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151.
基于EAST超导托卡马克实验装置,给出了HALO电流计算方法和计算过程,并通过自由能方法模拟得出了等离子体电流、HALO电流在等离子体破裂过程中随时间的演化过程。 相似文献
152.
153.
Crystal Structure and Magnetic Properties of Sm2 Fe17-Nδ Thin Films Deposited on Si (100) Substrates 下载免费PDF全文
This work focuses on the crystal structure and magnetic properties of the hard magnetic Sm2 Fe17 Nδ films prepared by dc magnetron sputtering and the subsequent nitriding process. The XRD, EDS, M-H and M-T data show that N enters the cell structure and the films with the single Th2Zn17 phase are obtained when the nitriding temperature varies from 300 to 400℃, thus the maximum value of the coercivity Hc reaches 2561.7Oe. However, the Sm2Fo17 phase decomposes to the StuN nonmagnetic phase and the α-Fe soft magnetic phase with further increasing nitriding temperature, which corresponds to the decreasing Hc. Furthermore, the easy magnetization direction (EMD) is found to locate randomly in the film plane. This texture can not give an excellent MR/Ms higher than the Stoner-Wohlfarth limitation (MR/Ms = 0.5), which agrees well with the observed low MR/Ms (0.58). It is suggested that the magnetization reversal process is dominated by the nucleation mechanism according to the initial magnetization curve and the dependence of Hc on the field H. 相似文献
154.
Photoluminescence and X-Ray Photoelectron Spectroscopy of p-Type Phosphorus-Doped ZnO Films Prepared by MOCVD 下载免费PDF全文
Reproducible p-type phosphorus-doped ZnO (p-ZnO:P) films are prepared on semi-insulating InP substrates by metal-organic chemical vapour deposition technology. The electrical properties of these films show a hole concentration of 9.02 × 10^17 cm ^-3, a mobifity of 1.05 cm^2 /Vs, and a resistivity of 6.6 Ω.cm. Obvious acceptorbound-exciton-related emission and P-induced zinc vacancy (Vzn) emission are observed by low-temperature photoluminescence spectra of the films, and the acceptor binding energy is estimated to be about 125meV. The local chemical bonding environments of the phosphorus atoms in the ZnO are also identified by x-ray photoelectron spectra. Our results show direct experimental evidence that Pzn-2Vzn shallow acceptor complex most likely contributes to the p-type conductivity of ZnO:P films. 相似文献
155.
156.
157.
158.
本文修改了Landshoff-Nachtmann的软玻密子(Pomeron P)场论模型.从强子组分夸克具有结构的观点出发,根据高能强作用软过程中的最大非微扰强作用反应假定,提出了有关软P新的结构图像.对撞强子中的一对组分夸克被分解为裸夸克和一系列非微扰胶子(和夸克对).与此相应,软P的结构是由胶子形成的一系列切割梯形图之和所代表.在系统能量s很大而动量转移|t|很小的多重雷吉(Regge)运动学区间,并在保留lns的领头阶近似下,计算了这组切割梯形图之和所对应的散射振幅和总截面.它们的表达式出现了对s的Regge型幂次因子,得出了软P轨迹的简洁表达式.简单说明了按本文提出的方案可以讨论那些相关的强作用过程. 相似文献
159.
二硫纶和菲咯啉二酮混配金属锰(Ⅱ), 铁(Ⅱ), 钴(Ⅱ)配合物的红外光谱与配位模式 总被引:4,自引:0,他引:4
报道了新近合成的二氰基二硫纶和菲咯啉-5,6-二酮混配锰(Ⅱ)、铁(Ⅱ)及钴(Ⅱ)配合物MLL′(L=mnt2-,1,2-二氰基乙烯-1,2-二硫醇离子;L′=phen-5,6-dione,菲咯啉-5,6-二酮)红外-远红外光谱实验数据。在红外及远红外光谱中,特征ν(CN),ν(CO),ν(CC),ν(CN),ν(C—S),ν(M—S),ν(M—N)吸收较强,远红外光谱表明配合物中M—S键比M—N键强。利用群论方法分析了标题配合物MLL′的简正坐标和配位模式,探讨了这类配合物的红外光谱与结构的关系。标题配合物中过渡金属离子与二氰基二硫纶和菲咯啉二酮形成四配位的畸变四面体构型,其对称性近似于C2和C2V。 相似文献
160.
首先利用耦合模理论研究了长周期光纤光栅LPFG折射率敏感特性,数值计算了长周期光纤光栅透射谱谐振波长与环境介质折射率的关系。其次分析了半导体氧化物气敏膜光学特性机理,当气体与薄膜接触时,气体会使敏感膜的消光系数、吸收系数和相应的折射率发生变化。基于上述两点,提出可将气敏膜涂于光栅表面,利用气敏膜的折射率随环境气体成分和浓度变化而变化的特性,从而影响LPFG透射谱谐振波长的变化,通过检测波长的变化达到探测气体成分和浓度的目的。由于长周期光纤光栅对环境介质折射率的灵敏度高于光纤,且其传感信号属于波长调制,测量信号不受光强波动及光纤损耗的影响,因此其灵敏度比强度型光纤气体传感器高。 相似文献