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991.
消荧光现象是激光与物质表面非线性相互作用的结果,这是一种普遍现象。在表面谐波产生的研究中,它常常被忽略。大量研究表明:表面谐波产生与消荧光现象,有着密切的内在联系。本文以消荧光观点详细讨论了表面谐波产生的机制,提出了表面谐波产生的消荧光模型。新机制可归纳为:(a)多光子受激吸收产生消荧光光斑,(b)激光热效应等促进自发辐射转向准受激辐射,(c)伴随荧光消失,部分产生荧光的激光能量转换为产生表面谐波 相似文献
992.
993.
KCl/mobil composition of matter-41 (MCM-41) composite has been synthesized via a heat-treating process and characterized by x-ray diffraction, high resolution transmission electron microscopy, and nitrogen adsorption/desorption isotherms. In contrast with pure MCM-41, KCl/MCM-41 composite exhibits improved humidity sensing properties within the relative humidity range of 11-95%. The impedance of KCl/MCM-41 composite changes by about four orders of magnitude over the whole humidity range with the response time and the recovery times are about 30s and 35s, respectively. Small humidity hysteresis and good stability are also observed based on our product. These results make our product a good candidate in fabricating humidity sensors with high performances and low synthetic complexity. 相似文献
994.
变光外差为电外差的双频激光探测 总被引:1,自引:0,他引:1
演示一种双频激光位移探测系统,阐述光载波激光雷达的概念。由单块非平面环形腔固体激光器和声光调制器产生100MHz载波频率的双频激光束,作为探测光束,经过光路收发系统,探测位于电动导轨上目标的位移变化,信号处理部分采用高速光电探测器响应后信号的电子外差解调方式,位移量的获得通过高频锁相放大器解算参考光束与信号光束的相位差并计算获得。通过双频激光把光学外差探测变为了电子外差探测,系统重复误差小于3%。系统在利用无线电雷达信号处理方式的同时,保留了激光探测的优点,位移测量系统具有良好的重复性。 相似文献
995.
利用abinitio方法对SiH3+O(3P)反应进行了理论研究,在MP2/6-311+G(d,p)水平上优化得到了反应途径上的反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型,并在QCISD(T)/6-311+G(d,p)水平上进行单点能计算.计算结果表明,SiH3+O(3P)→IM1→TS3→IM2→TS8→HOSi+H2为主反应通道,其他可能存在的次要产物有HSiOH+H、H2SiO+H和HSiO+H2.HOSi、HSiO和HSiOH(cis)还可能进一步解离生成SiO.另外,计算结果对SiH4+O(3P)反应机理中存在的争议给出了可能的解释,认为Withnall等人在实验中观察到的产物HSiOH、H2SiO和SiO并不是SiH4+O(3P)反应的直接产物,而是来自副反应SiH3+O(3P). 相似文献
996.
An S-box modified one-way coupled map lattice is applied as a chaotic cryptograph. The security of the system is evaluated from various attacks currently used, including those based on error function analysis, statistical property analysis, and known-plaintext and chosen-ciphertext analytical computations. It is found that none of the above attacks can be better than the brute force attack of which the cost is exhaustively quantitated by the key number in the key space. Also, the system has fairly fast encryption (decryption) speed, and has extremely long period for finite-precision computer realization of chaos. It is thus argued that this chaotic cryptosystem can be a hopeful candidate for realistic service of secure communications. 相似文献
997.
为更好地理解低气压、弱电离条件下潘宁离子源放电过程中离子和电子的动力学行为, 通过建立二维轴对称模型, 采用粒子模拟与蒙特卡罗相结合(PIC/MCC)的方法, 考虑了电子与氢气之间的弹性碰撞、激发、电离以及氢原子、离子之间的弹性碰撞和电荷交换等过程, 对微型氢气潘宁离子源放电和引出过程进行了数值研究. 考察了磁场位形、壁面二次电子发射系数、引出电压和充气压力对放电过程的影响, 得到了实验中难以诊断得到的放电腔内电子与离子数密度分布, 阳极电流、引出极离子电流、单原子氢离子比例和双原子氢离子比例等宏观参数与实验结果相一致. 通过仿真使得对氢气潘宁放电机制的研究从定性过渡到定量, 这对于潘宁离子源的设计和改进具有重要意义.
关键词:
潘宁放电
氢气
粒子模拟
蒙特卡罗 相似文献
998.
We develop a model of CA3 neurons embedded in a resistive array to mimic the effects of electric fields from a new perspective. Effects of DC and sinusoidal electric fields on firing patterns in CA3 neurons are investigated in this study. The firing patterns can be switched from no firing pattern to burst or from burst to fast periodic firing pattern with the increase of DC electric field intensity. It is also found that the firing activities are sensitive to the frequency and amplitude of the sinusoidal electric field. Different phase-locking states and chaotic firing regions are observed in the parameter space of frequency and amplitude. These findings are qualitatively in accordance with the results of relevant experimental and numerical studies. It is implied that the external or endogenous electric field can modulate the neural code in the brain. Furthermore, it is helpful to develop control strategies based on electric fields to control neural diseases such as epilepsy. 相似文献
999.
1000.
Effects of SiNx on two-dimensional electron gas and current collapse of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 下载免费PDF全文
SiN_x is commonly used as a passivation material for
AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs). In this paper,
the effects of SiN_x passivation film on both two-dimensional
electron gas characteristics and current collapse of AlGaN/GaN HEMTs
are investigated. The SiN_x films are deposited by high- and
low-frequency plasma-enhanced chemical vapour deposition, and they
display different strains on the AlGaN/GaN heterostructure, which
can explain the experiment results. 相似文献