微珠析相微萃取-石墨炉原子吸收法测定岩石样品中痕量铬

采用二苯碳酰二肼为络合剂,正戊醇为萃取剂,乙醇为助溶剂,建立了微珠析相微萃取-石墨炉原子吸收法测定地质样品中痕量Cr的分析方法。实验详细探讨了微珠析相微萃取的析相条件、石墨炉原子吸收工作参数及共存离子的干扰,优化了体系萃取条件。实验结果表明：微珠析相微萃取既起到了分离富集的作用,在石墨炉升温程序中又起到了基体改进剂的作用;当萃取剂用量为0.2～1.5 mL时,使之与水完全互溶所需助溶剂体积约为水相体积的0.2～0.5倍;方法线性范围为0～10 μg·L-1,检出限为0.057 μg·L-1,相对标准偏差（RSD）为3.3%（c= 2.5 μg·L-1,n=11）;当萃取剂用量为1.5 mL、水相体积15 mL时,与直接溶液进样相比其灵敏度可提高10倍。所建立的方法用于地质标准参考物质AGV-2和G-2中Cr的测定,测定值与参考值具有较好的一致性。     

含吡啶环的双醛腙类试剂的合成及其光谱研究

有机电致发光技术在彩色大屏幕平板显示技术方面己经显示出了广阔的应用前景,是当今国际平板显示技术领域研究的热点之一。开发性能优良的电子传输材料是提高有机及聚合物 LED 性能的关键。双席夫碱类金属配合物同时满足了电荷平衡和配位数饱和两个条件,可以得到非常纯的荧光,能够成为良好的电致发光材料。文章设计并合成了四种新的含吡啶环的双醛腙类化合物,通过红外光谱、元素分析、荧光光谱对合成的化合物进行了表征,确定了化合物结构。对所合成化合物红外光谱进行了分析,确定了该类化合物的红外特征吸收峰;荧光光谱表明该类化合物具有良好的荧光性,其最大发射波长在420～440 nm之间,其荧光强度的大小与衍生物中不同的取代基有关,—OH、呋喃环、胡椒醛等起供电子作用的基团,使荧光波长发生红移。     

傅里叶变换红外光谱仪探测器仪器响应函数研究

由于傅里叶变换红外光谱仪探测器在各个波段的仪器响应不相同,在应用过程中无论是利用光谱的绝对强度还是相对强度,都需要应用标准黑体对仪器进行定标,找出仪器响应函数。该文对加拿大BOMAN公司MR154型傅里叶变换红外光谱议配带的两个红外探测器(锑化铟InSb、碲镉汞MCT)的仪器响应函数进行了研究,并找出了它们随黑体温度(辐射亮度)的变化规律。该规律对傅里叶变换红外光谱仪的定标和保证所测辐射谱的正确性有重要意义。     

水样中溶解氧、化学需氧量、生物耗氧量的测定注意事项

探讨了水样中溶解,化学需氧量,生物耗氧量的测定注意事项,以及三者的关系.     

PAL-MIL铣床在操作使用中应注意的事项

介绍铣床使用时的注意事项.     

兔VX2移植肝癌及隔离灌注模型建立方法探究

应用开腹瘤块包埋法建立了兔移植肝癌模型,探讨了改良动脉插管技术及提高隔离灌注模型建立的成功率.采用的方法是将实验兔建立移植肝癌模型10d后,按动脉插管方法随机分为3组：A组为直视下儿科静脉留置针插管;B组为显微镜下儿科静脉留置针插管;C组为直视下硬膜外麻醉导管插管.建模成功后经肝动脉灌注奥沙利铂,隔离灌注模型建立前测量肿瘤生长大小,常规病理观察肿瘤,比较插管成功率.研究结果表明：肿瘤生长良好,应用儿科静脉留置针插管成功率明显高于硬膜外麻醉导管,显微镜下插管较直视下无统计学意义,奥沙利铂浓度外周静脉显著低于流出道.由此认为采用儿科静脉留置针插管操作简单,成功率高,建立隔离灌注模型外周血药物泄漏少,阻断较完全,是一种实用的隔离灌注建立方法.     

虾肝肠胞虫感染病理特征、18S rRNA基因序列及系统进化树分析

为调查浙江省部分地区虾肝肠胞虫(Enterocytozoon hepatopenaei,EHP)暴发来源及与其他宿主来源的微孢子虫进化关系,本研究利用形态学特征和分子鉴定,尝试对引起浙江多地凡纳对虾生长缓慢综合征的病原进行探究.同时基于18S rRNA基因序列分析该病原与其他地区及其他宿主来源微孢子虫的进化关系.结果显...     

X射线对CCD噪声影响的分析及滤波方法研究

通过实验分析了X射线对CCD的影响以及射线噪声的特点 ,并针对这种噪声的性质提出了菱形均值滤波器。经过计算机仿真滤波实验和实际应用 ,与递归与非递归中值滤波器作了对比 ,表明该滤波器不但能有效滤除脉冲噪声 ,而且能够较好地保持图像边缘和细节。     

(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究

设计并制备了一种新型的(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱结构.使CdZnTe量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ZnS阱层,从而达到提高光双稳器件“关”速度的目的.并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在,从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据.     

ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响

研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响。当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退火条件变化时，从X射线衍射谱（XRD）和光致发光谱（PL）中可见，ZnSe(111)膜的晶体质量有较大的变化。变温的PL谱表明，Si衬底上生长的具有ZnO缓冲层的ZnSe膜的近带边发射峰起源于自由激子发射。