叉指电光布拉格衍射光栅分析

叉指电光布拉格衍射光栅能够用于制作集成光学器件。将点匹配法扩展应用于又指电光布拉格衍射光栅分析,将光栅各区域的势函数表示为该区域中满足拉普拉斯方程的一系列基函数的级数,匹配边界上有限个点的边界条件以确定出级数项的系数,从而得到叉指电傲电场分布的解析表达式,在此基础上得到了叉指电光布拉格衍射光栅的一些重要的光学与电学特性参量。将分析结果与测量值进行了对比,发现二者十分吻合。所提出的分析方法简便快捷、精度高,所导出的电场分布的解析表达式和分析结果对叉指电光衍射光栅的优化设计具有重要的意义。     

Measurement of RLT and ATL in the 4He(e, e’p)3H reaction at pmiss of 130-300 MeV/ c

We have measured the ⁴He(e, ep)³H reaction at missing momenta of 130-300 MeV/c using the three-spectrometer facility at the Mainz microtron MAMI. Data were taken in perpendicular kinematics to allow us to determine the response function R_LT and the asymmetry term A_TL. The data are compared to both relativistic and non-relativistic calculations.     

ICP-AES法测定润滑油中磨损金属元素的含量

提出了用ICP AES直接测定润滑油中主要磨损金属元素的分析方法。对仪器的工作条件进行了优化 ,以多元素油基贮备液配制而成的ConostanS 2 1和Conostan 75油基标样制作校正曲线 ,油样品采用煤油稀释 5倍 ,测定了润滑油中主要磨损金属元素 ,各元素的相对标准偏差RSD %均小于 1%。阐述了LeemanLabs多道ProfileICP的分析效力以及具有多元素同时测定、快速和准确的特点     

细胞培养基的吸收光谱研究

使用日本岛津UV 310 1分光光度计分别测量培养了宫颈癌细胞 (Hela)和鼻咽癌细胞 (CNE)的RP MI 16 4 0培养基和DMEM高糖培养基的紫外吸收光谱 ,分析了培养基中蛋白质的紫外吸收特性。RPMI16 4 0培养基的 2 2 7nm吸收峰在培养细胞生长过程中位移至 2 2 2或 2 18nm ,2 78nm的吸收峰位移至 2 80nm ;而DMEM高糖培养基 2 2 4nm吸收峰在培养细胞生长过程中位移至 2 2 1nm附近 ,2 78nm吸收峰基本没有位移。这些位移说明培养基中芳香族氨基酸中各种氨基酸如色氨酸和酪氨酸的含量有变化。也就是说 ,癌细胞在生长过程中对色氨酸和酪氨酸的消耗不是按等量比的。实验也说明Hela和CNE在生长过程中 ,对RPMI 16 4 0培养基和DMEM高糖培养基中氨基酸的消耗是不同的。实验结果为癌细胞生长过程中所需培养基中氨基酸的含量提供了依据     

三核铜（I）配合物的合成与荧光光谱

室温下，通过双核配合物[Cu(dppm)(NO3)]2(dppm=双二苯基膦甲烷)与四苯基硼钠在甲醇和二氯甲烷混合溶剂中反应制备了三核铜(I)配合物[Cu3(dppm)3(NO3)(OH)](NO3)，经过红外光谱、热重分析、核磁和ES-MS等现代分析手段表征了配合物的物理化学性质，并进一步研究了配合物在室温下的荧光光谱特征。     

2-噻吩乙醛酸-邻菲罗啉-铕配合物的合成、结构表征及荧光性能的研究

合成了铕与 2 噻吩乙醛酸 (HL)和邻菲罗啉 (phen)的配合物 ,用元素分析、电导率、红外光谱和核磁共振谱测定了配合物的分子式为 [EuL2 phen·(H2 O) 3 ]NO3 ;配合物中的Eu(Ⅲ )离子与 2 噻吩乙醛酸和水分子中的O原子以及邻菲罗啉中的N原子配位。在室温下测定了配合物的激发和发射光谱 ,配合物中Eu(Ⅲ )离子的5D0 7F1和5D0 7F2 跃迁分别位于 5 92和 6 18nm。该固体配合物于室温下被紫外光激发可以发出强的特征红色荧光。IR光谱中 ,2 噻吩乙醛酸的特征吸收峰νCO (1719cm-1) ,νC—O(12 32cm-1) ,δO—H(90 9cm-1)在形成配合物后消失。在配合物中出现—COO-的反对称νas(16 4 2cm-1)和对称νs(14 0 8cm-1)伸缩振动吸收峰。在1HNMR谱图中 ,2 噻吩乙醛酸环上的 3个氢原子的化学位移形成配合物后移向高场 ,邻菲罗啉环上 4种不同环境的质子峰的化学位移形成配合物后向低场移动。从TG曲线可以看出 ,此配合物在常温至 2 5 0℃以下是稳定的。     

Yb∶YAG晶体的晶胞参量及Yb~(3+)分凝系数的研究

应用提拉法生长出不同Yb3+ 浓度的Yb3xY3( 1-x) Al5O12 晶体 Yb3+ 离子的分凝系数 1是 1 .0 8±0 .0 1 ,与Yb3+ 离子掺杂浓度无关 研究了Yb3xY3( 1-x) Al5O12 晶体的晶胞参量 ,推导出联系晶胞参量、密度与Yb3+ 离子掺杂浓度的关系方程式     

3,7-二硝基亚氨基-2,4-二氮杂双环[3,3,0]辛烷的放热分解反应动力学

在程序升温条件下 ,用DSC研究了标题化合物的放热分解反应动力学 .用线性最小二乘法、迭代法以及二分法与最小二乘法相结合的方法 ,以积分方程、微分方程和放热速率方程拟合DSC数据 .在逻辑选择建立了微分和积分机理函数的最可几一般表达式后 ,用放热速率方程得到相应的表观活化能 (Ea)、指前因子 (A)和反应级数 (n)的值 .结果表明 :该反应的微分形式的经验动力学模式函数、Ea 和A值分别为 (1-α) 0 .44、2 30 .4kJ/mol和 10 18.16s-1.借助加热速率和所得动力学参数值 ,提出了标题化合物放热分解反应的动力学方程 .该化合物的热爆炸临界温度为 30 2 .6℃ .上述动力学参数对分析、评价标题化合物的稳定性和热变化规律十分有用 .     

Simulation of polarization effects in AlGaN/GaN heterojunction

Because of their large band-gap, large high-field electron velocity, large breakdownfield, and large thermal conductivity, GaN and its heterojunction with AlGaN and InGaNhave foreseeable potential in the applications of high-power/temperature electronics, andoptoelectronic devices operative in UV and visible wavelength. Polarization inducedelectric field can reach the magnitude of ~MV/cm[1,2]. For AlGaN/GaN based FETs theconcentration of sheet carrier induced by polarization in the cha…     

Modulation instability of quasi-plane-wave optical beams in biased photorefractive-photovoltaic crystals

We investigate the modulation instability of quasi-plane-wave optical beams in biased photorefractive－photovoltaic crystals by globally treating the space-charge field. The modulation instability growth rate is obtained, which depends on the external bias field, on the bulk photovoltaic effect, and on the ratio of the optical beam's intensity to that of the dark irradiance. Our analysis indicates that this modulation instability growth rate is identical to the modulation instability growth rate studied previously in biased photorefractive－nonphotovoltaic crystals when the bulk photovoltaic effect is negligible for shorted circuits, and predicts the modulation instability growth rate in open- and closed-circuit photorefractive－photovoltaic crystals when the external bias field is absent.