原位合成分子筛多孔层毛细管柱的制备与性能考察

在毛细管内壁,原位合成了Ｎａ－Ａ型分子筛,成功制备出一类新型分子筛多孔尾毛细管柱。和涂渍相比,原位合成法在毛细管内壁形成的分子筛层更加均匀、致密度、更能体现出分子筛对低碳烃的分离特性,实验表明用超短毛细管柱即可对低碳烃进行良好的分离。     

LEGENDRE SERIES SOLUTIONS FOR TIME-VARIATION DYNAMICS

In this topic, a new approach to the analysis of time-variation dynamics is proposed by use of Legendre series expansion and Legendre integral operator matrix. The theoretical basis for effective solution of time-variation dynamics is therefore established, which is beneficial to further research of time-variation science. Supported by Shanghai Key Project Research Foundation.     

导波法测量吸收薄膜的复介电系数和厚度

具有吸收特性的波导薄膜,其衰减全反射（ＡＴＲ）峰的位置和形状包含了薄膜诸多特征多数的信息,在同时考虑棱镜的耦合和材料的吸收的基础上,本文用一阶微扰理论推导了微扰传播常数的解析公式,并且介绍了通过分析薄膜的衰减全反射峰来计算吸收薄膜的复介电系数和厚度的方法。     

C2轴不对称联芳香化合物的合成研究进展

概述了近年来Ｃ２轴不对称联芳香化合物的合成与不对称偶联的研究进展。     

超大规模集成电路硅片溶液清洗技术的进展

本文综述了超大规模集成电路制造过程中硅片溶液清洗技术的研究历史及现状, 并对技术的未来发展进行了展望。     

变边界粘弹性轴对称问题的复变函数法

对边界几何形状、位置随时间变化的变边界结构,给出了用复变函数求解粘弹问题的解析方法.文中用拉普拉斯变换结合平面弹性复变方法,对内外边界变化时粘弹性轴对称问题进行求解.引入两个与时间、空间相关的解析函数,给出了变边界情况下应力、位移以及边界条件与解析函数的关系.当解析函数形式部分确定,则可用边界条件求解其中与时间相关的待定函数.求解待定函数的方程一般情况下为一系列积分方程,特殊情况可求得解析解.对轴对称问题中应力边值问题、位移边值问题以及混合边值问题,分别利用边界条件求得相关系数,从而得到了应力与位移的解析表达.当取Boltzmann粘弹模型时,进行不同边值问题的分析.分析显示,应力、位移的形态与大小均与边界变化过程相关,与固定边界粘弹性问题有较大不同.本文解答可用于粘弹性轴对称问题内外边界任意变化及各种边值问题的力学分析.此外,该法可进一步进行荷载非对称、复杂孔型变边界问题的求解.     

振动系统结构参数估计的Taylor变换法

引入了求解非线性微分方程的Taylor变换法,将振动系统原分析模型变换为离散域内的代数方程组,建立了估计系统质量、阻尼和刚度矩阵的方程.该方法可以利用任意外载激励下的瞬态响应估计系统的结构参数,而不需要进行系统的模态试验,具有一定的工程应用价值.文中还研究了测试信号受噪声干扰时的参数估计方法,最后给出了300T转炉倾动机构的参数估计实例.     

加性信号调制下指数形式关联噪声驱动的单模激光的光强关联时间

采用线性化近似,计算了加性信号调制下的由具有指数关联的两白噪声驱动的单模激光增益模型的光强关联时间.发现两噪声间关联程度对光强关联时间随噪声强度的变化曲线有很大的影响,两噪声间关联程度取不同值时,光强关联时间随噪声强度的变化曲线中将出现极大值(即出现共振)或极小值(即出现抑制).     

HT-7U超导托卡马克装置极向场线圈的等效弹性常数及其残余刚度

HT-7U装置的超导极向场线圈由导管、超导材料和绝缘体组合而成,具有复杂的正交各向异性的性质.本文从微观力学的观点出发,将极向场线圈整体作为一种复合材料来考虑,采用微观力学的复合律和损伤力学的细观损伤模型,求出了极向场线圈的等效弹性常数和残余刚度;并且,残余刚度的计算结果已得到实验验证.这些材料特性已被用于有限元分析的输入数据.     

掺质YAG晶体中的缺陷

本文报道了用化学腐蚀法对掺质浓度不同和掺质种类不同的YAG晶体样品进行的腐蚀,详细地观察了样品表面的腐蚀坑形貌,尤其是位错腐蚀坑的形貌和分布,测量了原生态和相应的退火样品上位错腐蚀坑的平均密度.在观测中发现,有些掺钕晶体样品上,位错腐蚀坑在中心区与边缘区的密集程度不同,有明显的分界.对此现象进行了探讨,认为出现在样品边缘区内的密集位错,除了来自于籽晶中以及来自于晶体从籽晶开始生长的起始处外,也由于熔体中出现在晶体周界处的自然对流与强迫对流边界层内的液流不稳,引起了生长界面边缘局部不稳而产生,环境气流起了相当的作用.