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Dongxiang Luo Min Li Miao Xu Jiawei Pang Yanli Zhang Lang Wang Hong Tao Lei Wang Jianhua Zou Junbiao Peng 《固体物理学:研究快报》2014,8(2):176-181
The stabilities of amorphous indium‐zinc‐oxide (IZO) thin film transistors (TFTs) with back‐channel‐etch (BCE) structure are investigated. A molybdenum (Mo) source/drain electrode was deposited on an IZO layer and patterned by hydrogen peroxide (H2O2)‐based etchants. Then, after etching the Mo layer, SF6 plasma with direct plasma mode was employed and optimized to improve the bias stress stability. Scanning electron microscopy and X‐ray photoelectron spectroscopic analysis revealed that the etching residues were removed efficiently by the plasma treatment. The modified BCE‐ TFTs showed only threshold voltage shifts of 0.25 V and –0.20 V under positive/negative bias thermal stress (P/NBTS, VGS = ±30 V, VDS = 0 V and T = 60 °C) after 12 hours, respectively. (© 2014 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) 相似文献
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考虑到数字控制单相全桥逆变电路PWM调制方法和滤波器、负载结构的多样性, 以及利用状态转移矩阵对系统运动行为分析方法的局限性. 通过解析表达状态转移矩阵中的元素, 本文提出了一种可以解析描述具有N个状态变量、一个开关周期内M次拓扑 变化的数字控制单相全桥逆变电路(简称N-M数字控制单相全桥逆变电路)系统参数 与运动行为关系的分析方法. 以3-3数字控制单相全桥电压逆变电路为例对上述分析方法进行了验证, 推导出了该三阶电路发生Hopf分岔的解析判别式、稳定范围及Hopf分岔振荡频率的解析表达式, 并通过Simulink仿真及电路实验证明了理论分析的正确性. 相似文献
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Space-graded silicon solar cells are evaluated by 1 MeV and 2 MeV electron-irradiation. The mean degradation of the maximum power (Pmax) is presented and analyzed. The degradation at both electron energies has been correlated with the displacement damage dose (Dd). A good linearity between the electron Dd and the mean Pmax degradation is obtained. The concept of Dd has also been used to predict the Si solar cell response in a low-earth-orbit (Altitude 799 km, Inclination 99o) radiation environment, considering the shielded effect of a 120 μ m-thick silica coverglass on reducing the radiation. Compared with the on-orbit data from a Si solar array of a Chinese satellite (duration from April 2007 to July 2010), a good match can be found between the on-orbit data and the predicted results using Dd methodology, indicating the method is appropriate for evaluating the radiation damage of the solar cells, and also to provide a new technique for studying radiation effects on the optoelectronic detectors used in many high energy physics applications, where harsh radiation environments produce damage in optoelectronic device materials. 相似文献
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J.Y. MeiH. Wang G.J. WangX.H. Sun T. LiC.M. Lei C.C. Wang 《Physica B: Condensed Matter》2012,407(7):1082-1085
A sample of Gd2CuO4 (GCO) has been prepared through the solid state reaction technique. Dielectric properties of this material have been measured in detail as functions of temperature (between 285 and 450 K) and frequency (20 Hz-10 MHz). A step-like increase below 330 K and a broad peak around 360 K were observed in the real part of the permittivity (ε′) which were found to be originated from the oxygen vacancy hopping motions that cause a dipolar relaxation, followed by a Maxwell-Wagner relaxation as the hopping carriers are blocked by the interfaces and surfaces of the sample. 相似文献
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对二极管泵浦NdYAG板条双通放大器进行了理论设计和数值计算.在注入能量1 mJ,小信号增益为0.23 cm-1时理论计算结果为双通放大器输出能量为229.8 mJ.实验在10 Hz时获得单脉冲输出能量216 mJ;400 Hz时获得单脉冲输出能量203.4 mJ,光束质量因子小于5,激光脉宽为16.9 ns.实验结果与理论计算基本吻合.用相位共轭镜取代0°全反镜,超高斯镜取代振荡级输出镜,并采用镜面均匀的光学器件可以改善光束质量及光斑均匀性. 相似文献
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Demonstration of the approximation of eliminating atomic excited populations in an atom-cavity system 下载免费PDF全文
Using the master equation approach to a V-type three-level atom inside a high-finesse single-mode cavity in the strong coupling condition,we demonstrate the approximation of eliminating populations of atomic excited states,which is widely used in the field of the atom-cavity systems [Hechenblaikner G,Gangl M,Horak P and Ritsch H 1998 Phys.Rev.A 58 3030];Liu L W,Tan T and Xu Y 2008 J.Mod.Opt.56 968;Cho J,Angelakis D G and Bose S 2008 Phys.Rev.A 78 062338.This is reflected in the deviation of the population δ,of which the value is 10~(-3)~10~(-2).We further find the deviation of the dipole force and demonstrate that the deviation of atomic population will not notably affect the dipole force of the atom in the strong coupling condition.A relevant experimental case is also presented. 相似文献
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利用幅值约220 kV、脉宽约4 ns的高压纳秒脉冲源,对高压氮气亚纳秒气体开关放电特性进行了实验研究。实验结果表明:当气压在3~10 MPa间变化,间隔距离在0.6~1.2 mm间变化时,氮气间隙击穿电压随气压和间隙距离的增大而增大,并随气压的增大略呈饱和趋势,最高击穿电场约为2 MV/cm。开关输出电压波形的上升时间变化范围为145~190 ps,该上升时间随气压、击穿电场以及间隙距离增大而减小。 相似文献
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湍流模型对风力机叶片气动性能预估的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
本文采用计算流体力学软件Fluent,选取单方程Spalart-Allmaras模型、两方程低雷诺数k-ε模型和SSTk-ω模型等不同湍流模型,对NREL Phase VI风洞测试风力机的无偏航工况进行CFD模拟.通过将数值计算结果与相应的实验数据进行比较,发现在叶片表面为附着流时三种湍流模型数值模拟的结果都与实验数据吻合得很好,而在失速情况下两方程湍流模型的表现要优于单方程模型,其中以SST k-ω模型对截面压力分布、转矩等的预测更加准确. 相似文献