, i.e., (i) the gluon propagator is significantly enhanced at small space-like k², and (ii) for k² > 1.5 GeV² the perturbative results are quantitatively reliable.     

温度对Si衬底上低压MOCVD外延生长ZnS薄膜质量的影响

用低压MOCVD系统在(111)Si衬底上,用两步生长方法(改变/流量比)在300～400℃时外延生长了ZnS单晶薄膜。随着衬底温度的降低,ZnS薄膜结晶质量提高,并在300℃生长时获得结晶完整性较好的(111)ZnS单晶薄膜。文中讨论了衬底温度对薄膜质量的影响。     

不同电极对蓝光有机电致发光器件性能的影响

利用高真空多源型有机分子沉积系统分别制备了不同负电极为Al、LiF/Al和Mg:Ag的有机小分子多层电致发光器件,比较了不同负极对以五苯基环戊二烯（PPCP）为发光层的蓝光有机电致发光器件性能的影响,发现以LiF/Al作负极的器件在综合性能上优于其它器件。其中器件ITO／TPD／PPDP／Alq/LiF/Al蓝光发射的最大发光亮度达2375cd/m^2,最大发光效率为0.26lm/W.     

二维跨声速有旋流动反命题的赝势函数变分原理

本文以文献［３］所得正命题变分原理为基础,通过对边界项进行变域变分的详细分析,构造出了未知壁面的自然边界条件,推导出了求解反命题的变域变分原理,这些工作为采用有限元求解气动反命题奠定了完密的数学基础。     

两位置交换问题魔角旋转核磁共振时域信号的准确解

已知两位置交换分子运动速率对于静态¹³CNMR谱的影响是由一简单代数关系决定,它已成为分析固体中分子运动的常规方法.慢速的魔角旋转可以保留边带,所产生的边带型原则上也可用来分析分子运动,只是缺乏象静态谱那样的简单的关系,以至于在实际应用上是不可行的.本文给出作者所发现的存在分子运动时魔角旋转核磁共振自由诱导衰减信号的解析表达式的理论推导,提供分析固体分子运动的理论谱计算公式.我们选择二甲矾(dimethylsulfone)作为模型化合物,记录其不同温度下¹³CNMR谱,又计算了两个甲基做两位置交换运动的理论谱.理论谱与实验谱定性一致.定量上,边带强度存在一些差别,但边带宽度符合很好.通过理论谱与实验谱的比较,得到交换速率与温度的对应关系.虽然本文限于化学位移各向异性相互作用两位置交换问题,但容易推广到偶极作用多位置交换问题.     

GaAs/SrTiO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究

报道了在钙钛矿型结构的SrTiO₃衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的GaAs半导体单晶薄膜.应用光调制反射光谱和光荧光方法 ,研究了GaAs半导体薄膜的带间跃迁,并与通常的GaAs体材料特性进行了对比研究.结果表明,在钙钛矿型结构SrTiO₃衬底上生长的GaAs单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性,在带间跃迁的弛豫上,外延薄膜相对体材料大了约5倍. 关键词：     

钙钛矿La0.75Ca0.25-xSrxMnO3的磁卡效应与复合材料

采用固相反应烧结法制成了钙钛矿La_0.75Ca_0.25-xSr_xMnO₃多晶样品.研究了样品的微观结构、样品的磁熵变和居里温度与成分的变化关系.并通过复合得到一种可适用于Ericsson循环的制冷材料. 关键词：