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31.
描述了一种延长EPR波谱仪中速调管使用寿命的方法.根据这种方法,只要正确地调谐微波桥的工作状态和适当地调整功率电平器的功率校正电平.即使对于已经严重老化的速调管仍然可以继续使用一段时间,维持仪器的正常运行. 相似文献
32.
33.
Bai-suo JIN~ 《中国科学A辑(英文版)》2007,50(9):1303-1315
In the factor analysis model with large cross-section and time-series dimensions,we pro- pose a new method to estimate the number of factors.Specially if the idiosyncratic terms satisfy a linear time series model,the estimators of the parameters can be obtained in the time series model. The theoretical properties of the estimators are also explored.A simulation study and an empirical analysis are conducted. 相似文献
34.
Nanocrystalline FeS2 cathode material of lithium cell was synthesized from cheap materials of FeSO4, Na2S2O3, and sulfur by a hydrothermal process. The scanning electron microscopy analysis showed the obtained material was nano-sized,
about 500 nm. The X-ray powder diffraction analysis showed that the synthetic FeS2 material had two phases of the crystalline structure, pyrite and marcasite. The phase of marcasite seems to have no negative
effect on the electrochemical performance of the material. The synthetic FeS2 showed a significant improvement of electrochemical performance for Li/FeS2 cells. 相似文献
35.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献
36.
通过X射线衍射及磁测量手段研究了Dy2AlFe16-xMnx化合物的结构和磁性.研究结果表明Dy2AlFe16-xMnx化合物具有六角相的Th2Ni17型结构.对x=1,2的样品采用X射线热膨胀测定法在104-647K的温度范围内测量了其热膨胀性质,发现这些化合物在低温下存在热膨胀反常现象,在居里点附近出现负膨胀性质.对自发磁致伸缩的研究结果表明Dy2AlFe16-xMnx化合物中存在着较强的各向异性的自发磁致伸缩,随着Mn含量的增加,其低温下的自发体磁致伸缩减弱.磁测量结果表明Mn的替代导致Dy2AlFe16-xMnx化合物的居里温度及自发磁化强度急剧下降. 相似文献
37.
38.
聚异丁烯高活性端基含量及相对分子质量测定方法的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
综合使用核磁,VPO和近红外光谱分析技术对聚异丁烯活性端基含量以及相对分子质量的测定进行了详细研究,分别建立核测定聚异丁烯活性端基含量以及其他烯键含量和近红外光谱快速测量聚异聚丁烯活性端基含量。其他烯键含量和相对分子质量的分析方法。成对t检验结果表明,近红外光谱分析方法测定结果与核磁和VPO方法测定结果之间无显著性差异。 相似文献
39.
用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量
关键词:
薄氧
可靠性
击穿电压
击穿电量 相似文献
40.
利用不同能量的质子在大气环境中辐照拟南芥的含水种子,能量从1.1MeV到6.5MeV.根据模拟计算结果,相应能量的离子对种子的损伤区域分别为胚的浅层、胚的一半和整个胚.本实验中,具有较高能量的质子可以完全均匀地作用于拟南芥生长、发育及遗传密切相关的胚茎端分生组织,而能量较低的质子则不能直接作用于茎端分生组织.实验所用质子注量范围为4×109ions/cm2—1×1014ions/cm2.实验结果显示,虽然拟南芥种子的发芽率和幼苗存活率随离子注量增加都呈现下降的趋势,但对应于不同的胚损伤区域,即在不同的入射质子能量条件下,注量曲线具有各自的特征.实验结果显示,拟南芥种子中除了胚茎端分生组织作为对离子辐照敏感的辐射主靶外,茎端分生组织之外的胚区域可能作为离子辐射次靶,影响到最终的辐射生物学效应.
关键词:
离子辐照
拟南芥
胚区域
生物效应 相似文献