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基于半像素错位的多幅图像重建高分辨率图像技术研究 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了一种基于半像素错位的多幅图像重建高分辨率图像技术。分析了半像素错位的多幅图像与高分辨率图像各像素灰度值的对应关系 ,并从CCD数字化采样的角度进行了论证。同时 ,结合实际摄像机CCD结构 ,求出了高分辨率图像重建的计算公式 ,并通过实验进行了验证和完善。重建的本质是以原高分辨率图像的 4邻域平均图像为基础 ,增加一定比例的边缘细节信息 ,去接近原高分辨率图像。CCD的动态范围越大 ,图像的灰度级越多 ,那么计算误差就越小 ,图像的边缘细节信息就可以利用更多 ,重建的图像就越接近原高分辨率图像。通过实验和分析表明 ,利用半像素错位的多幅低分辨率图像重建高分辨率图像的原理是正确的 ,方案是可行的 相似文献
206.
本文以自然的方式定义了从Z-空间X到Z-空间Y的有界线性算子的和以及它们的数乘.从而得到了与赋范空间的对偶空间理论类似的一系列结论. 相似文献
207.
采用紫外线、同平板梯度浓度亚硝基肌,纯铜蒸气激光诱变去甲基金霉素生产菌金霉素链霉菌的原生质体,结果表明原生质体对各种诱变剂的敏感性较高.正变幅度较大.原生质体经紫外线、同平板梯度浓度亚硝墓肌复合诱变后,筛选到一菌株,重新制备原生体,经激光诱变,选育出高产菌株S. A. HU02,去甲基金霉素效价从2831u/ml提高到4337u/ml,提高了53. 2,经多次传代产量性状非常稳定. 相似文献
208.
The He1 photoelectron (PE) spectra of both 2(5H) furanone and itstrans-chair-dimeric-compound (t-c-DFN) are reported. The assignment of the PES bands is made on the basis of band shapes, the PES results of the molecules
which have the similar atomic groups, and the restricted Hartree-Fock (RHF) calculations for the molecules studied. From the
results of both PES experimental and theoretical calculations, it is proved that the ionization potential (IPS) of the HOMO
for the dimeric-compound is lower than that of the HOMO for the monomer. And the total energy computed for thet-c-DFN is the lowest in the four possible configurations of dimeric-compounds of 2(5H) furanone. Therefore the synthesis oft-c-DFN is also the easiest.
Project supported by the National Natural Science Foundation of China. 相似文献
209.
本文给出了单目标多约束下串、并联混合系统中 ,由选取重要单元 (重要度最大的单元 )的方法 ,来提高系统可靠度的有效优化判定模型及算法 ,用同样思想给出了串、并联系统中冗余度的优化判定模型及算法 相似文献
210.
Effects of Processing Parameters on Microstructure and Properties of Nanoscale ZrC/ZrB2 Multilayered Coatings 下载免费PDF全文
ZrC/ZrB2 multilayered coatings with bilayer periods of 3.5-40nm are synthesized by rf magnetron sputtering. Analyses of x-ray diffraction, scanning electron microscopy and nanoindentation indicate that multilayered coatings possess much higher hardness and greater fracture resistance than monolithic ZrC and ZrB2 coatings. A maximum hardness (41.TCPa) and a critical fracture load (73.7mN) are observed in the multilayer with A = 32 nm deposited at the substrate bias -40 V. Higher residual stress built in the ZrC layer can be released by periodic insertion of ZrB2 into the ZrC layer. A clear multilayered structure with mixed ZrB2(001), ZrB2 (002) and ZrC (111) orientations should be responsible for the enhanced mechanical properties. 相似文献