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利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了界面态曲线和退火曲线。实验显示,经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,在Si-SiO2界面感生出新的界面态,感生界面态的增加与辐照剂量成正比,并且易出现饱和现象。总结出了感生界面态密度产额Dit随辐照剂量D变化的分布式,并定性分析了Dit随D变化的行为。随后进行的退火实验表明,强脉冲X射线辐照感生出的界面态越多,退火时这些界面态就消除得越快。退火过程显示有滞后现象,即辐照剂量大的阈电压漂移,在退火后恢复的绝对值,要小于辐照剂量小的阈电压漂移。导出了阈电压漂移随退火时间变化的关系,定性解释了滞后现象。 相似文献
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从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于085的Si1-xGex合金材料(能带结构为类Si结构)的间接带隙与应变的关系,结 果表明,应变的S iGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果,提出了 用测量带隙来间接测定SiGe/Si应变状态的方法.用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应 变状态下的SiGe/Si多量子阱材料的应变弛豫度,两者可以较好的符合,表明带隙法测量SiG e应变弛豫度是可行的.
关键词:
SiGe合金
应变
带隙 相似文献
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重金属Pb2+对玉米苗生长的影响 总被引:10,自引:1,他引:10
以水栽培的玉米幼苗为材料,用不同浓度的醋酸铅溶液处理后,分别在第10天、第20天、第30天对玉米苗的根、茎、叶分别进行Pb^2+含量测定。分析结果:Pb^2+在玉米体内的分布表现为根〉叶〉茎;玉米中的叶绿素含量均降低;随着Pb^2+浓度的增大,玉米细胞的膜透性表现根〉叶〉茎依次升高;Pb^2+对玉米的伤害率的大小表现为根〉叶〉茎。该实验为进一步研究农作物对重金属Pb^2+的耐性和重金属Pb^2+在农作物体内的分布提供了可参考的数据。 相似文献
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非发射线天体的光谱是天体光谱谱线提取中最难处理的一种。针对非发射线天体,给出了一种基于均值漂移的谱线自动提取方法。首先,利用均值漂移总是指向局部密度最大点也即密度的模式点这一性质,提取出较为满意的伪连续谱;其次,均值漂移滤波同时工作在空间域和幅度域上,是一种非线性的边缘保持滤波方法,在去除噪声的同时,能够较好地保持特征谱线的信息,文章在连续谱归一化后,采用均值漂移去噪得到谱线光谱;最后,对谱线光谱设置局部阈值提取出特征谱线。通过对恒星、正常星系等的实验表明:该方法是有效的, 这将对后续的参数测量和基于谱线的光谱分类非常有利。 相似文献
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