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991.
半导体物理中的一个两点边值问题 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了在半导体流的区域提纯过程中提出的两点边值问题解的存在性,我们用上、下解方法和Sshauder不动点定理证明了如果Q=2A3Re,其中A是表面速率,Re是Reynolds数,则当0 Q 12.68时,该问题有解. 对[1]的结果(0 Q<8.51时,此问题的解存在)进行了重要的改进. 相似文献
992.
Enantiomeric Sesquiterpene Lactones from Senecio tsoongianus 总被引:2,自引:0,他引:2
From Senecio tsoongianus,two pairs of enantiomeric isomers,tsoongianolides A(1) and B(2),tsoongianolides C (3) and D(4) were isolated. Their structures were elucidated by 1D and 2D-NMR techniques and X-ray diffractions. The cytotoxicity to KB cell of 1 and 2 is also reported. 相似文献
993.
采用 Black-Scholes期权定价理论 ,建立了激励机制下企业经营者股票期权薪酬机制的分析、操作模型 相似文献
994.
995.
HOU Ying SHI Zhan YANG Ming LI Guang-hua FENG Shou-hua State key Laboratory of Inorganic Synthesis Preparative Chemistry College of Chemistry Jilin University Changchun P. R. China 《高等学校化学研究》2005,21(4):406-410
IntroductionThe syntheses of metal-organic coordination poly-mers have been attracting increasing attention owing tothe potential applications of their functional materials incatalysis,non-linear optics,magnetism sensors andmolecular recognition[1—7].Coordination polymers crys-tallized from polyaromatic acids and metal-ions are ofgreat interest for their polymeric structures and porousproperties[8—12].Their network topologies based on mo-lecular building blocks are usually controlled and mod… 相似文献
996.
本文介绍采用拍频曲线晶振基准法首次在Uniphase 1007型长寿命商品He-Ne激光管上实现了无压电陶瓷调谐元件的塞曼双频稳频,采用可调永磁供磁,达到光频长期漂移5×10~(-9);双频双线偏振分离度1/60;双线偏振正交度89.5°;入锁及锁定情况良好.给出了塞曼双频激光器的调试技术.描述了输出光束偏振状态和纵模数关系的一个物理现象. 相似文献
997.
给出了基于n次Chebyshev多项式零点的Gauss型Hermite求积公式中Cotes数的明显表达式及其当n→∞时的渐近性质.此即给出了P.Turan问题26的解. 相似文献
998.
FORMATION OF A BURIED LAYER OF ALUMINIUM NITRIDE BY HIGH DOSE N2+ IMPLANTATION INTO ALUMINIUM 下载免费PDF全文
Aluminium films with various thickness between 700 nm and 1μm were deposited on Si (100) substrates, and 400 keV N2+ ions with doses ranging from 4.3×1017 to 1.8×1018 N/cm2 were implanted into the alu-minium films on silicon, Rutherford Backscattering (RBS) and channeling, secondary ion mass spectroscopy (SIMS), Fourier transform infrared spectra (FTIR), X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM) and spreading resistance probes (SRP) were used to characterize the synthesized aluminium nitride. The experiments showed that when the implantation dose was higher than a critical dose Nc, a buried stoichiometric AlN layer with high resistance was formed, while no apparent AlN XRD peaks in the as-implanted samples were observed; however, there was a strong AlN(100) diffraction peak appearing after annealing at 500 ℃ for 1h. The computer program, Implantation of Reactive Ions into Silicon (IRIS), has been modified and used to simulate the formation of the buried AlN layer as N2+ is implanted into aluminium. We find a good agreement between experimental measurements and IRIS simulation. 相似文献
999.
1000.
SHI Jihuai & REN Guangbin Department of Mathematics University of Science Technology of China Hefei China 《中国科学A辑(英文版)》2006,(11)
In the paper, we characterize the coefficient multiplier spaces of mixed norm spaces (Hp,q((?)1),Hu,v((?)2)) for the values of p, q, u, v in three cases: (i)0
相似文献