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51.
The purpose of this article is to support the idea that “whenever we can prove a limit theorem in the classical sense for a dynamical system, we can prove a suitable almost-sure version based on an empirical measure with log-average”. We follow three different approaches: martingale methods, spectral methods and induction arguments. Our results apply, among others, to Axiom A maps or flows, to systems inducing a Gibbs–Markov map, and to the stadium billiard. 相似文献
52.
53.
500.8 nmNd∶YAG青光激光器光学薄膜的设计与制备 总被引:5,自引:2,他引:3
从双波长激光运转及和频的机理出发,对LD泵浦Nd∶YAG,LBO腔内和频500.8 nm〖JP2〗青光激光器所使用的光学薄膜进行了设计和制备.在激光反射镜的设计上,为了达到最佳的和频输出,对膜系要求进行了深入分析.采用对谐振腔一端面反射率固定不变并通过对另一腔镜基频光的透射率进行调谐的方法, 在给出合理初始结构后,利用计算机对膜厚进行了优化.并采用双离子束溅射沉积的方法,通过时间监控膜厚法成功制备出青光激光器所使用的全介质激光反射膜, 在室温下实现946 nm和1064 nm双波长连续运转,并通过Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体腔内和频在国内首次实现500.8 nm青色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.4 W时和频青光最大输出达20 mW. 相似文献
54.
在应变速率为5.56×10-5s-1—5.56×10-3s-1的范围内,在不同温度下(从223K至773K),对3004铝合金进行系列拉伸试验,探索其锯齿屈服规律;通过激活能的计算、内耗研究、微观组织观察和能谱分析,探讨锯齿屈服的机理与物理本质.结果表明,3004铝合金在形变过程中会出现动态应变时效现象;发现了一种“反常”的锯齿屈服现象:在出现锯齿屈服的温区内,存在锯齿屈服临界应变量转变温度Tt,
关键词:
动态应变时效
锯齿屈服
铝合金
内耗 相似文献
55.
56.
57.
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
关键词:
MOCVD
InGaAs/InGaAsP
应变量子阱
分布反馈激光器 相似文献
58.
在超声快速制取组织细胞病理切片的过程中,发现激励信号对切片制取效果有明显的影响.为了掌握超声激励信号对组织细胞的影响规律,达到快速制取病理切片的最佳状态,从气泡空化模型入手,通过改变激励信号频率、声压、气泡初始半径和液体黏滞系数等参量,研究了声孔效应中气泡动力学激励机制.数值计算表明:空化泡振动随激励声压增强而升高,随液体黏滞系数增强而减弱;一定频率范围内空化泡振动能保持在膨胀、收缩和振荡的稳定空化状态,存在空化泡稳态振动的最佳激励频率;一定初始半径能保证空化泡产生稳定的振动,存在空化泡稳态振动幅度最大的初始半径.实际操作中,在频率、声压、初始半径和黏滞系数综合作用的若干空化阈内,声孔效应使超声快速法制取细胞组织切片获得最佳效果.
关键词:
声孔效应
超声空化
气泡振动
稳态空化域 相似文献
59.
60.
Xiangdong Xu Hockleong Kweh Zhengcao Zhang Zhihong Liu Wei Zhou Wei Zhang Peixin Qian 《Applied Surface Science》2006,252(20):7594-7598
Large-scale preparation of thin strain-relaxed SiGe is achieved by combining ion implantation and ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. The resulting materials were analyzed by double crystal X-ray diffraction, micro-Raman spectroscopy, and tapping mode atomic force microscope. Results revealed that 100-nm-thick Si0.7Ge0.3 layers with the diameter of 125 mm and full strain relaxation are successfully prepared by pre-modifying the Si substrates using 50 keV Ar+ ions. The strain relaxation is also disclosed to change with both ion species and energy. However, post-modification of SiGe by ion implantation will cause serious damage to the crystal structures, and result in the formation of poly-crystal SiGe. 相似文献