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991.
Cluster synchronization in a network of non-identical dynamic systems is studied in this paper, using two-cluster synchronization for detailed analysis and discussion. The results show that the common intercluster coupling condition is not always needed for the diffusively coupled network. Several sufficient conditions are obtained by using the Schur unitary triangularization theorem, which extends previous results. Some numerical examples are presented for illustration. 相似文献
992.
993.
本文通过对近红外激发傅里叶变换拉曼光谱(NIR-FT-Raman)与表面增强拉曼散射(Surface Enhanced Raman Scattering,SERS)技术的联用,没得胆红素及其络合物Na2BR,CaBR与CuBR在银溶胶中的SERS光谱。结果表明,这一类与胆结石密切相关的生物分子络合物具有不同的配位方式,且在银胶表面采取不同的吸附取向,并从配位化学角度初步解释了黑色结石的黑色成因。 相似文献
994.
995.
996.
为降低背景光噪声对数字摄像法夜间能见度测量的不确定性影响,对双光源法能见度测量系统进行改进。该系统利用避光筒限制CCD相机视场角,拍摄2个位于不同距离的LED背光源,然后对摄取到的图像进行处理得到光源图像的灰度值,再根据阿拉德定律求得大气消光系数,计算出大气能见度值。通过在无背景光、有背景光未加避光筒和加避光筒3种条件下的比对实验,分析光源图像的灰度信息,并将实验结果进行处理,得出有避光筒和无避光筒时测得的能见度值与无背景光下测量结果的相关系数分别是0.911 3和0.322 7,均方根相对偏差分别是6.87% 和23.38%。结果表明:系统抑制背景光噪声的能力明显增强,能较准确地测量夜间能见度。 相似文献
997.
We propose AND,NOR,and XNOR logic gates realized simultaneously for 40-Gb/s networks,in which the realization of NOR and XNOR logic gates using only MgO-doped periodically poled lithium niobate(MgO:PPLN) is reported.In our configuration,we exploit broadband quasi-phase matching(QPM) cascaded second harmonic and difference-frequency generation(cSHG/DFG),cascaded sum-frequency and differencefrequency generation(cSFG/DFG) in one MgO:PPLN,and the narrow band QPM sum-frequency generation(SFG) in another MgO:PPLN.The performance,including the quality-factor(Q-factor) and extinction ratio(ER),of the proposed multifunctional logic device is also simulated. 相似文献
998.
999.
通过采用Car-Parrinello分子动力学方法对掺杂Ti前后的NaAlH4(001)2×2×1超晶胞表面晶体在333 K(60 ℃)温度条件催化脱氢的空间构型做了理论研究,发现掺杂Ti的合金中AlH4团的其中两个Al—H键长分别从约1.64 (1 =0.1 nm)增大至1.74和1.93 ,而未掺杂合金表面中AlH4团的4个Al—H键长基本不变,这意味着掺杂Ti相对未掺杂的合金更易于放氢.但在模拟温度条件下并未发现Ti-Al成键趋 相似文献
1000.
An improved planar-gate triode with carbon nanotubes (CNTs) field emitters has been successfully fabricated by conventional photolithography, screen printing and electrophoretic deposition (EPD). In this structure, cathode electrodes and ITO arrays linked with gate electrodes were interdigitated and paralleled on the same plane although the gate electrodes and cathode electrodes were isolated by dielectric layer, a so-called improved planar-gate triode structure. An electrophoretic process was developed to selectively deposit CNTs field emitters onto cathode electrodes in the CNTs suspension by an applied voltage between the gate electrodes and cathode electrodes. The optical microscopy and FESEM image showed that the CNTs emitters with the uniform packing density were selectively defined onto the cathode electrodes. In addition, field emission characteristics of an improved planar-gate triode with CNTs field emitters were investigated. The experiment results indicated that the turn-on voltage of this triode structure at current density of 1 μA/cm2 was approximately 55 V. The anode current and gate current came to 396 μA and 325 μA, at gate voltage and anode voltage of 100 V and 4000 V, respectively and at the anode-cathode spacing of 2000 μm. The emission image became brighter and the luminous image with dot matrix on the anode plate obviously increased with the increase of the gate voltage. Moreover, the emission current fluctuation was smaller than 5% for 11 h, which indicated that the improved planar-gate triode has a good field emission performance and long lifetime. 相似文献