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采用氧化沉淀-浸渍法制备了不同含量Fe掺杂的Fe-Mn/TiO2低温脱硝催化剂,考察了催化剂在80~180 ℃范围内的脱硝能力并通过XRD、BET、TG、H2-TPR、NH3-TPD等测试手段,对催化剂的物理化学性质进行了表征.实验结果表明,Fe的加入并没有改变Mn/TiO2的主要晶相,仍是锐钛矿型的TiO2,MnOx和FeOx均以非晶态结构高度分散于载体表面,而且Fe的加入可以有效地改善催化剂的微观形貌、比表面积及表面酸性位点,从而提高其低温脱硝性能.Fe掺量在Fe/Ti为0.10时催化剂具有最佳性能,在120 ℃时脱硝率可达90;以上. 相似文献
173.
采用直流反应磁控溅射与高温退火工艺大批量制备了膜厚为200 nm、400 nm及800 nm的2英寸蓝宝石基氮化铝模板,并对高温退火前后不同膜厚模板使用各种表征手段进行对比分析.结果 表明:采用磁控溅射制备膜厚为200 nm的模板经高温退火后晶体质量得到显著提升,退火前后整片(0002)面和(10-12)面高分辨率X射线衍射摇摆曲线半高宽分别从632 ~ 658 arcsec和2 580 ~2 734 arcsec下降至70.9 ~ 84.5 arcsec和273.6 ~ 341.6 arcsec;模板5 μm×5μm区域内均方根粗糙度小于1 nm;紫外波段260 ~280 nm吸收系数为14 ~20 cm-1;高温退火前后拉曼图谱E2(high)声子模特征峰半高宽从13.5 cm-1降至5.2 cm-1,峰位从656.6 cm-1移动至657.6 cm-1,表明氮化铝模板内的拉应力经高温退火后得到释放,接近无应力状态. 相似文献
174.
为研究不同颗粒度对Al-teflon反应行为的影响,以颗粒度25μm、1μm和20~200 nm的Al粉和微米级Teflon粉混合制备的反应材料为研究对象,基于脉冲激光烧蚀实验,结合ICCD相机和光谱仪对反应过程中的自发光成像和发射光谱进行瞬态观测。研究结果表明,Al-teflon反应材料在激光烧蚀下的反应行为体现出典型的二次反应特征,具有持续燃烧特征和明显的后燃效应,也具有较长的能量释放时间;同时,其反应行为与Al粉颗粒度密切相关:初始阶段,反应随Al粉颗粒度的降低加剧,随着反应的进行,纳米级Al粉对应的反应材料后续反应能力逐渐下降,反应强度和反应时间都小于1μm铝粉对应的反应材料。 相似文献
175.
为了揭示地形变化对连续档输电线动态特性的影响,本文提出了基于任意高差角的动刚度理论.首先将单档导线视为连续档导线的子结构,构建了两悬挂点不等高的单档导线振动方程,并在该理论方程中引入了二次项,能够考虑重力沿弦向分量的影响,推导出绝缘子串绕其悬挂点转动的动刚度计算方法,通过动刚度理论研究连续档导线横向振动模态和频率,并应用有限元软件ABAQUS 验证理论模态和频率公式的准确性.所得结果表明,动刚度的计算方法具有较高的精度,理论模态与有限元输出结果吻合较好,同时获得的频率和模态可为山地高压输电线路防舞技术的研究提供依据. 相似文献
176.
位错和夹杂的干涉效应对于理解材料的强化和韧化机理具有十分重要的意义。文中研究了晶体材料中刃型位错和多条共圆弧刚性线夹杂的干涉作用。利用Riemann—Schwarz反照原理和复势函数的奇性主部分析技术,得到了问题的一般解答;对于只含一条刚性线夹杂的情况,给出了复势函数的封闭形式解。由Peach-Koehler公式求出了作用在刃型位错上的位错力,并讨论了圆弧形刚性线夹杂对位错力的影响规律,发现弧形刚性线对刃型位错有很强的排斥作用。本文解答不但可作为格林函数获得任意分布位错的相应解答,而且可以用于研究刚性线夹杂和任意形状裂纹的干涉效应问题。 相似文献
177.
半导体芯片化学机械抛光过程中材料去除机理研究进展 总被引:8,自引:7,他引:8
就国内外关于集成电路芯片化学机械抛光(CMP)材料去除机理研究的现状和进展进行了评述,总结了集成电路芯片常用介电材料二氧化硅以及导电互连材料钨、铝及铜的化学机械抛光研究现状和进展,进而分析了化学机械抛光过程中化学作用同机械作用的协同效应,指出关于芯片化学机械抛光的材料去除机理尚存在争议,因此有必要在CMP研究领域引入原子力显微镜和电化学显微镜等先进分析测试设备和相关技术,以便在深入揭示CMP过程中材料去除机理的基础上,为更好地控制CMP过程和提高CMP效率提供科学依据. 相似文献
178.
179.
180.
As we know,thus far,there has appeared no definition of bilinear spectral mul-tipliers on Heisenberg groups.In this article,we present one reasonable definition... 相似文献