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141.
Y.-Q. Peng J.-H. Yang F.-P. Lu 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2006,83(2):305-311
Under the assumption of Gaussian energy distributions of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) and the highest occupied
molecular orbital (HOMO), analytical expressions of generalized Einstein relation for electron and hole transport in doped
organic semiconductor thin films are developed. Numerical calculations show that, although traditional Einstein relation still
holds for low carrier concentrations, that is, the diffusion-coefficient-to-mobility ratio in units of kBT/q, with kB the Boltzmann’s constant, T the temperature and q the elementary charge, equals 1. But when the electron (hole) concentration
is high, the diffusion-coefficient-to-mobility ratio for electrons (holes) changes strongly with the electron (hole) concentration,
the doping level, the mean energy of LUMOs (HOMOs) of the dopant ELd (EHd) and the host EL (EH), as well as their variances. Dopants with ELd<EL (EHd>EH) affect the diffusion-coefficient-to-mobility ratio mainly in the range of low and middle carrier concentrations, while those
with ELd>EL (EHd<EH) have significant effect only in the range of high carrier concentrations. It was found that there can be a maximum in the
dependence of the diffusion-coefficient-to-mobility ratio on the quasi-Fermi energy or carrier concentration exist, for appropriate
values of the doping level, the mean energy and variance of LUMO or HOMO states of the dopant.
PACS 71.20.Rv; 72.90.+y; 73.50.-h 相似文献
142.
在应变速率为5.56×10-5s-1—5.56×10-3s-1的范围内,在不同温度下(从223K至773K),对3004铝合金进行系列拉伸试验,探索其锯齿屈服规律;通过激活能的计算、内耗研究、微观组织观察和能谱分析,探讨锯齿屈服的机理与物理本质.结果表明,3004铝合金在形变过程中会出现动态应变时效现象;发现了一种“反常”的锯齿屈服现象:在出现锯齿屈服的温区内,存在锯齿屈服临界应变量转变温度Tt,
关键词:
动态应变时效
锯齿屈服
铝合金
内耗 相似文献
143.
144.
145.
提出了一种基于微悬臂梁传感技术研究大分子折叠/构象转变的新方法.通过分子自组装的方法将热敏性的聚N-异丙基丙烯酰胺(PNIPAM)分子链修饰到微悬臂梁的单侧表面,用光杠杆技术检测温度在20—40℃之间变化时由于微悬臂梁上的PNIPAM分子在水中的构象转变所引起的微悬臂梁变形.实验结果显示:在升温过程中,微悬臂梁的表面应力发生了变化并且导致微悬臂梁产生了弯曲变形,这个过程对应着微悬臂梁上的PNIPAM分子从无规线团构象到塌缩小球构象的构象转变.在降温过程中,微悬臂梁发生了反方向的弯曲变形,这对应着PNIPA
关键词:
构象转变
聚N-异丙基丙烯酰胺分子链
表面应力
微悬臂梁 相似文献
146.
文章介绍2001年度国家自然科学奖二等奖获奖成果,在北京正负电子对撞机上采集了Ψ(2S)粒子大数据样本,开展了粲偶素物理的广泛研究:完成了6个粲偶素涉及质量,宽度和衰变化支比等大批重要参数的首次测量或高精度测量;通过对Ψ(2S)和J/Ψ强衰变性质的比较研究,观察到一系列反常现象,挑战现有理论图像。该项研究成果对量子色动力学的检验与发展具有重要意义,为我国粲偶素物理实验研究的继续发展并保持先进水平奠定坚实基础。 相似文献
147.
设计并镀制了193nm Al2O3/MgF2反射膜,对它们在空气中分别进行了250-400℃的高温退火,测量了样品的透射率光谱曲线和绝对反射率光谱曲线.发现样品在高反射区的总的光学损耗随退火温度的升高而下降,而后趋于饱和.采用总积分散射的方法对样品在不同退火温度下的散射损耗进行了分析,发现随着退火温度的升高散射损耗有所增加.因此,总的光学损耗的下降是由于吸收损耗而不是散射损耗起主导作用.对Al2O3材料的单层膜进行了同等条件的退火处理,由它们光学性能的变化推导出它们的折射率和消光系数的变化,从而解释了相应的多层膜光学性能变化的原因.反射膜的反射率在优化联系、镀膜工艺与退火工艺的基础上达98%以上. 相似文献
148.
用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量
关键词:
薄氧
可靠性
击穿电压
击穿电量 相似文献
149.
150.
利用傅里叶光学方法,建立了一个基于远场的多束超短脉冲相干合成的理论模型。研究了一个口径为50 cm,脉宽为1 ps的超短脉冲相干合成系统的各种误差对脉冲远场时域和空域特性的影响。结果表明:若要求远场的一倍衍射极限区域的积分能量分布达到理想情况下的90%,该系统的相位延迟误差小于0.63,沿x方向角度误差小于0.37 μrad,沿y方向角度误差小于0.34 μrad;若要求远场叠加脉冲的时域展宽小于25%,系统的剩余啁啾因子应小于1.32(不考虑相位延迟)或1.52(考虑0.63的相位延迟)。 相似文献