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81.
本文在文[4]的基础上讨论了双重时序AR(1)-MA(q)模型的相关结构,在不假定白噪声序列为正态的情况下,证明了安鸿志[2]关于模型的相关结构的猜想是正确的,具体地构造了AR(1)-MA(3)模型的相关结构,并与ARMA模型进行了初步的比较,给出了一些抛砖引玉的讨论. 相似文献
82.
本文研究了鸟瞟呤(Gua)和次黄嘌呤(Hxa)铜络合物在悬汞电极(HMDE)上的吸附作用和电极反应机理,溶液中形成的1:1络合物有强烈吸附性,通过分子结构的比较,推断出Cu~(2+)与Gua和Hxa的咪唑环N(7)和外环氧O(6)原子结合形成封闭的五元环。嘌呤环的π-电子有使分子呈平面吸附的趋势,但是Gua络合物分子优先取“倾斜”定向;随着表面吸附浓度增加,Hxa络合物分子存在从“平面”向“垂直”的再定向作用。本文测定了单层吸附浓度、包含的电量和每个分子占据的面积。络合物吸附得到S形等温线,它与Frumkin吸附等温线接近。本文还列出有关吸附参数B、a、△G_A~O和θ~*的计算结果。 相似文献
83.
该文用顺磁离子对其近邻~(13)C核的NMR吸收增宽效应,系统地研究了抗坏血酸在不同溶剂中对金属离子Mn~(2+)、Gd~(3+)的配合行为.在水溶液中,抗坏血酸可通过两种配合方式与Mn~(2+)作用,但与Gd~(3+)的作用只有一种稳定的结构.在水中抗坏血酸对金属的配位活性部位分别是1位羟基氧,3位离解的羟基氧和6位羟基氧.在DMSO中,3位羟基由于H~+对该基团的静电遮蔽而变得对金属离子Mn~(2+)表现为配位惰性,同时6位羟基配位活性较大增强.对Gd~(3+)来说,此时没有优势配位活性部位存在.文章还讨论了抗坏血酸在H_2O-DMSO混合溶剂中的~(13)C NMR谱及在DMSO中NaOH对其~(13)C NMR谱及其与金属络合结构的影响. 相似文献
84.
一类泛函微分方程周期解的存在性与应用 总被引:6,自引:1,他引:5
本文给出了一类滞后型泛函微分方程有一个周期解的四个充分性定理,其结果明显地优于著名的Yoshizawa周期解定理,最后给出了应用实例。 相似文献
85.
A novel power generator has been achieved to convert vibration to electrical energy via the piezoelectric effect. The generator obtained by micro fabrication process mainly consists of silicon based frame and composite cantilever. The prototype tested at resonant vibration generates 1.15μW of effective power to a 20.4-kΩ resistance load. The potential of this work is to offer miniaturization solutions for power generators, and with the proposed method the ambient ubiquitous vibration can be harvested effectively as endless energy source to form an integrated self-powering system. 相似文献
86.
The apparent Schottky barrier height (SBH) of the nickel silicide Schottky contacts annealed at different temperatures was investigated based on temperature dependence of I-V characteristic. Thermionic emission-diffusion (TED) theory, single Gaussian and double Gaussian models were employed to fit I-V experimental data. It is found the single Gaussian and double Gaussian SB distribution model can give a very good fit to the I-V characteristic of apparent SBH for different annealing temperatures. Also, the apparent SBH and the leakage current increase with annealing temperatures under reverse voltage. In addition, the homogeneity of interfaces for the samples annealed at temperatures of 500 and 600 °C is much better than that of the samples annealed at temperatures of 400, 700, and 800 °C. This may result from the phase transformation of nickel silicide due to the different annealing temperatures and from the low Schottky barrier (SB) patches. 相似文献
88.
89.
本文给出了超球上加权Bergman空间上Hankel算子属于Schattenp-类(2≤p<+∞)的一个充要条件,推广了文[10]中的主要结果。 相似文献