钐(Ⅱ)类卡宾CH_3SmCH_2X(X=Cl、Br和Ⅰ)促进乙烯环丙烷化反应途径的理论研究(英文)

用密度泛函B3LYP方法研究了过渡金属钐类卡宾与乙烯的环丙烷化反应的机理。对三种不同的钐的SS试剂CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)分别和CH_2CH_2反应的各反应物、中间体、过渡态和产物构型的全部结构几何参数进行了优化,用内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证。结果表明：CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)与CH_2CH_2环丙烷化反应按亚甲基转移通道(通道A)和卡宾金属化通道(通道B)都可以进行,与锂类卡宾的反应机理相同,只是按亚甲基转移通道(通道A)进行反应较容易一些,而且此反应在较低的温度下就可以发生。     

射频磁控溅射法制备薄膜电池电极的计算机模拟初步

计算机模拟仿真射频磁控溅射实验制备薄膜及离于电池电极,研究了在特定实验条件下薄膜的生长过程,并分析了影响薄膜生长的部分因素。     

Influence of fluoride on f-f transitions of Eu in LiEuM2O8 (M=Mo, W)

The influence of fluoride on the luminescence of LiEuM₂O₈ (M=Mo, W) was studied. LiEuMo₂O₈ and LiEuW₂O₈ formed the whole range of solid solutions, which emitted intense red luminescence under the excitations by 395, 465 and 535 nm wavelengths. When doped with fluoride, the materials also formed solid solutions and the luminescent intensity was remarkably enhanced. The phosphor with optimized compositions in this system would be a promising red component for solid-state lighting devices based on GaN light-emitting diodes.     

用时间-边界跟踪模型确定抗蚀剂显影后的轮廓分布

文章提出了时间一边界跟踪模型的定义,阐述了用该模型确定抗蚀剂显影后的轮廓分布的方法,并给出了模拟计算结果.     

矩孔金属光栅矢量模式理论的数值计算

根据矩孔金属光栅的矢量模式理论，计算了不同入射方向，波长及偏振态情况下衍射场的分布，研究了不同光栅结构对衍射效率，偏振态变化的影响；同时，根据实际需要，加工制作了一批不同深度的矩孔光栅样品，进行了实验测量，并将计算值与实验值进行了比较，两者基本相符。     

北京自由电子激光最近进展──实现饱和振荡

北京自由电子激光(BFEL)装置于1993年底在10.68μm处实现了饱和振荡.输出激光能量为3mJ,饱和平顶宽度2μs.对应饱和振荡平均功率为210kW(宏脉冲),峰值功率约为20MW,比自发辐射高8个量级,单程小讯号净增益为24%,转换效率为0.45%,与理论预期结果相符.光束质量接近衍射极限.目前装置可工作于9-11μm.     

一维应变压缩下TC4钛合金绝热剪切研究

 利用内径为57 mm的压缩气炮，在撞击速度为0.2~1.2 km/s（相应的靶中压力为3~15 GPa）范围内进行对称碰撞实验，以研究TC4（Ti-Al6-V4）钛合金在一维应变冲击压缩条件下的绝热剪切现象。对回收得到的受冲击样品，在扫描电镜（SEM）下进行细观金相分析。结果指出，一维应变冲击压缩条件下，TC4钛合金中绝热剪切带产生的对称碰撞速度阈值为500 m/s（相当于样品中的压力为5.87 GPa）；主剪切带与冲击方向约为45°角，带上有圆形和椭圆形两种孔洞且随碰撞速度的增大而增多和长大，这是典型的韧性损伤特征。随碰撞速度增大，产生与主剪切带成15°角的支剪切带。这些与理论预言相符。X射线能谱分析结果指出，剪切带内材料发生了(α+β)→β相的转变，是典型的相变带。剪切带的温度估算与实验提供的信息吻合。     

Yb原子高激发态的斯塔克光谱

采用ππ偏振激光，通过两步激发和光电离方法，在０－１５４Ｖ／ｃｍ电场范围内，测定了Ｙｂ原子ｎ－１８附近ｍ＝０的斯塔克光谱，首次把包含斯塔克效应的能量矩阵对角化方法推广到Ｙｂ原子，所获得的理论斯塔克图与实验结果基本符合，观察到低场中斯塔克簇随电场增加呈现线性结构以及＾１Ｐ１态与斯塔克簇在抗交叉过程中振子强度发生转移的现象，讨论了结构与量子亏损的关系。