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21.
采用水热法制备了NaGd(WO4)2(NGW)∶Yb^3+,Ho^3+,Cr^3+微米晶。研究了Cr^3+离子掺杂浓度对样品的晶体结构、微观形貌、上转换发光及温度传感特性的影响。在980 nm激光激发下,所有样品均发射以546 nm为中心的较弱绿光和以660 nm为中心的强红光,分别对应于Ho^3+离子的5F4,5S2→5I8和5F5→5I8能级跃迁。随Cr^3+离子掺杂量增加,绿光发射峰强度逐渐减弱,而红光发射先增大后减小,在10%时达到最大,样品色坐标逐渐向红色区域偏移。样品的变温光谱表明,NGW∶Yb^3+,Ho^3+,10%Cr^3+微米晶具有很好的温度特性,其测温灵敏度在486 K时达到最大,约为0.0337 K^-1,比NGW∶Yb^3+,Ho^3+的灵敏度提高近1倍。 相似文献
22.
23.
X射线医学成像能观察到患者体内病变组织,对医学诊断有重要参考价值。针对传统医学X射线图像噪声强、层次感差和器官组织重叠的问题,提出利用多能谱X射线成像结合独立成分分析(independent component analysis, ICA)进行图像去噪和目标提取。首先ICA结合稀疏编码收缩法对图像降噪预处理以保证目标提取精度;然后根据图像中各目标组成特性,分离图像中每个像素对应的目标厚度矩阵;最后ICA以盲分离理论获得收敛矩阵重建出目标对象。在ICA算法中,借助于主观评价标准,发现当收敛次数大于40时目标分离成功;当幅值尺度在[25, 45]区间内,目标图像对比度高且失真较小。同时,通过观测实验得到的三维峰值信噪比图表明:ICA算法中收敛次数和幅值对图像质量有较大影响,当重建图像的对比度和边缘信息均达到较好效果时,收敛次数与幅值为85和35。 相似文献
24.
太赫兹聚合物光子晶体光纤关键制备工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对太赫兹聚合物光子晶体光纤的应用需求,对聚合物光纤的制备材料、预制棒制备、拉伸工艺等关键制备工艺进行了研究.分析了聚合物材料的特性,并进行实验验证,结果表明ZEONEX材料的吸收系数低于3cm~(-1),吸水性低于0.01%,玻璃化转变温度和分解温度分别高达136℃和420℃,在太赫兹光纤制备中具有优良性能.预制棒制备和光纤拉伸的工艺方面,在注塑法的基础上改进了模具系统,使用可控的微压拉丝技术,在10200Pa范围内可实现±1.5Pa的微压差精确控制,较大程度上提高了光纤预制棒的成品率和光纤的形变控制,有望制备出高空气填充率的聚合物光子晶体光纤. 相似文献
25.
太赫兹波段占有宇宙微波背景(CMB)辐射以后宇宙空间近一半的光子能量,该波段在天文学研究中具有不可替代的作用,因此太赫兹天文学的研究,具有极其重要的科学意义。本文系统介绍了基于超高灵敏度太赫兹超导探测技术的太赫兹相干探测器发展状况,包括超导隧道结混频器(SIS)和超导热电子混频器(HEB),以及以超导动态电感探测器(MKIDs)和超导相变边缘探测器(TES)为代表的非相干探测器的研究。在此基础上,展望了该领域未来发展趋势,对我国太赫兹天文探测技术的发展具有一定的参考意义。 相似文献
26.
27.
28.
生长温度对In0.53Ga0.47As/InP的LPMOCVD生长影响 总被引:3,自引:0,他引:3
利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料,获得表面平整.光亮的In0.53Ga0.47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高,为了保证铟在固相中组分不变,必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时,外延层表面粗糙。生长温度在630℃与650℃之间,X射线双晶衍射曲线半高宽最窄,高于或低于这个温度区间,半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加,在630℃为最大值,然后随着生长湿度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大,在生长温度大于630℃时载流子浓度变化较小。 相似文献
29.
Jie Yang Toshihide Oka Zheng Li HuaiXin Yang JianQi Li GenFu Chen Guo-Qing Zheng 《中国科学:物理学 力学 天文学(英文版)》2018,(11)
We report~(75) As nuclear magnetic resonance(NMR)/nuclear quadrupole resonance(NQR) and transmission electron microscopy(TEM) studies on LaFeAsO_(1-x)F_x. There are two superconducting domes in this material. The first one appears at 0.03 ≤ x ≤0.2 with T_c~(max) = 27 K, and the second one at 0.25 ≤x≤0.75 with T_c~(max) = 30 K. By NMR and TEM, we demonstrate that a C4-to-C2 structural phase transition(SPT) takes place above both domes, with the transition temperature T_s varying strongly with x. In the first dome, the SPT is followed by an antiferromagnetic(AF) transition, but neither AF order nor low-energy spin fluctuations are found in the second dome. By ~(75) As nuclear spin-lattice relaxation rate(1/T_1) measurements, we find that AF order and superconductivity coexist microscopically in LaFeAsO_(0.97) F_(0.03). In the coexisting region, 1/T_1 decreases at T_c but becomes proportional to T below 0.6 T_c, indicating gapless excitations. Therefore, in contrast to the early reports, the obtained phase diagram for x ≤ 0.2 is quite similar to the doped BaFe_2As_2 system. The electrical resistivity p in the second dome can be fitted by ρ = ρ0 + AT~n with n = 1 and a maximal coefficient A at around xopt = 0.5-0.55 at which T_s extrapolates to zero and Tc is the maximal, which suggests the importance of quantum critical fluctuations associated with the SPT. We have constructed a complete phase diagram of LaFeAsO_(1-x)F_x, which provides insight into the relationship between SPT, antiferromagnetism and superconductivity. 相似文献
30.
本文通过求解非波恩-奥本海默近似条件下的一维含时薛定谔方程来研究脉冲强度对H2+分子高次谐波的影响.由于干涉相消,在啁啾激光场的条件下在谐波谱中出现了干涉最小值.我们用全量子方法计算的时频分布图分析了分子高次谐波产生中的微观机制.此外,数值计算结果显示随着脉冲强度的增加电子的有质动力势随之增加,同时干涉最小值的位置移向谐波的高阶部分. 相似文献