一种100 kV Mini-Marx发生器触发源的设计

根据100 kV Mini-Marx脉冲发生器对触发源的技术要求,设计了一种基于VE4141型氢闸流管气体开关器件的高压脉冲触发源。该触发源系统输出高压脉冲幅度达到0~30 kV、脉冲前沿小于15 ns、脉冲宽度大于500 ns,不仅可以接收光、电和手动信号触发,而且还可以通过接口来控制调整100 kV Mini-Marx发生器的充电电压以及电压显示。采用固态IGBT半导体开关器件产生预触发和主触发脉冲,控制气体开关氢闸流管VE4141瞬间导通放电输出高压脉冲信号,触发后级Mini-Marx脉冲发生器产生不小于100 kV的高压脉冲。     

Tb doping induced enhancement of anomalous Hall effect in NiFe films

Tbx(Ni0.8Fe0.2)1-x films with x≤0.14 are fabricated and the anomalous Hall effect is studied.The intrinsic anomalous Hall conductivity and the extrinsic one from the impurity and phonon induced scattering both increase with increasing x.The enhancement of the intrinsic anomalous Hall conductivity is ascribed to both the weak spin–orbit coupling enhancement and the Fermi level shift.The enhancement of the extrinsic term comes from the changes of both Fermi level and impurity distribution.In contrast,the in-plane and the out-of-plane uniaxial anisotropies in the Tb Ni Fe films change little with x.The enhancement of the Hall angle by Tb doping is helpful for practical applications of the Hall devices.     

一类(0,1)-矩阵的最大积和式的积分表达式

给出了线和n-2的n阶（0，1）－矩阵的最大积和式的积分表达式，并证明了该积分表达式与[1]得到的组合表达式等价。     

Some New Results on Circulant Weighing Matrices

We obtain a few structural theorems for circulant weighing matrices whose weight is the square of a prime number. Our results provide new schemes to search for these objects. We also establish the existence status of several previously open cases of circulant weighing matrices. More specifically we show their nonexistence for the parameter pairs (n, k) (here n is the order of the matrix and k its weight) = (147, 49), (125, 25), (200, 25), (55, 25), (95, 25), (133, 49), (195, 25), (11 w, 121) for w < 62.     

Al_2S_n~±(n=2—10)团簇结构特征和稳定性的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论的B3LYP方法,在6-311G**水平上对Al2S±n(n=2—10)团簇的几何结构和电子结构进行了理论计算.讨论了铝硫二元离子混合团簇基态结构的变化规律、电荷转移和成键特征.结果表明,在S簇中掺杂Al原子会使Sn结构发生明显改变.Al2S±n团簇基态结构是以Al2S2四元环为骨架或桥梁,分别与S原子或S簇相结合形成单环到三环的平面和立体结构.结构中化学键键型和成键数目影响团簇的稳定性.通过对基态结构的解离能和能量二次差分值的分析得到了Al2S±n团簇的稳定性信息.     

基于Mueller矩阵椭偏仪的纳米压印模板与光刻胶光栅结构准确测量

在纳米压印工艺中,对模板和压印结构的几何参数进行快速、低成本、非破坏性地准确测量具有非常重要的意义.与传统光谱椭偏仪只能改变波长和入射角2个测量条件并且在每一组测量条件下只能获得振幅比和相位差2个测量参数相比,Mueller矩阵椭偏仪可以改变波长、入射角和方位角3个测量条件,而且在每一组测量条件下都可以获得一个4×4阶Mueller矩阵共16个参数,因此可以获得更为丰富的测量信息.通过选择合适的测量条件配置,充分利用Mueller矩阵中的测量信息,有望实现更为准确的纳米结构测量.基于此,本文利用自主研制的Mueller矩阵椭偏仪对硅基光栅模板和纳米压印光刻胶光栅结构进行了测量.实验结果表明,通过对Mueller矩阵椭偏仪进行测量条件优化配置,并且在光学特性建模时考虑测量过程中出现的退偏效应,可以实现压印工艺中纳米结构线宽、线高、侧壁角以及残胶厚度等几何参数更为准确的测量,同时对于纳米压印光刻胶光栅结构还可以直接得到光斑照射区域内残胶厚度的不均匀性参数.     

多变量双曲方程组初值问题一类变系数差分格式的稳定性

熟知,P.D.Lax和H.O.Kreiss)对一类对称双曲方程组的“耗散型”差分格式的稳定性得到了比较完善的结果。但由于条件稍严,实际应用受到限制。朱幼兰等对一个空间变量情形,取消对称和耗散的限制,建立了较广的一类差分格式的稳定性判别准则,并对大部分常用格式给出了与常系数情形相当的稳定性条件。本文把[3]中这一主要结果推广     

K_(0.8)Fe_2Se_2晶体c轴向载流子输运特性的研究

成功制备了超导临界温度为27 K的K0.8Fe2Se2晶体,并详细研究了晶体c轴向的载流子输运特性.结合X射线衍射、光学显微镜下的形貌、变温电阻率的测试结果表明,样品存在有"相分离",但是这类层状铁基超导体材料的两个相不是简单沿c轴向层状交替排布的,而应该是沿着c轴向存在弱联系的金属相链接通路,金属相部分形成近3维的空间网状链接模式.热导率测试和复阻抗谱z(ω,T0)的研究表明超导晶体沿着c轴方向存在有大量的相界面,所束缚的极化电荷致使相对介电常数达到106数量级,相应地在10 MHz附近出现负的相位特征.     

粗化过程中颗粒界面形状演化的三维多相场法研究

利用多相场模型对液-固两相体系中固相颗粒的粗化过程进行了三维模拟,对粗化过程中的界面形状分布进行了统计分析,研究了不同固相体积分数下颗粒连接状态对界面形状演化及粗化速率的影响.模拟结果表明:当颗粒间存在大量连接时,粗化速率随固相分数的变化速率比颗粒无连接时变缓,且随着粗化进行,高曲率的双曲形界面所占比例不断降低,低曲率的椭球形界面所占比例逐渐增多;无论固相颗粒间是否发生连接,界面形状演化经历一定阶段后,三维界面形状分布均呈现自相似性,但随着固相体积分数的增加,界面形状分布呈现自相似性所需的时间延长.     

基于点光源的迈克耳孙干涉实验条纹的机理分析

一般国内的大学物理和大学物理实验教材都只介绍干涉圆条纹和直线干涉条纹,用迈克耳孙干涉仪可以调制出椭圆和双曲线干涉条纹;但对条纹形成的理论推导很少涉及．本文根据点光源双光束干涉理论,分析基于点光源照明的迈克耳孙干涉实验中所产生的各种可能的干涉条纹：双曲线形干涉条纹、圆形干涉纹、椭圆形干涉纹及直线形干涉纹的形成条件．本文也对等倾干涉条纹、等厚干涉条纹与既非等倾也非等厚干涉条纹的机理进行分析和比较．通过对每一种干涉图样的解析分析和比较,旨在对迈克耳孙干涉实验有更全面和更深刻的了解．