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111.
利用有效液滴模型计算了偶偶超重核的α衰变半衰期,计算过程中采用了保持碎片体积守恒的不对称形状描述以及有效惯性系数计算Gamow势垒穿透因子.首先在质子数Z为88—98的区域检验了有效液滴模型,发现计算结果与实验符合得比较好.随后将此模型推广到Z≥100的情况,虽然只用了两个模型参数,计算结果与实验数据符合,说明有效液滴模型是计算偶偶超重核素α衰变半衰期的一个成功模型. 相似文献
112.
本文考虑生存函数为${\ol{F}(x_{1},x_{2})}=\exp\{-[(x_{1}^{1/\alpha}/\theta_{1})^{1/\delta}+(x_{2}^{1/\alpha}/\theta_{2})^{1/\delta}]^{\delta}\},\;x_{i}>0,\;\alpha>0$, $1\geq\delta>0,\;\theta_{i}>0\;(i=1,2)$的二元威布尔分布的两种可靠性问题, 提出可靠度$\pr$的估计并讨论了它们的渐近性, 最后还作了模拟计算. 相似文献
113.
魏利 《数学的实践与认识》2006,36(4):232-239
利用不动点定理,分别证明了在自反Banach空间中极大单调算子值域扰动的抽象结论和在H ilbert空间中m增生映射值域的扰动结果,这些结论是对以往一些工作的推广;然后,利用文中的新结论讨论了一类微分方程解的存在性. 相似文献
114.
115.
We report the properties of a compact diode-pumped continuous-wave Nd:GdV04 laser with a linear cavity and different Nd-doped laser crystals. In a 0.2at.% Nd-doped Nd:GdVO4 laser, 1.54 W output laser power is achieved at 912nm wavelength with a slope efficiency of 24.8% at an absorbed pump power of 9.4W. With 0.3at.% Nd-doping concentration, we can obtain the either single-wavelength emission at 1064nm or 912nm or the dual-wavelength emission at 1064nm and 912nm by controlling the incident pump power. From an incident pump power of 11.6 W, the 1064nm emission between ^4Fa/2 and ^4I11/2 is suppressed completely by the 912nm emission between ^4Fa/2 and ^4I9/2. We obtain 670 mW output of the 912nm single-wavelength laser emission with a slope efficiency of 5.5% by taking an incident pump power of 18.4 W. Using a Nd:GdV04 laser with 0.4at.% Nd-doping concentration, we obtain either the single-wavelength emission at 1064nm or the dual-wavelength emission at both 1064nm and 912nm by increasing the incident pump power. We observe a strong competition process in the dualavelength laser. 相似文献
116.
The photoionization of H atoms irradiated by few-cycle laser pulses is studied numerically. The variations of the total ionization, the partial ionizations in opposite directions, and the corresponding asymmetry with the carrier-envelope phase in several pulse durations are obtained. We find that besides a stronger modulation on the partial ionizations, the change of pulse duration leads to a shift along carrier-envelope (CE) phase in the calculated signals. The phase shift arises from the nonlinear property of ionization and relates closely to the Coulomb attraction of the parent ion to the ionized electron. Our calculations show good agreement with the experimental observation under similar conditions. 相似文献
117.
The nonradiative recombination effect on carrier dynamics in GalnNAs/GaAs quantum wells is studied by timeresolved photoluminescence (TRPL) and polarization-dependent TRPL at various excitation intensities. It is found that both recombination dynamics and spin relaxation dynamics strongly depend on the excitation intensity. Under moderate excitation intensities the PL decay curves exhibit unusual non-exponential behaviour. This result is well simulated by a rate equation involving both the radiative and non-radiative recombinations via the introduction of a new parameter of the effective concentration of nonradiative recombination centres in the rate equation. In the spin dynamics study, the spin relaxation also shows strong excitation power dependence. Under the high excitation power an increase of spin polarization degree with time is observed. This new finding provides a useful hint that the spin process can be controlled by excitation power in GaInNAs systems. 相似文献
118.
利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO2介质中的InSb纳米颗粒的界面效应, 结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是: 1. SiO2介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布; 2. 通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的空穴数. 这两方面共同决定了InSb纳米颗粒的Sb K-XANES实验谱在白线峰
强度的增大. 此外, 由于纳米颗粒的界面效应, 仅仅把白线峰的强度增大归因于吸收原子电荷转移带来的空穴数增加, 并依此通过白线峰的强度计算吸收原子的空穴数是不合理的. 相似文献
119.
q变形对相干态的相位概率分布特性 总被引:2,自引:0,他引:2
通过推广Pegg和Barnett的相位算符和相位态到q变形的双模情况, 应用数值计算
研究了q变形对相干态的相位概率分布特性. 结果表明, q变形对相干态的相位概率分布受到相位参数、q参数和参数│ξ│的调节, 从而反映出不同的量子相干特性. 相似文献
120.
通过对托卡马克中模拟积分器积分误差的分析,设计了一种由数字信号处理部件动态抑制这些误差的斩波式积分器,并在实验中获得了长时间、低漂移的积分效果。 相似文献