EuVO4的制备与发光性能的研究

利用固相反应法制备了EuVO4样品,利用X射线衍射,傅里叶红外光谱,激发光谱与发射光谱等测试手段对其粉末的晶型、结构、发光性质进行了研究.XRD结果表明,随着反应温度的升高,V2O5和Eu2O3在600℃左右开始反应,700℃左右反应基本完成,生成物属四方晶系,与EuVO4标准图谱一致,说明固相反应主产物是EuVO4;红外光谱证明,V=O键的伸缩振动变弱,并向低波数移动,O-V-O的反对称伸缩振动明显增强;激发光谱的主要变化是Eu-O电荷迁移带随着反应温度的升高而消失,产生出强度很强的323 nm处的7F0-5H3跃迁;发射光谱结果表明,随着V2O5和Eu2O3向EuVO4转变,最佳激发波长也由275 nm逐渐向323 nm移动,同时出现了467,592和616 nm处的发射峰.它们分别归属于VO3-4的蓝色发射、Eu3+的磁偶极跃迁和电偶极跃迁,实现了同一物质同时产生蓝色荧光和红色荧光,而且VO3-4-对Eu3+的发光有较好的促进作用.     

α-取代的3，5-二甲氧基苯丙烯酸的合成及其抗炎活性

α-芳基取代二甲氧基苯丙烯酸;Pekin反应;抗炎作用     

Chiral Resolution of l,l'-Binaphthalene-2, 2'-Diol and its (-)-Menthyl Chloroformate derivatives by HPLC with Urea Derivative as Chiral Stationary Phase

Optically pure l,1'-binaphthalene-2,2'-diols are very useful compounds for various application^[1] such as catalyst ligands for asymmetric synthesis, the starting materials for other chiral binaphthyl catalysts and resolving agents for racemic compounds. Consequently, the preparation of optically pure l,l'-binaphthalene-2,2'-diols are of current interest Recently, new methods of resolution of racemic l,1'-binaphthalene-2,2'-diols utilizing (-)-(lR)-menthyl chloroformate as the derivatization agent have been developed^[2,3]. To determine the optical purity of these 1,1'-binaphthalenes, it is necessary to develop a convenient and reliable method for the detection of each stereoisomers.     

MEMS矢量水听器的一种新的联合去噪算法

针对传感器水声信号存在随机噪声的问题,提出了一种正余弦算法(SCA)和粒子群算法(PSO)相结合优化变分模态分解(VMD)参数κ和α,将含噪信号通过VMD分解为k个固有模态函数,选取相关系数高的模态分量进行小波阈值(WT)去噪后重构信号分量,得到目标信号的算法,记为SCA-PSO-VMD-WT算法.通过将本算法与VMD...     

微多孔介质非牛顿流体格子Boltzmann模拟

根据修正Blake-Kozeny方程对Herschel-Bulkley模型的非牛顿流体在微多孔介质中流动的定量描述,通过增加外力项建立了非牛顿流体在宏观多孔介质中的格子Boltzmann模型,并将该模型应用到平板多孔介质中非牛顿流体的电渗驱动流模拟。对多孔介质渗透性参数和非牛顿流体流变性参数的影响进行模拟和分析,获得了各种参数对多孔介质中非牛顿流体流动速度的影响规律。     

表面改性纳米SiO2复合聚合物电解质的制备及性能

通过化学方法将具有增塑效果的环状碳酸酯基团引入纳米SiO2表面,并用FTIR与TGA对改性纳米SiO2进行了表征.将改性纳米SiO2添加到以聚氧化乙烯(PEO)为基体的聚合物电解质中,制备了复合聚合物电解质.通过DSC和交流阻抗等方法对该聚合物电解质膜的热力学和电化学性能进行了研究.结果表明,掺杂改性纳米SiO2的聚合物电解质具有更高的离子电导率,室温最高离子电导率可达到1.84×10-5 S/cm;具有较高的锂离子迁移数,最高可达到0.49,且具有更好的界面稳定性.     

高能带电粒子直接产生电子对

本文叙述利用场强为6200高斯的磁云室,对级联簇射中的能量大于30兆电子伏的电子在铝中直接产生电子对的平均总截面进行了测量。实验上总共找到真正由电子产生的电子三岔8.1个,相应于三岔产生的平均自由路程为672±585厘米或平均总截面为(0.25±0.22)×10^-25厘米²。在数据处理中,对假三岔数目的除去作了应有的适当考虑。此外对Bhabha及Murota等的总截面公式也作了适合于于我们实验具体情况的修正,并算出总截面值,最后将它同实验值作了比较。结果我们认为实验上测得的值和Murota等的总截面值较为接近,但也不与Bhabha的截面值矛盾。     

一步法电化学沉积Cu(In1-x,Gax)Se2薄膜的特性

在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中, 对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x, Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究. 为了稳定溶液的化学性质, 在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂, 将溶液的pH值控制在约2.5, 并提高薄膜中Ga的含量. 通过大量实验优化了溶液组成及电沉积条件, 得到接近化学计量比贫Cu 的CIGS薄膜(当Cu与In+Ga的摩尔比为1时, 称为符合化学计量比的CIGS薄膜; 当其比值为0.8-1时, 称为贫Cu或富In的CIGS 薄膜)预置层, 薄膜表面光亮、致密、无裂纹. 利用循环伏安法初步研究了一步法电沉积CIGS薄膜的反应机理, 在沉积过程中, Se4+离子先还原生成单质Se, 再诱导Cu2+、Ga3+和In3+发生共沉积. 电沉积CIGS薄膜预置层在固态硒源280 ℃蒸发的硒气氛中进行硒化再结晶, 有效改善了薄膜的结晶结构, 且成份基本不发生变化,但是表面会产生大量的裂纹.     

Estimate and Fekete-Szeg? Inequality for a Class of m-Fold Symmetric Bi-Univalent Function Defined by Subordination

In this paper, we investigate the coefficient estimate and Fekete-Szeg? inequality of a class of m-fold bi-univalent function defined by subordination. The results presented in this paper improve or generalize the recent works of other authors.