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In this short paper an outline of the properties of an ideal precursor for MOCVD is given. Two systems are then used to explain the advantages of novel precursor systems over conventional ones, for the deposition of electrically important materials. The first example concerns the use of the triethylamine adduct of dimethylzinc as a precursor either in the deposition of II/VI materials containing zinc or the doping of III/V materials. The second example concerns the development of thiocarbamato precursors of improved volatility and their use in the deposition of PbS a material whose deposition by MOCVD has been problematic.  相似文献   
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