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241.
242.
根据电流信号易于实现算术运算的特点,定义了阈算术运算、非负运算和阈算术函数,提出了和图为阈算术函数的图形表示,从而建立了阈算术代数系统.并通过具体的电流型CMOS电路的设计实例,阐述了算术意义明确的电流型电路设计方法及基于和图的电流型电路设计方法,实现了阈算术代数在二值电流型CMOS电路中的应用.计算机模拟结果表明,所设计的电路具有正确的逻辑.提出的阈算术代数系统为电流型电路的设计提供了一种新的简单有效的方法. 相似文献
243.
史美华 《浙江大学学报(理学版)》2014,41(6):632-636
Hom-结构(李代数,双代数,Hopf模)已经越来越引人关注.首先引入Hom-模余代数和Hom-Doi-Hopf模概念,证明了Hom-Doi-Hopf模模可通过Doi-Hopf模在态射扭曲下得到,推广了CAENEPEEL等提出的条件;还揭示了有限型Hom Doi Hopf结构和其对偶之间的联系,证明了忘却函子F∶CM(H)A→MA(CM)存在伴随函子,其中CM(H)A和MA(CM)分别表示Hom-Doi-Hopf模模范畴和Hom-模(Hom-余模)范畴. 相似文献
244.
新型显色剂Meso-四(4-羟基-3-乙氧基苯基)卟啉的合成及其应用 总被引:2,自引:0,他引:2
合成了四(4-羟基-3-乙氧基苯基)卟啉, 用元素分析、质谱、紫外-可见光谱、红外光谱及核磁共振氢谱进行了表征, 研究了该卟啉与铅离子的显色反应条件. 结果表明, 当pH=11.0时, 在十二烷基磺酸钠存在下, 沸水浴加热5 min反应完全, 在473 nm处测得配合物的表观摩尔吸光系数为2.08×105 L/(mol·cm), 铅量在0~12 μg/25 mL范围内符合比尔定律, 用此法成功地测定人发标准物质中的微量元素铅的含量. 相似文献
245.
模拟卤代过氧化物酶活性中心钒的配位环境设计合成了新的蝎型聚吡唑硼酸盐钒氧化合物VO(HB(3,5-Me<,2> pz)<,3>)(3,5-Me<,2>pz)(HOOCCH<,2>CH<,2>COO)(1)和VO(HB(3,5-Me<,2>pz)<,3>)(3,5-Me<,2> pz)(C<,5>H<,4>NCOO)(2... 相似文献
246.
使用反馈式微机控制双注乳化仪,在晶体生长过程中一定时间内,加入一定量的草酸盐,制得了草酸根离子处于晶体颗粒次表面的板状溴碘化银微晶乳剂.对其实验过程的考察和感光性能的测试结果表明:1)草酸根掺杂于次表面的溴碘化银乳剂与未掺杂乳剂相比较,经过化学增感后,或光谱增感后的乳剂,其感光度有明显提高(Sd/S0≥1.5),即具有明显的增感效应;2)无论是经过化学增感,还是经光谱增感后的乳剂,草酸根掺杂溴碘化银颗粒乳剂的灰雾水平都不高. 相似文献
247.
建立了离子转换色谱与紫外检测器联用检测啤酒中无机阴离子与有机酸的新方法。在传统的离子色谱基础上引入两根离子转换柱,无机阴离子与有机酸经过两步转换,定量转换成有相同紫外响应的碘酸盐,然后用紫外检测器代替电导检测器进行定量分析。在Dionex AS11-HC阴离子色谱柱上,采用KOH梯度淋洗方式实现了12种无机阴离子与有机酸的分离。结果表明,12种无机阴离子和有机酸检出限(S/N=3)与定量限(S/N=10)分别为6.168~29.01 μg/L与20.56~66.30 μg/L;线性关系良好(r在0.9994以上),回收率为89.0%~117.0%,RSD均小于1.0%,该方法与传统的电导检测器检测结果相当。该方法简单快捷,只需采用少数标准曲线,就可以实现啤酒中无机离子与有机酸的定量测定。 相似文献
248.
季铵盐型表面活性剂的合成及物化性能测定 总被引:16,自引:1,他引:16
从脂肪酸和N-(2-羟乙基)乙二胺开始,经过咪唑啉中间体,合成了12种未见文献报道的新化合物,其中3种为具有不同类型特性基团的新型两性表面活性剂、3种为新型阳离子表面活性剂,并测定了它们的物化性能。 相似文献
249.
采用精细雾化施液CMP这一抛光工艺对氧化锆陶瓷进行抛光,实验研究了抛光液中具有代表性的酸碱调节剂对抛光氧化锆陶瓷材料去除率、表面形貌和表面粗糙度的影响及酸碱性对精细雾化施液分散稳定性的影响.结果表明:针对精细雾化液抛光工艺配制的二氧化硅抛光液在碱性环境中分散稳定性更好,虽然酸性抛光液对材料去除率更高,但酸对氧化锆陶瓷表面腐蚀性过大,不宜抛光氧化锆陶瓷;有机碱作为调节剂抛光后的表面质量明显优于无机碱及无机酸、有机酸;乙二胺配置的碱性抛光液精细雾化后抛光氧化锆陶瓷可获得优质超光滑低损伤表面及较高加工效率,表面粗糙度Rq为1.67 nm,材料去除率达182.23 nm/min. 相似文献
250.
利用Fenton试剂对碳纳米管进行表面改性,研究了Fenton, Fenton/超声波(US)以及Fenton/紫外线(UV)对碳纳米管表面的影响,并探讨了Fenton试剂与碳纳米管的作用机理.用热重分析(TGA)来观察纯化前后碳纳米管的纯度,用红外光谱(FTIR)分析碳纳米管表面官能团的变化,用透射电镜(TEM)对碳纳米管微观结构进行分析.结果表明:Fenton/UV反应能够在碳纳米管表面引入大量羟基以及少量的羧基,且不会较大程度地损坏碳纳米管的结构;机理分析表明, Fenton试剂主要是利用Fenton反应产生的羟基自由基(HO·)对碳纳米管的不饱和键进行羟基化加成. 相似文献