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951.
Enhancement of ultrasonically initiated emulsion polymerization rate using aliphatic alcohols as hydroxyl radical scavengers 总被引:1,自引:0,他引:1
Ultrasonically initiated emulsion polymerization of styrene was carried out in the presence of aliphatic alcohols, e.g. methanol, ethanol, n-pronanol and n-butanol, as volatile hydroxyl radical scavengers. With the addition of methanol, the polymerization rate of styrene increased, while the molecular weight and the average particle size of the produced polystyrene decreased because more radicals were produced in the presence of methanol. This is true also for the other polymerization system using other aliphatic alcohols, such as ethanol, n-pronanol and n-butanol, suggesting that the alcohols enter into cavitation bubbles and further react with hydroxyl radicals (*OH) from the sonolysis of water to produce hydroxyalkyl radicals, so as to reduce the recombination of *H and *OH radicals, therefore more radicals will be present in the systems for initiating polymerization. Obviously, it is an effective way to enhance ultrasonically initiated emulsion polymerization rate of styrene by adding volatile hydroxyl radical scavenger. 相似文献
952.
Plasma doping is the candidate for semiconductor doping. Accurate simulation of the doping technology is needed for the advanced integrated circuit manufacturing. In this paper, the plasma doping process simulation is performed by using the localized molecular dynamics method. Models that involve the statistics of the implanted compositions, angles and energies are developed. The effect of the model on simulation results is studied. The simulation results about the doping concentration profile are supported by experimental data. 相似文献
953.
以三羟甲基丙烷(TMP)为内核,二羟甲基丙酸(DMP)为支化单元用准一步法合成了重均分子量为12100的第四代端羟基脂肪族超支化聚酯(HBPE-G4),用3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷(TPIC)对它进行了端基改性,并以其为桥联剂,与聚倍半硅氧烷(PMSQ)复合制备出超支化高分子桥联聚倍半硅氧烷复合物.利用固体核磁共振(NMR),傅立叶红外(FI-IR),分子纳米粒度分析等方法表征了改性超支化高分子和复合物的结构和反应程度,并通过测量13C T1,1H T2,1H T1ρ研究了体系中各组分的运动性能,以及超支化高分子与聚倍半硅氧烷之间的相容性. 相似文献
954.
剪切光束成像(sheared-beam imaging,SBI)技术是一种利用三束剪切相干激光照明的非传统成像技术,该技术通过探测器阵列接收目标反射回波的散斑图进行计算成像,在对远距离暗弱目标高分辨率成像方面有着独特的优势.大气湍流引起的光束波前畸变是影响SBI成像质量的一个关键因素,因此本文从湍流引起的激光波前畸变对目标频谱信息提取的影响入手,建立了光束波前畸变对成像影响的理论模型.利用多层相位屏模型模拟了近地25 km大气对SBI光束传输的影响.通过计算机仿真,得到了不同激光发射孔径和不同成像距离时SBI的成像结果.仿真结果表明,选取合适的发射孔径尺寸可以有效缓解湍流对光束波前质量的影响,从而提升成像质量.在Hutchin的研究基础上,对孔径选择范围的已有研究成果进行了扩展与深化.给出了SBI系统发射孔径尺寸选取的建议,为SBI对不同高度目标成像的像质差异分析提供了参考. 相似文献
955.
REBa2Cu3O7-x (RE:钇、钆等稀土元素,REBCO)高温超导体因其具备较高的不可逆场和上临界场等优越性能,一经发现就备受关注。但由于材料本身固有的陶瓷性及弱连接等属性,导致其实际应用起来难度较大。目前,人们已经发展了诸多制备工艺来克服这些困难,实现了REBCO超导体的实际应用。按照前驱膜沉积方法可将REBCO超导薄膜的制备分为物理法和化学法。本文综述了物理气相沉积(PVD-Physical Vapor Deposition)法中多源共蒸发法制备REBCO超导薄膜的技术起源及演变历程,并与金属有机沉积、金属有机化学气相沉积、脉冲激光沉积等不同方法生产的REBCO超导带材进行对比,突出多源共蒸发法制备的REBCO薄膜性能优异、在商业化生产效率上具有更大的优势。最后对多源共蒸发法制备REBCO超导薄膜进行总结及展望,解决多源共蒸发沉积制备REBCO薄膜的成相机理、提高薄膜的钉扎中心等问题对未来第二代高温超导带材的大规模应用具有重要意义。 相似文献
956.
CHENG Si-yang MA Jian-zhong ZHOU Huai-gang JIN Jun-li LIU Yan DONG Fan ZHOU Li-yan YAN Peng 《光谱学与光谱分析》2018,38(11):3470-3475
为了探究京津冀本底浓度地区NO2这一重要空气污染物的变化特征,采用多轴差分吸收光谱技术(MAX-DOAS)在上甸子区域大气本底站开展了太阳散射光谱观测以及NO2柱浓度反演研究。在NO2的405~430nm特征谱段进行了定量光谱解析,并通过几何近似法计算了2009年7~9月NO2对流层垂直柱浓度(VCDtrop)。观测期间NO2 VCDtrop平均值和最大值分别为5.43×1015和7.15×1016 molec·cm-2。NO2 VCDtrop日均值浓度水平较低,但总体上有上升趋势。NO2 VCDtrop变化过程与风速风向关系密切:西南风时风速越小NO2 VCDtrop越低,东北风对NO2 VCDtrop有扩散稀释作用。NO2 VCDtrop日变化形态总体上呈现为中午时段低、早晚较高的特征,并且傍晚峰值比早间峰值略高。上甸子站NO2 VCDtrop浓度水平和日变化幅度相比北京城区同期观测结果明显偏小。NO2 VCDtrop变化特征与河北香河和固城等污染相对较轻站点观测到的变化特征相一致。总之,MAX-DOAS能够有效监测区域本底大气的NO2 VCDtrop,其变化特征与工业和交通排放、大气光化学过程、大气传输等复杂因素有关,还需积累更多数据和深入研究。 相似文献
957.
实验研究了装有Pt覆盖的多孔陶瓷的Swiss-Roll燃烧器的燃烧特性,分别得到了3种不同长度的催化剂基底的熄火极限,并测量3种情况下催化剂壁面及催化剂后部空间的温度。实验结果表明,3种情况中,催化剂基底长4.5mm的燃烧器可燃范围最大,所以此长度较适合此Swiss-Roll燃烧器。从温度数据可以看出来,催化剂后部空间存在反应,且受上游催化剂表面反应强度的影响。 相似文献
958.
本文采用离子束溅射Bi/Te和Sb/Te二元复合靶,直接制备n型Bi2Te3热电薄膜和p型Sb2Te3热电薄膜.在退火时间同为1 h的条件下,对所制备的Bi2Te3薄膜和Sb2Te3薄膜进行不同温度的退火处理,并对其热电性能进行表征.结果表明,在退火温度为150 ℃时,制备的n型Bi2Te3关键词:
薄膜温差电池
2Te3薄膜')" href="#">Sb2Te3薄膜
2Te3薄膜')" href="#">Bi2Te3薄膜
离子束溅射 相似文献
959.
Performance of dye-sensitized solar cells (DSSCs) based on TiO2 nanotubes (NTs) filled with TiO2 nanoparticles (NPs) was studied as a function of NT height (h). The NT height was varied in the range of 1.5–7.0 μm, while the NT diameter was kept constant at ~80 nm. The studies showed
that DSSC efficiency, current density, and fill factor linearly increased with h and ranged in 1.76–6.5%, 3.62–13.2 mA/cm2, and 0.66–0.76, respectively, within the h range studied. The electrochemical impedance spectroscopy was also performed to study DSSC electron transport properties.
Based on both photovoltaic and electrochemical impedance spectroscopy data, the results were explained as being due to the
increased dye loading that led to higher light-harvesting efficiency. 相似文献
960.
Dong Ho Kim Su Jin Kim Seung Hwan Kim Tak Jeong Sung Min Hwang Tae Geun Kim 《固体物理学:研究快报》2011,5(8):274-276
The authors report upon the increased light‐output power (Pout) via a reduction in the forward voltage (Vf) for nonpolar a ‐plane GaN LEDs using Ni/Al/Ni/Au n‐type ohmic contacts. The specific contact resistivity of the Ni/Al/Ni/Au contact is found to be as low as 5.6 × 10–5 whereas that of a typical Ti/Al/Ni/Au contact is 6.8 × 10–4 Ω cm2, after annealing at 700 °C. The X‐ray photoelectron spectroscopy results show that the upward surface band bending is less pronounced for the Ni/Al contact compared to the Ti/Al contact, leading to a decrease in the effective Schottky barrier height (SBH). The Vf of the nonpolar LEDs decreases by 10% and Pout increases by 15% when the Ni/Al/Ni/Au scheme is used instead of the typical Ti/Al/Ni/Au metal scheme. (© 2011 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) 相似文献