首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   103018篇
  免费   17610篇
  国内免费   10054篇
化学   70146篇
晶体学   1218篇
力学   6822篇
综合类   534篇
数学   11910篇
物理学   40052篇
  2024年   235篇
  2023年   2067篇
  2022年   2646篇
  2021年   3584篇
  2020年   4196篇
  2019年   4055篇
  2018年   3430篇
  2017年   3161篇
  2016年   5017篇
  2015年   4718篇
  2014年   5783篇
  2013年   7547篇
  2012年   9246篇
  2011年   9759篇
  2010年   6448篇
  2009年   6166篇
  2008年   6540篇
  2007年   6003篇
  2006年   5483篇
  2005年   4594篇
  2004年   3404篇
  2003年   2668篇
  2002年   2417篇
  2001年   1981篇
  2000年   1762篇
  1999年   2074篇
  1998年   1850篇
  1997年   1722篇
  1996年   1891篇
  1995年   1505篇
  1994年   1460篇
  1993年   1168篇
  1992年   1071篇
  1991年   984篇
  1990年   792篇
  1989年   563篇
  1988年   464篇
  1987年   382篇
  1986年   375篇
  1985年   318篇
  1984年   242篇
  1983年   154篇
  1982年   142篇
  1981年   106篇
  1980年   76篇
  1979年   43篇
  1978年   34篇
  1976年   36篇
  1975年   33篇
  1974年   45篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 140 毫秒
161.
In this paper we give a realization of some symmetric space G/K as a closed submanifold P of G. We also give several equivalent representations of the submanifold P. Some properties of the set gKP are also discussed, where gK is a coset space in G.  相似文献   
162.
成功地在六路高功率Nd玻璃激光装置上建立了2660紫外激光探针和适合紫外波段的Normaski干涉仪,首次将可见波长的连续激光应用于紫外干涉仪中靶成像调整和光路准直。利用该紫外光干涉仪,在铜柱状靶(φ500μm)上测量了厚等离子体中高达0.6n。的电子密度。  相似文献   
163.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.  相似文献   
164.
王玲桃  马西奎  邹建龙  杨梅 《物理学报》2006,55(11):5657-5666
对于一个由线性无损传输线加非线性边界条件组成的简单无穷维电磁系统,应用行波理论确定了电压反射波的局部映射关系.数值仿真结果表明,当系统参数发生变化时,传输线沿线电压存在着非常丰富的时空非线性现象.通过描绘出空间振幅变化图和时空行为发展图,定性分析了传输线沿线电压的时空混沌图案动态,为研究和理解时空混沌提供了一种良好的可求解模型. 关键词: 图案 时空混沌 无穷维系统 时延范德波尔电磁系统  相似文献   
165.
郭永新  赵喆  刘世兴  王勇  朱娜  韩晓静 《物理学报》2006,55(8):3838-3844
就一般非完整约束系统,从约束方程满足的变分恒等式出发,利用增广位形流形上的向量场定义三类非自由变分,即非完整变分:vakonomic变分、Hlder变分、Suslov变分,并讨论它们之间的关系以及它们成为自由变分的充要条件.利用非完整变分以及相应的积分变分原理建立两类动力学方程:vakonomic方程和Routh方程或Chaplygin方程.通过vakonomic方程分别与Routh方程和Chaplygin方程比较,得到它们具有共同解的两类充分必要条件.这些条件并不是约束的可积性条件. 关键词: 非完整约束 非完整变分 Chetaev条件 vakonomic动力学  相似文献   
166.
直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜   总被引:6,自引:1,他引:5       下载免费PDF全文
用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K. 关键词: 高温超导体 超导薄膜 磁控溅射 二硼化镁  相似文献   
167.
FTIR光谱遥测红外药剂的燃烧温度   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文利用遥感FTIR光谱,对红外药剂的燃烧特性进行了研究。在分辨率为4cm^-1时,收集4700-740cm^-1波段的光谱。从HF等燃烧产物发射的分子振转基带精细结构的谱线强度分布,可以对燃烧温度进行遥感测定,并给出了燃烧温度随时间的变化关系,实验结果表明燃烧表面附近温度梯度很大,存在着急剧的变化温度场,同时也说明,在不干扰火焰温度场的情况下,利用遥感FTIR光谱对剧烈的、非稳态快速燃烧的火焰温度进行连续实时的遥感测量,是一种快速、准确、灵敏度高的测温方法,显示了它在燃烧温度测量、产物浓度测试以及燃烧机理研究等方面的应用前景。  相似文献   
168.
We report results of the atomic and electronic structures of Al7C cluster using ab initio molecular dynamics with ultrasoft pseudopotentials and generalized gradient approximation. The lowest energy structure is found to be the one in which carbon atom occupies an interstitial position in Al7 cluster. The electronic structure shows that the recent observation [Chem. Phys. Lett. 316, 31 (2000)] of magic behavior of Al7C- cluster is due to a large highest occupied and lowest unoccupied molecular orbital (HOMO-LUMO) gap which makes Al7C- chemically inert. These results have further led us to the finding of a new neutral magic cluster Al7N which has the same number of valence electrons as in Al7C- and a large HOMO-LUMO gap of 1.99 eV. Further, calculations have been carried out on (Al7N)2 to study interaction between magic clusters. Received 28 July 2001  相似文献   
169.
杨昌平  周智辉  王浩  K. Iwas  M. Kohgi 《物理学报》2006,55(12):6643-6646
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K. 关键词: 非弹性中子散射 填充式方钴矿 近藤绝缘体  相似文献   
170.
报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号