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91.
A striking size dependence of the mean-square displacement of diffusing particles in the two-dimensional lattice gas of hard squares has been observed by Monte Carlo simulation. It is shown that the size effect is due to the formation of a stable cage structure in small lattices when the particle concentration is high. The formation of cages is governed by a new type of percolation problem related to bootstrap percolation.  相似文献   
92.
We study space-time fluctuations around a characteristic line for a one-dimensional interacting system known as the random average process. The state of this system is a real-valued function on the integers. New values of the function are created by averaging previous values with random weights. The fluctuations analyzed occur on the scale n 1/4, where n is the ratio of macroscopic and microscopic scales in the system. The limits of the fluctuations are described by a family of Gaussian processes. In cases of known product-form invariant distributions, this limit is a two-parameter process whose time marginals are fractional Brownian motions with Hurst parameter 1/4. Along the way we study the limits of quenched mean processes for a random walk in a space-time random environment. These limits also happen at scale n 1/4 and are described by certain Gaussian processes that we identify. In particular, when we look at a backward quenched mean process, the limit process is the solution of a stochastic heat equation.  相似文献   
93.
94.
Superconducting films of Bi-Sr-Ca-Cu-O on (100) MgO substrates have been fabricated by XeCl-excimer-laser sputtering from ceramic targets of Bi2.5Sr2Ca2Cu3Oy in O2 atmosphere. The films were polycrystalline with the c-axis (30.80±0.02Å) preferably oriented normal to the substrate surface. Without post-annealing the films showed metallic resistance behavior with zero resistance temperatures of up to Tc(0) }- 79 K. The critical current density of the films had values of up to jc(50K)}- 104 A/cm2.  相似文献   
95.
96.
T /nS of nT rearrangements and nS atoms in the spike volume as the crucial parameter characterizing the ability of a given ion–target combination to achieve complete rearrangement of the spike volume. nT/nS>1 is the optimum condition for diamondlike film growth. For aC films the ion energy dependence of nT/nS agrees well with the measured sp3 bond fraction. For Ar+-ion-assisted deposition of aC we find nT/nS>1 above 50 eV with no pronounced ion energy dependence. Furthermore, our model predicts optimum conditions for the formation of cubic boron nitride between 50 eV and 3 keV. Accepted: 14 October 1997  相似文献   
97.
We prove that the congruence lattice of a Scott-domain can be characterized as a complete lattice.Presented by V. Trnkova.The research of the first author was supported by the NSERC of Canada.The research of the second author was supported by the Hungarian National Foundation for Scientific Research, under Grant No. 1903.  相似文献   
98.
99.
100.
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