ZnO本征缺陷的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究。研究表明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在。其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未掺杂ZnO是n型半导体的原因。计算结果与其它研究者     

固相烧结法制备Mn-Zn铁氧体的工艺

采用固相烧结法制备Mn-Zn铁氧体样品,分别探讨了成型压力、预烧温度、烧结气氛、烧结温度对样品的致密性、相、结构及微结构的影响.样品的相组成成分、微结构及密度分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、阿基米德法进行表征.结果表明:成型压力较小时,生胚体及烧结体的密度     

微分脉冲伏安法测定肠溶片剂中吲哚美辛的含量

应用微分脉冲伏安法研究了药物吲哚美辛水解产物的电化学行为及其测定方法。吲哚美辛本身在金电极上不具有电化学活性,但在稀NaOH溶液中,并在沸水浴条件下它能发生水解反应,水解产物则具有很强的电化学响应。电位扫描后可得一灵敏的氧化峰,峰电流与吲哚美辛浓度成正比,线性范围为0．2—2．2μg／mL,检出限为0．073μg/mL。该方法用于药品中的吲哚美辛的测定,结果满意。     

反垃圾邮件及粗糙朴素贝叶斯邮件分类器

垃圾邮件的广泛传播严重的影响的电子邮件的正常使用,对当前主要的反垃圾邮件过滤技术进行了分类和研究,并且提出了基于ROUGHSET优化的朴素贝叶斯分类邮件过滤算法。基于上述理论的反垃圾邮件过滤实验证明了算法的有效性。     

关于Udo Simon猜测的注记

设ψ:S2→Sn为线性满的极小浸入,Gauss曲率K满足1/10≤K≤1/6。若K不是常数,则n=6,且ψ的准线φ0至少有2个不同的分歧点。作为它的推论,如果1/7相似文献   

壳聚糖/乙炔黑修饰电极上萘酚异构体的电化学行为及同时测定

制备了壳聚糖/乙炔黑复合修饰电极(CS-AB/GCE),采用SEM和交流阻抗法对其进行表征。并利用循环伏安法(CV)研究了萘酚异构体(α-N和β-N)在该修饰电极上的电化学行为,对实验条件进行了优化。结果表明,在p H 7.0的PBS缓冲液中,α-N和β-N在该修饰电极上均出现一不可逆氧化峰,且在20~200m V/s范围内,其峰电流与扫速呈线性关系,表明电极过程是受吸附控制的不可逆过程。计算了电极过程的部分动力学参数,优化了差分脉冲伏安法(DPV)的实验参数,并对α-N和β-N进行同时测定,发现二者的微分氧化峰电流值与其浓度在2.5×10-6~1.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系(rα-N=0.996;rβ-N=0.998)。α-N和β-N的检出限(S/N=3)分别为3.4×10-7mol/L和2.4×10-7mol/L。采用该法对实际水样进行检测,得到α-N和β-N的加标回收率分别为96.7%~105.1%和98.8%~103.9%。     

基于ANSYS提取单相单向换能器耦合模参数

基于有限元理论,给出了基于ANSYS提取单相单向换能器（Single Phase Unidirectional Transducers,SPUDT）耦合模参数的方法。首先,结合声表面波在压电介质中的传播原理,给出了压电有限元分析方程和对应的ANSYS分析步骤。然后针对SPUDT结构,给出了周期性近似分析的理论模型,利用耦合场分析对其进行模态分析和谐响应分析,最后结合两者的结果来计算SPUDT的耦合模参数。本文给出基底材料为压电晶体128°YX-LiNbO₃和YZ-LiNbO₃,电极材料为铝的三种不同SPUDT的计算结果,理论结果与Hashimoto和Hartmann文献报道的结果相吻合,并且和实验测试的结果基本一致。从而给出了提取SPUDT耦合模参数的一种通用、有效的方法。     

BCH-代数的原子与分支

在BCH—代数中引入了原子与分支的概念，给出了一个元素为BCH-代数原子的一系列等价条件，证明了一个BCH—代数的所有原子作成的集合是一个广义结合BCI—代数，最后对BCH—代数分支的性质进行了讨论。     

3维6阶 Hadamard 矩阵的发现

Hadamard 矩阵(以下简称为 H 阵)的存在问题,历来是人们比较感兴趣的问题之一.我们知道,2维 H 阵的阶数 n 必为4的倍数,即 n=4t(除 n=1,2外),并且人们早就猜测:对于任意的正整数 t,都存在有 n=4t 阶的2维 H 阵.目前,当,n<268时,也都找到了具体的例子.对高维的情况,当维数 m≥4时,杨义先等最近在文[1]中给     

基于三角模糊数的判断矩阵的改进及其应用

利用模糊概率及期望值将基于三角模糊数的专家判断矩阵转化为非模糊数判断矩阵，使得新矩阵可以进行一致性检验，并通过实例分析验证该方法的有效性和实用性。