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Preparation of Silica Aerogel/Resin Composites and Their Application in Dental Restorative Materials
Jingru Cheng Yuyi Deng Yujin Tan Jiawei Li Yongsheng Fei Congcong Wang Jingjing Zhang Chenxi Niu Qian Fu Lingbin Lu 《Molecules (Basel, Switzerland)》2022,27(14)
As the most advanced aerogel material, silica aerogel has had transformative industrial impacts. However, the use of silica aerogel is currently limited to the field of thermal insulation materials, so it is urgent to expand its application into other fields. In this work, silica aerogel/resin composites were successfully prepared by combining silica aerogel with a resin matrix for dental restoration. The applications of this material in the field of dental restoration, as well as its performance, are discussed in depth. It was demonstrated that, when the ratio of the resin matrix Bis-GMA to TEGDMA was 1:1, and the content of silica aerogel with 50 μm particle size was 12.5%, the composite achieved excellent mechanical properties. The flexural strength of the silica aerogel/resin composite reached 62.9546 MPa, which was more than five times that of the pure resin. Due to the presence of the silica aerogel, the composite also demonstrated outstanding antibacterial capabilities, meeting the demand for antimicrobial properties in dental materials. This work successfully investigated the prospect of using commercially available silica aerogels in dental restorative materials; we provide an easy method for using silica aerogels as dental restorative materials, as well as a reference for their application in the field of biomedical materials. 相似文献
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高频地波雷达下的多目标跟踪数据处理 总被引:1,自引:0,他引:1
根据高频地波雷达监测海上低速移动目标的要求及该类雷达的特点,提出了一种与高频地波雷达目标跟踪相适应的多目标跟踪数据处理方案。在该方案中对BTC(bayes tracking confirm)方法与BTT(bayes tracking termination)方法进行了改进,解决了上述两种方法在高频地波雷达实际应用中存在的问题。提出了贝叶斯准则与次数判定相结合的跟踪起始和终结方法。模拟结果表明,该方案能够稳定、有效地实现高频地波雷达密集回波下的多目标跟踪。 相似文献
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Performance of La2O3/InAlN/GaN metal—oxide—semiconductor high electron mobility transistors 下载免费PDF全文
We report on the performance of La2O3/InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors(MOSHEMTs) and InAlN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs).The MOSHEMT presents a maximum drain current of 961 mA/mm at Vgs = 4 V and a maximum transconductance of 130 mS/mm compared with 710 mA/mm at Vgs = 1 V and 131 mS/mm for the HEMT device,while the gate leakage current in the reverse direction could be reduced by four orders of magnitude.Compared with the HEMT device of a similar geometry,MOSHEMT presents a large gate voltage swing and negligible current collapse. 相似文献
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分析了双轴应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在γ射线辐照下载流子的微观输运过程, 揭示了γ射线的作用机理及器件电学特性随辐照总剂量的演化规律, 建立了总剂量辐照条件下的双轴应变Si PMOSFET 阈值电压与跨导等电学特性模型, 并对其进行了模拟仿真. 由仿真结果可知, 阈值电压的绝对值会随着辐照总剂量的积累而增加, 辐照总剂量较低时阈值电压的变化与总剂量基本呈线性关系, 高剂量时趋于饱和; 辐照产生的陷阱电荷增加了沟道区载流子之间的碰撞概率, 导致了沟道载流子迁移率的退化以及跨导的降低. 在此基础上, 进行实验验证, 测试结果表明实验数据与仿真结果基本相符, 为双轴应变Si PMOSFET辐照可靠性的研究和应变集成电路的应用与推广提供了理论依据和实践基础.
关键词:
应变Sip型金属氧化物半导体场效应晶体管
总剂量辐照
阈值电压
跨导 相似文献
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单偏振控制器环形腔光纤激光器实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
理论分析了非线性偏振旋转环形腔作为类饱和可吸收体获得脉冲的物理机理。在光纤环形腔结构中,采用单个偏振控制器实现了非线性偏振旋转锁模,直接获得了脉冲宽度为131 fs的超短脉冲输出。实验中,采用性能稳定的976 nm半导体二极管激光器作为抽运源,使用高掺杂浓度的Er3 光纤为增益介质,通过调节偏振控制器,获得了光谱谱宽(3 dB带宽处)为23.5 nm的稳定锁模脉冲输出。脉冲中心波长为1535.9 nm,平均功率为5.91 mW,脉冲重复率为11.20 MHz。 相似文献