对树液上升动力的探讨和比较

提出树液上升有三种驱动力:毛细现象、渗透压和负压.对这三种驱动力的大小进行计算和比较,指出树液上升的主要驱动力是分子距离增大处于拉伸状态后形成的负压.     

不通过Poisson公式解调和方程在球上的一类Dirichlet问题

得到了一个解调和方程在球上的一类Dirichlet问题的简单方法,即不通过Poisson公式而实际上只解一个Euler方程,从而较容易地求出其解.     

固态发酵-水煮耦合炮制牛蒡子提高牛蒡子苷元含量

研究了黑曲霉Aspergillus niger ZJUT712菌株固态发酵和水煮工艺相耦合炮制牛蒡子. 结果表明,该工艺提高了牛蒡子中有效成分牛蒡子苷元的含量,从而有利于促进牛蒡子摄入体内迅速起效. 最佳固态发酵炮制条件为: 0.5 g牛蒡子粉、 3 g麸皮、 2 g甘蔗渣、 0.3 g蛋白胨和10 ml Mandels营养液,固液比1∶3.6 g/ml, 初始pH 5.6, 30 ℃发酵 7 d. 牛蒡子苷元产率随底物初始浓度的增加而降低. A.niger ZJUT712转化0.174 mmol/L牛蒡子苷的产率可达93.0%. 7 d时间内A.niger ZJUT712水解牛蒡子苷的过程符合Monod方程,反应动力学常数为Vm=0.083 7 mmol/(L·d), Km=0.16 mmol/L.     

八乙基金属卟啉的轴向配位反应研究及稳定常数测定

测定了八乙基金属卟啉 (OEP) M中当M=Zn, Cu, FeCl 或 MnCl时在CH2Cl2, N,N-二甲基甲酰胺(DMF), 二甲亚砜(DMSO), 吡啶(Py)等4种不同非水溶剂中的紫外-可见光谱, 探讨了溶剂的性质对八乙基金属卟啉光谱的影响. 结果表明八乙基锌、铁、锰卟啉在CH2Cl2中能够与配位溶剂如DMF, DMSO或pyridine 等发生轴向配位反应生成五配位或六配位的金属卟啉配合物. 用微量光谱滴定法测定了Zn、 Fe、 Mn等金属卟啉和配位溶剂发生轴向配位反应的稳定常数(logK). 讨论了中心金属离子的电负性以及配位溶剂的给电子能力对稳定常数的影响.     

β-环糊精诱导苯乙酮衍生物不对称还原反应中的取代基效应

研究了在β-环糊精存在下,苯乙酮衍生物中取代基团对不对称还原反应的影响.结果表明,当苯乙酮上连有取代基团且在低温下进行不对称还原反应时,对映体选择性得到提高,产物醇的绝对构型与取代基团的位置有关,苯乙酮及其间位、对位衍生物还原产物绝对构型为S型,邻位衍生物所得产物为R型.苯乙酮衍生物的对映体选择性是取代基团的大小、氢键作用、空间位阻等因素协同作用的结果.此外,根据取代基团的性质以及取代位置推测了底物在β-环糊精空腔内的可能定位.     

叶片衰老影响木兰科植物聚类的FTIR研究

傅里叶变换红外光谱(FTIR)结合聚类分析技术应用于木兰科植物不同亚族分类,研究了叶片衰老对聚类分析效果的影响。测试了木兰科三个亚族14种植物的幼叶、成叶、老黄叶红外光谱,结果显示三个亚族植物叶片红外光谱差异不大;同种植物叶片不同生长期的红外光谱吸收峰位置基本一致,但一些特征峰的峰强有变化;用1 800～700 cm-1范围二阶导数光谱结合聚类分析,发现成叶二阶导数光谱聚类分析能够正确对样品分类,幼叶和老黄叶二阶导数谱聚类分析效果不如成叶,说明叶片衰老过程化学成分变化影响聚类分析效果,聚类分析时取成叶样品为好。     

可变形电子元件的非线性动力屈曲行为分析

基于薄膜/基底模型,分析可变形电子元件结构的动力屈曲问题。用小变形平面应变理论描述基 底,用Kirchhoff平板理论描述薄膜。定义Lagrange函数,包括薄膜应变能和动能,以及基底对薄膜所作的 功。利用Euler-Lagrange方程导出薄膜的动力屈曲控制方程。计算线性荷载下薄膜的动力响应,并利用B-R 准则确定临界屈曲荷载。动力屈曲的临界荷载较静力屈曲的大,波幅响应围绕静力屈曲的响应振荡。     

常见野生蘑菇的红外光谱及其二维相关红外光谱的鉴别

采用傅里叶变换红外光谱结合相关性分析、二阶导数谱和二维相关谱对13种常见野生蘑菇进行鉴别研究。结果显示13种野生蘑菇的红外光谱光谱特征相似,主要由蛋白质、多糖的吸收组成,13种样品的相关系数最小为0.779,最大值为0.960。在1 700~1 400和1 400~800 cm-1范围的二阶导数光谱中,各样品吸收峰的强度、位置和形状均有明显差异。二维相关红外光谱在1 380~1 680 cm-1范围的强自动峰整体相近,但自动峰和交叉峰位置、形状存在差异;在920~1 230 cm-1的范围,各样品的自动峰和交叉峰的数量、强度和位置差异明显。结果表明傅里叶变换红外光谱结合相关性分析、二阶导数谱和二维相关谱有望发展为区分不同种类蘑菇的快速方法。     

高In组分InGaNAs/GaAs量子阱的生长及发光特性

采用分子束外延技术(MBE)在Ga As衬底上外延生长高In组分(40%)In Ga NAs/Ga As量子阱材料,工作波长覆盖1.3~1.55μm光纤通信波段。利用室温光致发光(PL)光谱研究了N原子并入的生长机制和In Ga NAs/Ga As量子阱的生长特性。结果表明:N组分增加会引入大量非辐射复合中心;随着生长温度从480℃升高到580℃,N摩尔分数从2%迅速下降到0.2%;N并入组分几乎不受In组分和As压的影响,黏附系数接近1;生长温度在410℃、Ⅴ/Ⅲ束流比在25左右时,In_(0.4)Ga_(0.6)N_(0.01)As_(0.99)/Ga As量子阱PL发光强度最大,缺陷和位错最少;高生长速率可以获得较短的表面迁移长度和较好的晶体质量。     

液态锂回路的净化及在线检测系统

介绍了液态锂回路中的净化及在线检测装置。该装置采用了冷阱法和热阱法,使回路中产生的C、 O、N 和氢同位素等杂质降至10wppm 以下。目前,已经利用四电极测电阻法测量了放锂前后的电阻随温度的变化曲线,再经过多项式拟合,计算得到了纯锂的电阻率随温度变化的函数。