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231.
CuX(X=Al, Ga, In)分子的势能函数与稳定性的密度泛函研究 总被引:5,自引:3,他引:2
刘风丽 《原子与分子物理学报》2006,23(5):838-842
根据原子分子反应静力学原理导出了CuX(X=Al,Ga,In) 分子基态电子状态及其离解极限,并在B3LYP/LANL2DZ水平上计算了平衡几何、振动频率和解离能.利用Murrell-Sorbie 函数拟合出了解析势能函数,并计算出光谱参数和力常数.计算结果表明该分子体系是稳定存在的,其稳定性排序为 CuAl>CuGa>CuIn. 相似文献
232.
233.
高斯光束在克尔型非线性介质中的演化特性 总被引:2,自引:1,他引:1
由光束在克尔型吸收介质中传输的非线性薛定谔方程,推导了高斯光束注入介质后满足的耦合方程,并分别在不考虑吸收和高阶展开项的情况下,对脉冲的腰斑半径的演化进行了理论分析。发现当注入脉冲满足一定的条件时,脉冲可以以“孤波”的形式传播。当考虑吸收和高阶展开项时,脉冲不存在“孤波”形式,且存在一个阈值,低于阈值的输入,脉冲发生自聚焦;对高于阈值的输入,腰斑半径随着距离的增加而增加,聚焦趋势根本就不存在。 相似文献
234.
采用提拉法生长出了掺钕钨酸铋钠[Nd∶NaBi(WO4)2,简称Nd∶NBW]和掺钕钨酸钇钠[Nd∶NaY(WO4)2,简称Nd∶NYW]晶体,并给出了制备无开裂优质Nd∶NBW和Nd∶NYW晶体的最佳生长工艺参数。从XRD分析得到Nd∶NBW和Nd∶NYW晶体的晶胞参数,并分析了晶体的拉曼光谱,认为二者结构基本相同,为四方晶系、白钨矿结构、I41/a空间群。由吸收光谱可以看出,Nd∶NBW在802nm有较强的吸收峰,Nd∶NYW在804nm、752nm、586nm附近有较强、较宽的吸收峰,二者均适合于LD泵浦;计算了晶体中Nd3+的吸收截面积。 相似文献
235.
236.
牛顿碰撞球的解释与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
对牛顿碰撞球的常规碰撞形式和混合联珠单球碰撞形式做了理论分析和解释.在常规碰撞时,将悬线(钓鱼线)先悬挂小球一段时间后组装仪器,可克服悬线的拉力.在混合联珠单球碰撞时,根据理论分析,选取大球和小球的质量比为27∶8时,演示效果较好. 相似文献
237.
238.
在用单纯形方法解线性规划的问题时,不可避免会出现退化情况,而某些退化情况会导致循环。目前采用的避免循环的方法一共有两类:传统的摄动法(字典序)和Bland方法。本分析了传统摄动法的一些不足,给出了一种新的摄动法。 相似文献
239.
关于Ramsey数下界的部分结果 总被引:3,自引:1,他引:2
刘富贵 《数学的实践与认识》2002,32(1):97-99
本文得到 Ramsey数下界的一个计算公式 :R( l,s+ t-2 )≥ R( l,s) + R( l,t) -1 ,(式中 l、s、t≥ 3) .用此公式算得的 Ramsey数的下界比用其它公式算得的下界好 . 相似文献
240.
载能离子穿过固体界面引起界面原子迁移使界面原子混合和物质成分变化,从而导致界面发生材料相变。简要介绍了载能离子辐照引起金属/绝缘体界面混合效应及相变现象的主要实验研究进展、低能离子和高能离子辐照引起金属/绝缘体界面现象差异,并对离子辐照引起界面混合及相变的机制进行了初步探讨。When penetrating an interface between two kind of solids, energetic ions can induce atomic diffusion at both sides of the interface and then result in intermixing, atom re-distribution or composition change, as well as phase transformation. Main progress on the study of intermixing and phase change at metal/insulator interface induced by energetic ion irradiations, the difference of phenomena occurred at metal/insulator interfaces induced by high-and low-energy ions were briefly reviewed. Furthermore, the possible mechanisms related to intermixing and phase change at metal/insulator interface produced by energetic ion irradiations were also discussed in short words. 相似文献