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991.
992.
993.
Scientific-Research Institute of Applied Physics; Tashkent State University. Translated from Teoreticheskaya i Matematicheskaya Fizika, Vol. 80, No. 3, pp. 391–398, September, 1989.  相似文献   
994.
Using the symbolic computation program MAPLE, we compute several terms of an asymptotic expansion for the distribution function of the logistic midrange.  相似文献   
995.
996.
A new singular integral equation is obtained that describes the elastic equilibrium of a strip with both an inner and an edge slit (crack) and has a considerable advantage over existing equations /1–9/, etc.) from the viewpoint of a numerical realization and clarification of the analytical relationship with an analogous equation for a half-plane. Numerical results are given of a computation of the stress intensity coefficients at the tips of the inner and edge cracks that refine data in the literature.  相似文献   
997.
Conclusions The allyl ligand in neutral molybdenum and cobalt complexes is readily exchanged by dienes in the presence of a strong protic acid with the formation of cationic complexes. This exchange is facilitated by an increase in the basicity of the starting compounds.Translated from Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Seriya Khimicheskaya, No. 7, pp. 1655–1657, July, 1987.  相似文献   
998.
We report the results of STM investigation of the initial stage of Ag adsorption on an Si(110) surface. At 0.21 ML Ag coverage, the size and orientation of the unit cell correspond to the parameters of a 16 × 2 unit cell of clean Si(110) surface. With increasing of the Ag coverage up to 0.42 ML, the type of surface reconstruction changes to a 4 × 1-Si(110)-Ag structure. The text was submitted by the authors in English.  相似文献   
999.
We investigated the morphological, structural and electronic properties of Pentacene thin films grown by vacuum thermal evaporation on different inert substrates at room temperature. The results of our AFM and STM analysis give an interplanar spacing of 1.54 nm corresponding to the (0 0 1) distance of the so-called “thin film phase”. The STS measurements show an HOMO-LUMO gap of 2.2 eV.  相似文献   
1000.
The contribution of electrons moving at large angles to the barrier junction plane to the tunnel current is calculated. This contribution turns out to be small only if the Fermi energy of the electrons equals several electron volts. Otherwise, specifically, when the Fermi energy is no higher than 1–2 eV, this contribution dominates in high and thin potential barriers. It is found that the tunnel magnetic resistance in ferromagnet-insulator-ferromagnet contacts correlates with this contribution. It is this correlation that is responsible for a decrease in this contribution as the potential barriers get lower and thicker.  相似文献   
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