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Fe3GeTe2 是一种具有稳定长程磁有序的准二维范德瓦尔斯磁性材料, 范德瓦尔斯材料的稳定性和可调性使其在自旋电子器件的应用方面具有巨大潜力. 本文用助熔剂法生长了 Mg 原子掺杂Fe2 位的 Mg0.3Fe2.7GeTe2单晶样品, 并对 Mg 掺杂Fe3GeTe2 的结构、磁性和输运性质的影响进行了研究. 磁性数据表明 Mg 掺杂后铁磁转变温度不变, 但样品的饱和磁矩减小. 输运性质的测量中观察到各向异性的反常霍尔效应, 与Fe3GeTe2 相比, Mg掺杂后的反常霍尔电阻率减小, 同时各向异性发生了变化. 相似文献
23.
Two new ternary complexes [Zn(3-aba)2(phen)](2.58H2O 1 and {[Cd(3-aba)- (phen)2]·(NO3)·(1.5H2O)}n 2 (3-aba = 3-aminobenzoic acid anion, phen = 1,10-phenanthroline) were synthesized and characterized by elemental analysis, IR, UV spectrum and X-ray diffraction. Complex 1 crystallizes in the rhombohedral system, space group R with a = 3.5733(3), b = 3.5733(3), c = 1.1231(2) nm, V = 12.419(3) nm3, C26H25.17N4O6.58Zn, Mr = 564.37, Z = 18, F(000) = 5253, μ = 0.937 mm-1, Dc = 1.358 g/cm3, R = 0.0668 and wR = 0.1690 for 2424 observed reflections (I > 2σ(I)). Complex 2 belongs to the tetragonal system, space group P4/ncc with a = 2.88451(10), b = 2.88451(10), c = 1.55571(11) nm, V = 12.9441(11) nm3, C31H25CdN6O6.50, Mr = 697.97, Z = 16, F(000) = 5648, μ = 0.727 mm-1, Dc = 1.433 g/cm3, R = 0.0607 and wR = 0.1742 for 3468 observed reflections (I > 2σ(I)). Complex 1 displays a mononuclear structure. The carboxylate group of 3-aminobenzoic acid anion coordinates to Zn(Ⅱ) in a chelating bidentate mode, and the nitrogen atom of the ligand does not involve in coordination. Complex 2 exhibits a one-dimensional chain structure with 3-aminobenzoic acid anion coordinating to Cd(Ⅱ) in a μ2-bridging mode through its nitrogen atom and one of its oxygen atoms. 相似文献
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采用自主设计搭建的雾化辅助化学气相沉积系统设备,开展了Ga2O3薄膜制备及其特性研究工作。通过X射线衍射研究了沉积温度、系统沉积压差对Ga2O3薄膜结晶质量的影响。结果表明,Ga2O3在425~650 ℃温度区间存在物相转换关系。随着沉积温度从425 ℃升高至650 ℃,薄膜结晶分别由非晶态、纯α-Ga2O3结晶状态向α-Ga2O3、β-Ga2O3两相混合结晶状态改变。通过原子力显微镜表征探究了生长温度对Ga2O3薄膜表面形貌的影响,从475 ℃升高至650 ℃时,薄膜表面粗糙度由26.8 nm下降至24.8 nm。同时,高分辨X射线衍射仪测试表明475 ℃、5 Pa压差条件下的α-Ga2O3薄膜样品半峰全宽仅为190.8″,为高度结晶态的单晶α-Ga2O3薄膜材料。 相似文献
25.
石墨氮化碳(g-C3 N4)是一种可见光响应的非金属半导体材料.g-C3 N4具有廉价易得,物理化学性质稳定,无毒无污染等优点,在环境净化和能源催化领域具有良好的应用前景.然而,体相g-C3 N4存在比表面积小,可见光吸收能力差,光生电子和空穴复合效率高等缺点,从而严重限制了其在实际中的应用.本文在概述了g-C3 N4的结构、特性及制备方法的基础上,着重归纳了g-C3 N4的改性方法,其中包括元素掺杂、形貌调控、贵金属沉积等改性手段的研究进展.最后,本文探讨了g-C3 N4光催化反应机理,以及对g-C3 N4在水体环境净化领域的研究进行了展望. 相似文献
26.
采用有限单元法,分别对TE模式、TM模式下三角晶格等离子体光子晶体的色散关系进行了理论计算,分析了等离子体填充比对能带位置和禁带宽度的影响.结果 表明:TM模式下等离子体光子晶体在M-F、X-M两个方向上存在不完全带隙,随填充比的增加,带隙位置向高频移动,禁带宽度增大直至达到一稳定值.TE模式下等离子体光子晶体不仅存在禁带结构,还在低频处形成了表面等离子体波的平带结构.随填充比的增大,TE模式等离子体光子晶体由X-M单一方向的不完全带隙形成了完全带隙,带隙宽度随填充比的增大而增大.本文提供了一种可调谐等离子体光子晶体的有效方法,有望应用于微波、THz波的可调性控制. 相似文献
27.
骨具有力电性质,这一性质可促进骨组织生长。骨既是生理器官又是介电材料,在交变电场作用下,其表现行为可能有生理作用。为此,本文测量了骨悬臂梁试样在交变电场下的表面温升与顶端挠度。发现在电压70V,频率为10~70kHz的交流电场下,最大表面温升达到2~4℃,最大挠度变化为9.0~78.7μm;在频率10kHz,电压为70~175V的交流电场下,最大表面温升达到4~6℃,最大挠度变化为13.0~114.3μm。同时测量了两种经典介电材料有机玻璃和聚乙烯在交变电场下的温升与顶端挠度,最大温升低于0.5℃,但是挠度与骨试样相当,所以相对高温升是骨特有的性质。将交流电压有效值替换成相同幅值的直流电压时,最大温升也低于0.5℃,基本没有挠度变化,所以相对的高温升反映了骨的交流性质。分析后认为,骨在交变电场作用下的温升由胶原的介电损耗引起。实验数据显示,骨在交变电场下,表面温度变化与加载电压的平方成正比,且在实验加载的10~70kHz频段内,骨的介电常数随频率的变化明显。 相似文献
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LI Cun-man XIAO Yuan-sheng XUE Xing-ya FENG Jia-tao ZHANG Xiu-li LIANG Xin-miao . Dalian Institute of Chemical Physics Chinese Academy of Sciences Dalian P. R. China . Hebei Research Centre of Analysis Testing Hebei University of Science Technology Shijiazhuang 《高等学校化学研究》2011,(3):392-396
An efficient preparative method was successfully developed for isolation and purification of unstable components from medicinal plant extracts, using a combined method of preparative high performance liquid chro-matography(HPLC) and solid-phase extraction(SPE). The aim of this study was to obtain an effective method with high preparative efficiency and importantly to avoid the transformation of unstable compounds. The preparative HPLC system was based on an LC/MS controlled four-channel autopurification sys... 相似文献
30.
应用芴甲氧羰基(Fmoc)固相方法化学合成了敬钊毒素-V(JZTX-V)分子N-端酪氨酸残基剪切体(Y1-JZTX-V),并且通过反相高效液相色谱和质谱对不同条件下的氧化复性结果进行监测,从而得到该剪切体的最佳氧化复性条件:0.1 mol/L Tris-HCl缓冲液、pH 7.50、1 mmol/L还原型谷胱甘肽(GSH)、0.1 mmol/L氧化型谷胱甘肽(GSSG)、样品浓度为0.05 mg/L、复性温度为4 ℃。膜片钳电生理实验结果显示敬钊毒素-V剪切体Y1-JZTX-V对大鼠背根神经节(DRG)细胞上表达的河豚毒素不敏感型(TTX-R)与河豚毒素敏感型(TTX-S)钠电流均有抑制作用,其半数抑制浓度(IC50)分别为(160±2.5) nmol/L和(39.6±3.2) nmol/L。与天然的敬钊毒素-V相比,该剪切体对大鼠DRG细胞上的TTX-S钠电流的抑制作用基本一致,但对TTX-R钠电流的抑制作用却大大降低,表明敬钊毒素-V分子N-端的酪氨酸残基是一个与TTX-R钠通道结合活性相关的氨基酸残基。 相似文献