变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象，结合变温度的Hall测量，系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明，沟道中In组分为0.65的样品，材料电学性能最好，In组分高于0.65的样品，严重的晶格失配将产生位错，引起迁移率下降，大大影响材料和器件的性能. 关键词： 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡     

数学建模与素质教育

面对二十一世纪知识经济的挑战 ,我国高等教育模式应由应试教育 ,专业教育向素质教育转变 ,培养学生自主意识 ,效率意识 ,竞争意识 ,创新意识和民主意识 ,即高校教育应重视大学生的创新能力、实践能力和创业精神 ,普遍提高大学生的人文素质和科学素质 .本文拟就提高大学生素质的有效层面 ,对开展数学建模教学与实践进行深入分析 ,以窥探数学建模与素质教育之关系 .在深入把握数学建模教学与实践内涵的同时 ,分析得出这种以不打扰现行正常秩序的教育是提高大学生素质的有效途径之一     

直流电弧等离子体炬的特性研究

介绍了局部热力学平衡下描述直流电弧等离子体炬的磁流体力学模型，采用数值模拟方法研 究了等离子体炬内等离子体的传热和流动特性、湍流对等离子体炬内等离子体特性的影响， 以及等离子体炬运行参数对等离子体特性的影响.将数值模拟结果与已有的实验结果进行了 比较. 关键词： 等离子体炬 磁流体力学 数值模拟     

超短强激光脉冲在等离子体隧道中传输的理论与数值模拟研究

研究了超短强激光脉冲在非扰动抛物型部分电离的预等离子体隧道中的传输特性.从Maxwell方程出发得到了两个包含衍射、三阶强度非线性、等离子体散焦、等离子体隧道聚焦以及相对论自聚焦等效应在内的激光场演化方程，即折射率方程和哈密顿-雅可比方程.在此基础 上得到了激光在等离子体隧道中传输的包络方程以及光斑半径与传输距离、隧道宽度等初始 参量的关系. 关键词： 等离子体隧道聚焦 相对论自聚焦 势阱     

KxCoO2·yH2O(x《0.2,y≤0.8)的晶体结构、输运及磁学性质

利用熔融KOH和Co3O4在较低温度(480℃)下反应制备出K0.36CoO2,然后用高锰酸钾溶液和饱和的过硫酸钾溶液进行氧化处理.氧化的同时伴随有水分子嵌入.K0.36CoO2用高锰酸钾和过硫酸钾溶液处理后分别得到K0.12CoO2·0.8H2O和K0.16CO2·0.6H2O.这两种化合物都属于六角晶系,表现出金属行为,脱水后主相变为正交结构并且呈现出半导体特性.K0.16CoO2·0.6H2O在56K附近可能存在自旋玻璃转变行为或其他涨落.随着钾含量的减少和水含量的增多,样品的自旋玻璃行为受到抑制或发生磁性相分离.样品K0.12CoO2·0.8H2O在零场冷却和有场冷却曲线上的分叉现象基本上消失.还讨论了产生KxCoO2与NaxCoO2体系结构和物性差别的原因.     

不确定广义系统的仿射二次稳定

本文讨论了具有仿射型不确定性的广义系统稳定问题，给出了不确定广义系统的仿射二次稳定定义及仿射二次H∞性能指标定义，利用线性矩阵不等式给出了不确定广义系统的仿射二次稳定的充分条件和系统具有仿射二次H∞性能指标的充分条件。     

Accurate Gain Flattening Filters Manufactured by Optical Compensation Monitoring Method

GFFs with less than 0.4 dB peak-to-peak error functions are routinely fabricated using commercially available coating machines by utilizing the natural error compensation mechanism of wavelength variable turning point optical monitoring method.     

Dependence of high electric-field-induced strain on the composition and orientation of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 crystals

Electric-field-induced strain behavior of (1−x)Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-xPbTiO₃ (PMNT) crystals with different orientations and compositions was investigated for use as electromechanical actuators. Crystallographically, high strains with low hysteresis were achieved for 〈001〉 oriented rhombohedral crystals (29%≤x≤31%) near a morphotropic phase boundary, rather than 〈110〉 and 〈111〉. Domain instability could explain inferior strain levels and large hysteresis for 〈110〉 and 〈111〉 oriented crystals. Ultrahigh strain levels up to 1.8% could be achieved for 〈001〉 oriented PMNT crystals, being related to an E-field induced phase transition. −2 kV/cm negative E-field can be applied to PMNT ferroelectric material with low hysteresis. High strain with low hysteresis makes PMNT crystals promising candidates for high performance solid-state actuators.     

First observation of yrast band in odd-odd162Lu

High spin states of the odd-odd¹⁶²Lu nucleus have been studied via¹⁴⁷Sm(¹⁹F,4nγ)¹⁶²Lu reaction at 95 MeV beam energy. Level scheme for yrast band based onπ[h_11/2 v[i_13/2] quasiparticle configuration was established up to I ^π = (23^?) for the first time. This band shows the signature inversion in energy before backbending generally appeared in this mass region. It is stressed that the signature splitting in¹⁶²Lu is larger than that in the¹⁶⁰Tm nucleus.     

FREE BOUNDARY PROBLEM ARISING FROM EVAPORATION FROM POROUS MEDIUM

ＦＲＥＥＢＯＵＮＤＡＲＹＰＲＯＢＬＥＭＡＲＩＳＩＮＧＦＲＯＭＥＶＡＰＯＲＡＴＩＯＮＦＲＯＭＰＯＲＯＵＳＭＥＤＩＵＭＹＡＮＧＬＩＰＩＮＧ（杨力平）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓ，ＴｓｉｎｇｈｕａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｂｅ...