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572.
573.
采用低温燃烧合成(LCS)法制备了存储型上转换发光材料CaS∶Eu,Sm,并对其上转换发光机理进行了研究。研究表明:样品的激发光谱位于200~600nm之间,紫外或可见光均可有效地激发该材料来完成充能过程,且可见光激发占优势;样品的红外响应光谱范围为800~1600nm,由辅助激活离子Sm所形成的劈裂的深陷阱能级是该材料具有宽频谱红外转换特性的根本原因;样品的热释光谱高温峰值位于351.02℃,计算得到的陷阱能级深度为0.82eV,深度适中,利于激发能的储存和上转换发光的产生。 相似文献
574.
采用非相干泵浦、受激辐射和纯退相干的量子主方程研究了量子点腔耦合系统,得出腔与量子点发射光谱解析解.理论分析显示,在非谐振耦合系统中纯退相干能使腔发射谱产生明显的移位效应,从而可以解释“非谐振耦合腔有效发射”效应.为了进一步研究纯退相干在量子点腔耦合系统上的应用,引入了系统有效耦合率和单光子源效率,并通过比较有效耦合率与腔耗散定义出好腔与坏腔机制.选取两组依据实验数据作为参量,在共振与失谐时研究了纯退相干对系统有效耦合率和单光子源效率的影响.结果表明:纯退相干可提高失谐系统有效耦合率与单光子源效率,从而可能使坏腔转变为好腔|两组参量中有较大耦合效率一组在一定范围内满足好腔机制,其单光子源效率明显优于另一组.在非谐振耦合系统比较了好腔机制与坏腔机制的激光,好腔机制是实现单量子点激光的必要条件|由于非谐振耦合系统Fano因子无最大值出现,从而该系统可能无激光阈值. 相似文献
575.
Let G be a π-separable group for a set of primes, let N be a normal subgroup of G, and let θ be an Iπ-character (i.e., irreducible π-partial character) of N. We obtain a necessary and sufficient condition for the number of Iπ-characters of G over θ to take the possible maximum
. Some applications are given. 相似文献
π|G:N|
576.
This article deals with the global existence and blow-up of positive solution of a nonlinear diffusion equation with nonlocal source and nonlocal nonlinear boundary condition. We investigate the influence of the reaction terms, the weight functions and the nonlinear terms in the boundary conditions on global existence and blow up for this equation. Moreover, we establish blow-up rate estimates under some appropriate hypotheses. 相似文献
577.
578.
579.
580.
针对目前TD-LTE产业的迅速发展,市场需求日益增大,对所用的10Gbps SFP+光收发合一模块在技术和成本上也提出了更高的要求。介绍了一款应用于10Gbps TD-LTE的光接收器件的设计,并对封装后的器件进行了测试及分析。该接收器件整体光电性能良好,同时具备低成本和低功耗的优势。 相似文献