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101.
We demonstrate the existence of homogeneity properties of the singular part of the free energy at the tricritical point of a soluble magneto-elastic model. The free energy is only homogeneous when viewed as a function of the appropriate curvilinear coordinates in the space of independent thermodynamic variables. It is not homogeneous as a function of the linear coordinates of either Griffiths of Riedel. The implications of this result for the general scaling theory of tricritical points are discussed.  相似文献   
102.
The reaction of sodium phenylethynyltellurolate with ethereal hydrogen chloride afforded, in addition to trans-2,4-dibenzylidene-1,3-di telluretane, a product shown to be the title compound by an X-ray crystallographic analysis.  相似文献   
103.
Generating Infinite Symmetric Groups   总被引:3,自引:0,他引:3  
Let S = Sym(  相似文献   
104.
105.
A congruence relation θ on an algebra A is fully invariant if every endomorphism of A preserves θ. A congruence θ is verbal if there exists a variety ${\mathcal{V}}$ such that θ is the least congruence of A such that ${{\bf A}/\theta \in \mathcal{V}}$ . Every verbal congruence relation is known to be fully invariant. This paper investigates fully invariant congruence relations that are verbal, algebras whose fully invariant congruences are verbal, and varieties for which every fully invariant congruence in every algebra in the variety is verbal.  相似文献   
106.
We report on a strong delay in light propagation through bulk GaN, detected by time-of-flight spectroscopy. The delay increases resonantly as the photon energy approaches the energy of a neutral-donor bound exciton (BX), resulting in a velocity of light as low as 2100 km/s. In the close vicinity of the BX resonance, the transmitted light contains both ballistic and diffusive components. This phenomenon is quantitatively explained in terms of optical dispersion in a medium where resonant light scattering by the BX resonance takes place in addition to the polariton propagation.  相似文献   
107.
Freestanding GaN layers of various thicknesses grown by HVPE have been studied by time-resolved spectroscopy combined with structural and electrical measurements. We have observed an increase of the PL lifetime with increasing layer thickness; however, a saturation of the recombination times has been detected for the GaN layers thicker than 400 μm. We explain the observed thickness-dependent behavior of the decay times by competition of two nonradiative mechanisms; namely, for layers with thickness less than 400 μm the main nonradiative channel is related to the structural defects, while in thicker layers the recombination decay time is limited by impurities and/or vacancies.  相似文献   
108.
109.
110.
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