DNA随机存储器的设计

近年来,生物大分子在模拟计算领域的研究已经取得了很大的突破,无论是理论模型的研究,还是生化实验的验证,生物分子计算机正蓬勃地展现出它的无可限量的发展前景.DNA随机存储器的研究在整个生物分子计算机研究中是一个重要分支.DNA随机存储器以环状单链DNA分子为存储介质,以4种碱基(腺嘌呤adenine、鸟嘌呤guanine、胞嘧啶cytosine和胸腺嘧啶thymine)对信息进行编码;以DNA分子与各种生化酶(Nicking核酸内切酶、核酸外切酶、聚合酶)间的生化反应来模拟数据的读取和写入.     

一类半线性抛物型方程组解的爆破速率估计

考虑一类带有齐次Dirichlet边界条件且反应项分别为指数形式和幂函数形式的半线性抛物型方程组,利用比较原理得到了方程解爆破的充分条件,由数学分析原理和最大值原理得到了爆破解的爆破速率估计.     

二元函数正定性的三种常见判别方法

研究了二元函数正定性的判别法,通过对二元函数定义和性质的讨论,得到了三个判别二元函数正定性的方法.     

关于有限p-群的正规闭包的一些条件

Berkovich 提出了研究满足下列条件的有限p-群G, 对于G的每一个非正规子群H满足(N₁)exp(H)=exp(H^G); (N₂) |H^G:H|≤ p; (N₃) H^G=HG''. 本文首先研究满足条件(N₃) 的有限p-群,然后讨论满足条件(N₁); (N₂) 和(N₃) 的有限p-群.     

模糊多属性格序决策的冗余指标的消除策略

在模糊多属性决策中,属性权重的确定对于整个评价工作有十分重要的意义.如果评价属性数量过多,指标间的相关性将影响评价的科学性和公平性.本文建立了评价值为梯形模糊数的"相似"概念和模糊相似评价模型,并基于格序决策的理论,得到了一种新的模糊格序决策方法.结合传统的TOPSIS方法,通过计算将各方案的属性值的中心进行加权后与正负理想中心的贴近度的大小,实现备选方案的格序化排序.实例分析的结果表明:方法合理、易行.     

制造网络中信息系统能力对中小企业间知识共享的影响研究

针对制造网络,从能力视角,研究信息系统集成能力、业务覆盖能力、区域连接能力、人力资源能力和信息系统支持的无形资产能力对中小企业间知识共享的影响.对河北省和天津市近10家具有"电子合作"特征的中小制造企业进行调研,收回有效问卷163份,采用SPSS12.0进行数据分析.结果显示:信息系统集成能力对企业间知识共享的影响程度最大,其次是区域连接能力,再次是人力资源能力,而无形资产能力和业务覆盖能力对企业间知识共享没有显著影响.为管理者构建面向企业间知识共享的信息系统提供参考.     

对并联可修复系统可用性相关指标的综合分析

分析了并联可修复系统的特点以及不同维修策略对系统可用性的影响,建立了并联系统工作模式和各类故障的仿真模型,编制了两单元并联系统工作和故障仿真程序;在此基础上,通过反复运行程序推测出系统修复率指标的计算公式,通过分析其物理含义,在理论上确认了其正确性;并通过理论分析和系统典型运行情况得出系统可用度模型成立的条件,通过已有的关系式推导出其它系统指标;再用同等条件的其它参数运行程序,验证了这些公式的计算结果.采用所得模型对相关问题进行了扩展分析,得出了符合实际、具有启发性的分析结论.     

AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响

利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备,在蓝宝石（0001）面上外延不同生长时间AlN隔离层的Al_xGa_1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管（HEMT）,研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延（PALE）技术生长AlN隔离层的时间为12 s（1 nm左右）时,HEMT材料的方块电阻最小,电子迁移率为1 500 cm²·V^-1·s^-1,二维电子气（2DEG）浓度为1.16×10¹³ cm^-2。AFM测试结果表明,一定厚度范围内的AlN隔离层并不会对材料的表面形貌产生重大的影响。HRXRD测试结果表明,AlGaN/AlN/GaN具有好的异质结界面。     

光谱图像技术结合SAM算法识别自然场景下的成熟柑橘

为了实现采摘机器人在复杂的自然场景下正确识别树上果实,来完成果实采摘,研究了不同环境下柑橘的识别方法.针对复杂的自然环境的影响及传统方法的局限性,在可见光和近红外区域择选5个特征波长滤波片,采集得到5幅滤波后的图像,并利用光谱角分类算法完成柑橘识别.试验结果表明,在光照角度、光照强度等不同条件下,柑橘的识别准确度达到96%.研究表明,滤波片光谱图像技术结合光谱角分类算法可以有效地识别自然场景下的成熟柑橘.     

高阻GaN的MOCVD外延生长

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜。对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析。实验结果表明,延长GaN成核层的生长时间,降低成核层生长时的反应室压力,载气由H₂换为N₂都会得到高阻的GaN缓冲层。样品的方块电阻R_s最高为2.49×10¹¹ Ω/□。以高阻GaN样品为衬底制备了AlGaN/AlN/GaN结构HEMT器件,迁移率最高达1 230 cm²/(V·s)。