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122.
We investigate the application of the fictitious region method to fourth-order quasilinear elliptical equations with Dirichlet and Neumann conditions. Convergence bounds are established for two versions of the fictitious region method.Translated from Vychislitel'naya i Prikladnaya Matematika, No. 56, pp. 21–29, 1985  相似文献   
123.
We consider the possibility of finding experimental evidence of the fifth force with the measurement of a phase shift of neutron beams via an interferometric apparatus and also a possible rotation of the polarization plane of polarized neutron beams when torsion is introduced in a gravitational field.  相似文献   
124.
With the help of the apparatus of tensors with values in the Atiyah-Kähler algebra (the apparatus of lambda tensors), a new representation for the relativistic equation of field theory is proposed. The circle of questions under consideration is standard for investigations concerning the theory of the Dirac equation (in this paper, we treat no problems dealing with second quantization).  相似文献   
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Bismuth, antimony and its alloys are the typical representatives of a class of semimetals, which electric conductance is lower in 102-103 times, than of usual well conducting an electrical current metals. The alloys bismuth with antimony have semi-conductor properties in wide area of compositions at temperatures below 77 °K. The semimetals are rather perspective materials from the point of view of their probable application in various devices [1,2,3].In present time the semimetal alloys BiSb have wide application in thermoelectric generators and refrigerators. In work [3] the opportunity of use of semimetals BiSb with percentage content of Bi and Sb from 8 % up to 25 % was shown as high-sensitivity and of small inertion indicators of the mm range radiation where thermoelectric effect is used. The principle of action of such indicators is based on occurrence of temperature gradient in a semimetal crystal BiSb that has two contacts of the various area with flowing electrical current. Basic element of such device is the dot contact metal - semimetal. One of the main characteristics is volt-watt sensitivity of metal-semimetal BiSb contact which calculating is shown in present work.  相似文献   
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