基于横向莫尔条纹的自准直测角方法

本文提出了基于横向莫尔条纹的自准直测角方法,用遮光原理分析了莫尔条纹的位移放大作用.并基于该方法搭建了原理光路,得到的莫尔条纹信号稳定且能够满足测量需求.在此基础上对系统进行了定量标定,简化了数据处理步骤,实现了动态测量,系统分辨率达到10″,进一步明确将该方法应用到自准直仪中可以有效提高仪器分辨率.     

不规则H形量子势垒增强AlGaN基深紫外发光二极管性能

针对AlGaN基多量子阱中有效的平衡载流子注入问题,研究了有源区势垒层中Al组分调制形成的非规则H形量子势垒对AlGaN基深紫外发光二极管(LED)器件性能的影响及载流子的输运行为。研究发现,与多量子阱中常用的单Al组分势垒相比,加入Al组分较高的双尖峰势垒可以有效地提高内量子效率和光输出功率。进一步研究表明,电子在有源区因凸起的尖峰势垒而得到了有效的阻挡,减少了电子的泄露,而空穴获得更多的动能从而穿过较高的势垒进入有源区。因此,采用非对称H形量子势垒的深紫外LED器件中载流子输运实现了较好的平衡,量子阱中的载流子复合速率远高于普通的深紫外发光二极管。     

衍射法测径中的光场偏振效应

本文给出了金属细丝的电磁场衍射公式。对金属缝和互补屏窄条或细丝的线偏光衍射作了实验和理论研究,定量给出衍射法测量细金属丝直径的偏振效应。理论计算与测量结果基本一致。 关键词：     

相位共轭光腔的热稳性

使用传播矩阵方法推导出了相位共轭腔的热稳条件,指出仅满足G_1G_2=(1/2)并不意味着相位共轭腔一定是热稳的.因此,为得到高质量的输出激光束,需进行相位共轭腔的最佳设计.用本文所得结果还能解释利用相位共轭技术消除畸变的定域性现象.     

NO的多光子电离谱及跃迁通道的研究

本文对中间共振能级为A~2∑~+、F~2⊿、H~2∑和H’~3H态的NO四光子电离谱作了转动谱线标识及研究.提出了双共振及碰撞电离模型,以解释实验中出现的强度反常谱线.     

高斯光束照射下的近似Talbot自成像效应及其两种新应用

本文讨论了高斯光束照明下的Talbot近似自成像的性质.提出了利用Talbot自成像测量高斯光束发散角的简便方法;也提出在满足一定条件下,可得到自成像的超高倍放大率.     

Er_xY_(1-x)Al_3(BO_3)_4晶体的生长和光谱性质

采用助熔剂法生长出了掺杂均匀的Er_xY_(1-X)Al_3(BO_3)_4厘米级优质单晶.测定了晶体的吸收、激发光谱.用Judd_Ofelt理论计算了晶体中Er~(3+)的十一条谱带的振子强度(ρ_(ad)和ρ_(md)以及Er~(3+)的强度参数Q_λ(λ-2、4、6).并由此计算了Er~(3+)不同能级之间跃迁的爱因斯坦自发辐射系数A_r、辐射寿命r、荧光分支比β_3以及积分发射截面Σ.根据这些参数讨论了在EYAB晶体中可能实现激光输出的通道.     

激光-钨靶耦合效应的二维模拟研究

利用二维ESCL-CASTOR磁流体力学三温激光靶程序,对激光-钨靶进行了计算机模拟研究。得到了密度、温度(T_e,T_i,T_R)和速度的空间分布以及随时间的变化规律;特别是得到了临界面的运动规律、辐射谱和X光转换效率等结果,并与实验结果进行了比较。     

用HREELS,XPS,LEED研究Al-GaAs(100)(4×1)界面反应

高分辨率电子能量损失谱(HRFELS)能直接判定Al-GaAS(100)界面反应的生成物。本文结合X射线光电子能谱(XPS)的测量,采用HREELS来测量界面的禁带宽度,研究了Al-GaAs(100)(4×1)界面的形成过程。结果判定了室温下Al-GaAs(100)界面生成的为AlAs。而退火后,界面上生成AlCaAs合金。实验中还用低能电子衍射(LEED)观察了室温下Al在GaAs(100)(4×1)面上的淀积过程,发现随着Al淀积量的增加,表面是从无序到有序转化的。 关键词：     

钠蒸汽中通过四波参量过程产生紫外相干辐射的光谱特性

本文报告在钠蒸汽中,通过四波参量过程在327nm,328nm,330nm及333nm处得到紫外相干辐射及对它们光谱特性的研究结果。其中333nm信号的可调谐范围较宽,是一可能应用的紫外相干光源。 关键词：