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991.
Acceleration of an initially moving electron by a copropagation ultra-short ultra-intense laser pulse in vacuum is studied. It is shown that when appropriate laser pulse parameters and focusing conditions axe imposed, the acceleration of electron by ascending front of laser pulse can be much stronger compared to the deceleration by descending part. Consequently, the electron can obtain significantly high net energy gain. We also report the results of the new scheme that enables a second-step acceleration of electron using laser pulses of peak intensity in the range of 1019 - 1020 Wμm^2/cm^2. In the first step the electron acceleration from rest is limited to energies of a few MeV, while in the second step the electron acceleration can be considerably enhanced to about 100 MeV energy. 相似文献
992.
Influence of Width of Left Well on Intersubband Transitions in AlxGa1-x N/GaN Double Quantum Wells
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Influence of width of left well in AlxGa1-xN/GaN double quantum wells (DQWs) on absorption eoefficients and wavelengths of the intersubband transitions (ISBTs) is investigated by solving the Sehroedinger and Poisson equations self-consistently. When the width of left well is 1.79 nm, three-energy-level DQWs are realized. The ISBT between the first odd and second odd order subbands (the lodd-2odd ISBT) has a comparable absorption eoefficient with the lodd-2even ISBT. Their wavelengths are located at 1.3 and 1.55 μm, respectively. When the width of left well is 1.48nm, a four-energy-level DQWs is realized. The calculated results have a possible application to ultrafast two-eolour optoeleetronie devices operating within the optical communication wavelength range. 相似文献
993.
We investigate the nonlinear thermal transport properties of a single interacting quantum dot with two energy levels tunnel-coupled to two electrodes using nonequilibrium Green function method and Hartree-Fock decoupling approximation. In the case of asymmetric tunnel-couplings to two electrodes, for example, when the upper level of the quantum dot is open for transport, whereas the lower level is blocked, our calculations predict a strong asymmetry for the heat (energy) current, which shows that the quantum dot system may act as a thermal rectifier in this specific situation. 相似文献
994.
用聚乙二醇(PEG)定点修饰天花粉蛋白(TCS), 并比较了修饰前后TCS的生物活性、免疫原性及药代动力学等诸多性质. 选择TCS分子上可能的抗原决定簇位点KR173-174进行定点突变, 并将所构建的突变体TCSKR173-174CG在大肠杆菌中表达及纯化. 通过该突变体第173位引入的半胱氨酸残基进行PEG定点修饰. 通过比较研究, 分析所构建的PEG修饰型TCS的DNA酶活性、致核糖体失活活性、免疫原性、急性毒性以及药代动力学性质, 研究结果表明, 所构建的突变型TCS(mTCS)的活性与野生型TCS(wTCS)活性几乎相当, 而免疫原性已显著降低. PEG修饰型TCS虽有活性下降, 但其免疫原性、急性毒性以及药代动力学性质得到显著提升. 表明通过基因工程及化学修饰方法改造TCS是可行的, 所构建的突变型及PEG修饰型TCS值得进一步研究. 相似文献
995.
沉积压力对磁控溅射纳米硅薄膜结构和性能影响 总被引:2,自引:1,他引:1
采用射频(RF)磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力(4~9 Pa)对薄膜结构和性能的影响.利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计、傅立叶红外吸收光谱仪(FT-IR)及四探针电阻测试仪等对薄膜结构和性能进行了表征.结果表明:随着沉积压力的提高,薄膜结晶程度逐渐变差,晶粒尺寸降低;薄膜光学带隙在2.04~2.3 eV之间,且随着沉积压力的提高而增加;薄膜具有SiH、SiO、SiH2和SiH3振动吸收峰, 随着沉积压力的增加,SiH、SiH2振动吸收峰向高波数移动,薄膜方块电阻在132~96 Ω/□,且随着沉积压力的升高而降低. 相似文献
996.
导电聚苯胺与磁性CoFe2O4纳米复合物的制备与表征 总被引:2,自引:0,他引:2
在利用HNO3酸化处理CoFe2O4磁性纳米粒子使其表面离子化、分散性得到改善的基础上, 采用原位聚合法制备了具有电磁功能的聚苯胺/CoFe2O4 (PANI/CoFe2O4)纳米复合物. 借助TEM, XRD, FT-IR, TG, 四探针电导率仪、VSM(振动样品磁强计)等分析手段研究了复合物的形貌、结构、热稳定性及电磁性能. 结果表明, 处理过的CoFe2O4磁性纳米粒子可形成分散均匀的PANI/CoFe2O4纳米复合物, CoFe2O4以25 nm左右的粒子分散于聚苯胺基体中; PANI与CoFe2O4之间存在化学键合作用, 正是这种作用使复合物热稳定性得以提高; 复合物同时具有导电性和磁性能, 且随CoFe2O4含量变化而变化. 相似文献
997.
不同氧压下脉冲激光沉积LiCoO2薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
使用脉冲激光沉积(PLD)法,在不同的氧压下制备了锂离子二次电池正极材料LiCoO2的薄膜.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等分析测试方法,对沉积的薄膜进行了晶体结构和表面形貌的分析.结果显示,氧压达到正常标准时(加Pa),LiCoO:薄膜具有明显的c轴择优取向,同时薄膜的晶粒尺寸更为均匀,表面更为光滑.而氧压较低(1 Pa)时,薄膜表现为随机取向.这些结果表明,PLD方法制备LiCoO2薄膜时应该充分考虑腔体气压对等离子体的散射作用以提高薄膜表面的质量. 相似文献
998.
HL—1M中性束注入系统研制及中性束加热初步实验 总被引:5,自引:3,他引:2
HL-1M 中性束注入系统是在国家“八六三计划”的支持下,由中俄合作研制的。介绍了中性束注入系统及其各个子系统的性能参数及调试结果,给出了中性束加热的初步实验结果 相似文献
999.
采用扩展休克尔 -紧束缚方法 (EHTB)研究了ET类分子导体 [ET =bis (ethylenedithio) tetrathiafulvalene]的能带 .讨论了硫原子 3d轨道对能带结构的影响 ,添加 3d轨道导致ET分子柱间的横向作用大为增强 ,并与纵向作用处于同一数量级 ,这一结论解释了晶体二维导电性的实验结果 .计算得到 (ET) 2 C3 H5SO3 ·H2 O ,(ET) 2 HgCl3 ·TCE两个晶体的带隙分别为0 5 79,0 .5 72eV ,与实验得到的导电激活能 0 .3 19,0 .3 0 8eV符合较好 . 相似文献
1000.