微管道气体流动的蒙特卡洛直接模拟

采用蒙特卡洛直接模拟(DSMC)方法,数值模拟了微管道中压力驱动的气体流动,结果表明固壁边界存在速度滑移,稀薄气体效应明显;整个流场温度变化很小,流动马赫数很小,密度、压力流向变化非常大而横向几乎不变;可压缩性导致压力随流向的非线性分布,但这种效应随Knudsen数增大而减弱.     

MnAlC永磁合金的中子衍射研究

用中子衍射技术研究了Mn_1.074Al_0.871C_0.055永磁合金的晶体结构和磁结构,Mn_1.074Al_0.871C_0.055为四角体心结构,从中子衍射谱线的拟合结果可以看出:0.992Mn和0.008C占据(0,0,0)晶位;0.082Mn、0.87lAl和0.047C占据(1/2,1/2,1/2)晶位,在不同晶位上的Mn原子的磁矩沿c轴方向反平行排列,把这些结果与Mn_1.09Al_0.91二元合金的中子衍射结果相比较,可以解释Mn_1.074Al_0.871C_0.055三元合金的磁性和机械性能都可获得明显提高的原因。 关键词：     

中子辐照含氢硅中的与氢有关的深能级缺陷

利用深能级瞬态谱(简称DLTS),恒温下瞬态电容技术及红外吸收光谱,研究了中子辐照氢气氛中生长的n型区熔硅。相应于间隙氢的红外吸收谱带中子辐照后强度减弱。首次观察到未经退火就出现了能级为E_c=0.20eV的一个新的缺陷——Z中心,由于该中心的能级很接近于A中心,而浓度又较A中心低得多,通过改变中子剂量使费密能级处于A中心以下几个kT处,才能精确地测定Z中心的DLTS峰所在的温度。根据实验判断Z中心很可能是氢与空位的复合物,讨论了它的可能电子结构。 关键词：     

钽铌酸锂晶体的布里渊散射研究

研究了钽铌酸锂(LiTa_xNb_(1-x)O_3,x=0.0013,0.0052,0.015,0.06)晶体在室温的布里渊散射.给出了它们的弹性刚度常数和压电应力常数.测量了一种组份晶体的布里渊散射频移在50K～580K范围内的温度特性.发现某些声子散射谱中除三个正常峰外还存在一个异常峰.     

The Poincaré Series of Relative Invariants of Finite Pseudo-Reflection Groups

Let F be a field with characteristic 0,V=F~n the n-dimensional vector space over F and let G be a finite pseudo-reflection group which acts on V.Let χ:G→F~* be a 1-dimensional representation of G.In this article we show that X(g)=(detg)~α(0≤α≤r-1),where g∈G and r is the order of g.In addition,we characterize the relation between the relative invariants and the invariants of the group G,and then we use Molien's Theorem of invariants to compute the Poincaré series of relative invariants.     

保等价部分变换半群的变种半群上的正则元

在现有的保等价部分变换半群的基础上,引入了一个新的运算,得出保等价部分变换半群的变种半群的概念,利用格林关系及幂等元的正则性,讨论了这类半群中元素的正则性,给出了保等价部分变换半群的变种半群中一个元是正则元的充要条件     

Yb~(3+)和Er~(3+)共掺杂氟硼酸盐玻璃材料光学跃迁及红外到可见上转换

利用 J-O理论和吸收光谱实验数据计算了 Er3 +掺杂的氟硼酸盐玻璃材料的光学跃迁参数 ,从而得到了一些能级间跃迁的振子强度、跃迁几率、分支比、及寿命等数据。在室温下观察到了在 970 nm LD激发下红色和绿色上转换发光 ,讨论了红色上转换发光强度与 LD电流的关系。     

Au/(SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构的电致发光研究

利用射频磁控溅射方法,在n⁺-Si衬底上淀积SiO₂/Si/SiO_{2纳米双势垒单势阱结构,其中Si层厚度为2至4nm,间隔为0.2nm,邻近n⁺-S i衬底的SiO2层厚度固定为1.5nm,另一SiO2层厚度固定为3nm.为了 对比研究,还制备了Si层厚度为零的结构,即SiO2(4.5nm)/n⁺-Si 结构.在经过600℃氮气下退火30min,正面蒸上半透明Au膜,背面也蒸Au作欧姆接触后,所 有样品都在反向偏置(n^＋-Si的电压高于Au电极的电压)下发光,而在正向偏压 下不发光.在一定的反向偏置下,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡,位 相相同.所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于2.26eV(550nm)和1.85eV (670nm)两个高斯型发光峰.分析指出该结构电致发光的机制是：反向偏压下的强电场使Au/( SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n⁺-Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子-空穴对,它们在纳米SiO2层中的发光中心(缺陷或杂质)上复 合而发光. 关键词： 电致发光 纳米双势垒 高斯型发光峰 雪崩击穿}     

BEPC中电子云导致的束团横向尺寸增长研究

多束团正电子储存环中可能发生电子云不稳定性. 由于电子云导致的束团横向尺寸增长已经成为提高对撞机对撞亮度的主要限制因素之一. 介绍了在BEPC储存环中, 利用条纹相机直接测量由于电子云导致的束团横向尺寸增长结果, 并与模拟计算进行了比较.     

火焰原子吸收光谱法测定中草药丹参不同部位金属元素的含量

采用HNO₃-HClO₄(4∶1)混酸消化丹参的根、茎和叶,利用火焰原子吸收光谱法对消化液中的五种人体必需的金属元素K,Cu,Zn,Fe,Mg进行了测定。该方法的标准曲线的相关系数为0.998 7～0.999 7,加标回收率为99.7％～104.4％,相对标准偏差(RSD)小于2％。结果显示：K,Cu,Zn,Fe,Mg在丹参根、茎和叶的含量均有以下次序：K＞Mg＞Fe＞Zn＞Cu。丹参叶的K,Cu,Fe,Mg的含量大于根和茎。根、茎、叶中的锌铜比值均较小。该测定结果为研究金属元素K,Cu,Zn,Fe,Mg在丹参中的分布以及金属元素的含量与丹参药效之间的关系提供了有用的数据。