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841.
盐酸普萘洛尔分子印迹电化学传感器的制备与研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以盐酸普萘洛尔为目标模板分子,通过电聚合多巴胺,在多壁碳纳米管修饰的玻碳电极表面制备了对目标分子有特异响应的分子印迹电化学传感器.利用扫描电子显微镜、循环伏安法和差示脉冲伏安法对此传感器的表面形貌及性能进行了表征,并且优化了检测条件,研究了印迹传感器对模板分子及其结构类似物的选择性响应.结果表明:此传感器具有较好的选择性响应,而且碳纳米管的存在显著提高了传感器的灵敏度.盐酸普萘洛尔的浓度在0.20~100 μmol/L范围内与峰电流呈良好的线性关系;检出限为2.53×10-8 mol/L(S/N=3).此传感器还具有良好的稳定性和重现性.  相似文献   
842.
徐静  孔德明 《分析化学》2012,(3):347-353
G-四链体DNA酶是由核酸G-四链体与氯化血红素(Hemin)结合后形成的一种具有过氧化物酶活性的人工酶,利用这种DNA酶,可进行多种化学及生物传感器的设计。为提高G-四链体DNA酶类Hg2+传感器的选择性,本研究在传感器的设计过程中引入了分子内裂分G-四链体,即将形成G-四链体的富G序列拆分成两部分,分别放置在Hg2+探测序列的两端。在无Hg2+存在时,部分富G序列被包埋在某一分子内二倍体结构中,无法形成G-四链体。而在Hg2+存在下,Hg2+对T-T碱基错配的稳定能力可以促使Hg2+探测序列形成分子内二倍体结构,并伴随着原有分子间二倍体结构的破坏及分子内裂分G-四链体的生成。利用生成的裂分G-四链体与Hemin作用后检测体系酶活性的提高,实现Hg2+传感器的设计。利用该传感器,可在50~500 nmol/L及2.0~7.5μmol/L两个浓度范围内实现Hg2+的定量检测,检出限为47 nmol/L。由于裂分G-四链体DNA酶的使用强化了传感器对Hg2+的依赖性,极大地提高了设计的Hg2+传感器的选择性。对实际水样的加标回收结果显示,回收率为97.5%~104.5%,证明此传感器可以满足实际水样中痕量Hg2+的分析要求。  相似文献   
843.
助剂对L-脯氨酸催化直接不对称Aldol反应的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
在L-脯氨酸催化的芳香醛与丙酮直接不对称aldol反应体系中添加二醇或二酚类助剂可有效提高反应活性.助剂的使用降低了该反应体系中L-脯氨酸的用量.特别是以邻苯二酚为助剂时,最佳反应条件下,仅用5mol%L-脯氨酸与1mol%助剂催化2-硝基苯甲醛与丙酮直接不对称aldol反应,aldol产物产率高达90%,对映选择性为...  相似文献   
844.
稀土负载钛-硅沸石 ETS-10 的制备及其光催化性质(英文)   总被引:1,自引:0,他引:1  
以水玻璃和四氯化钛为原料, 在不使用有机模板剂、氟离子和晶种的条件下, 用水热法合成了钛-硅沸石 ETS-10, 将 La、Ce、Pr 和 Nd 四种稀土元素负载到合成的 ETS-10 上. 通过 X 射线粉末衍射、N2 吸附-脱附、29Si 魔角旋转核磁共振、紫外漫反射光谱、X 射线荧光光谱等表征手段对负载前后的 ETS-10 进行了表征. 以有机染料甲基橙为底物, 考察了负载各种稀土及氢氟酸腐蚀对 ETS-10 的光催化活性的影响. 结果表明, 四种稀土元素的引入均可有效提高 ETS-10 的光催化活性. 反应活性提高的程度与稀土元素负载量有关. 对 ETS-10 同时进行氢氟酸腐蚀和稀土元素的负载, 可以将 ETS-10 的光催化活性提高近一倍, 与锐钛矿相 TiO2 相当, 但前者更易分离.  相似文献   
845.
本文采用高温固相法合成了一种新型荧光粉SrCaSiO4∶Eu,Ce,并对其进行了光谱及荧光寿命衰减曲线的测试。结果表明:SrCaSiO4∶0.005Eu2+,0.01Ce3+可和紫外LED相匹配发射蓝绿光,且在该体系中存在着Ce3+到Eu2+的能量传递;在荧光粉SrCaSiO4∶Eu2+中共掺Ce3+将会使Eu2+的荧光寿命增长,同时发现此体系的Ce3+荧光寿命变短,这也证明了在此体系中存在着能量传递。  相似文献   
846.
Front-end readout electronics have been developed for silicon strip detectors at our institute. In this system an Application Specific Integrated Circuit (ASIC) ATHED is used to realize multi-channel energy and time measurements. The slow control of ASIC chips is achieved by parallel port and the timing control signals of ASIC chips are implemented with the CPLD. The data acquisition is carried out with a PXI-DAQ card. The software has a user-friendly GUI developed with LabWindows/CVI in the Windows XP operating system. The test results show that the energy resolution is about 1.14% for alpha at 5.48 MeV and the maximum channel crosstalk of the system is 4.60%. The performance of the system is very reliable and is suitable for nuclear physics experiments.  相似文献   
847.
在基于荧光共振能量传递(FRET)的均相分析中,小尺寸的上转换发光纳米晶(UCNPs)用作供体被认为有很大的优势。通过配体交换的方式制备了大小约12nm、表面带有氨基的水溶性NaYF4∶Er3+,Yb3+UCNPs。傅里叶变换红外光谱证明配体交换成功;扫描电镜表明UCNPs的形貌和尺寸没有改变;圆二色光谱表征亲合素偶联UCNPs前后二级结构变化较小。以亲合素化的NaYF4∶Er3+,Yb3+UCNPs为供体;受体为生物素标记的藻红蛋白。通过亲合素—生物素系统拉近供体和受体,引发共振能量传递。当体系中加入自由的生物素分子,它们竞争地与UCNPs表面的亲合素结合,抑制能量传递过程,从而荧光光谱发生变化。根据这种光谱变化与加入生物素量之间的关系,对其进行定量检测,获得了纳摩尔级的检测限。  相似文献   
848.
利用电子束快退火法制备了MgB2超导薄膜.该方法利用高能电子束,在中真空条件下照射Mg-B多层前驱膜,照射时间维持在1s以下.在电子束的作用下,前驱膜中的Mg和B迅速反应,形成MgB2相.整个退火过程没有Mg蒸气与氩气保护,极短的退火时间有效地限制了前驱膜中Mg的流失和Mg与其它物质的反应.与传统制备工艺相比,该方法避免了混合物理化学气相沉积法中乙硼烷的使用;省去异位退火法中提供高Mg蒸气压的限制,避免在有Mg块存在情况下退火后样品表面存在Mg污染的问题.利用该方法在SiC(001)衬底上生长了100nm厚的MgB2薄膜,其超导转变温度Tc~35K,均方根粗糙度为3.6nm,临界电流密度Jc(5K,0T)=3.8×106 A/cm2.该方法对MgB2薄膜的大规模工业生产提供了一个新思路.  相似文献   
849.
This paper concerns the oscillation of solutions of the second order nonlinear dynamic equation with p-Laplacian and damping
(r(t)φα(x(t))) +p(t)φα(x△σ(t))  +q(t)f(xσ(t)) =0(r(t)φα(x(t)))+p(t)φα(xσ(t))+q(t)f(xσ(t))=0
on a time scale ? which is unbounded above. Sign changes are allowed for the coefficient functions r, p and q. Several examples are given to illustrate the main results.  相似文献   
850.
推导p-级数∑∞n=11np在p=4,6,8情形下的和,并给出∑∞n=11(2n-1)2k(k∈瓔*)的递推计算公式,进而得出∑∞n=11n2k(k∈瓔*)的和.结果显示,∑∞n=11n2k的和与π2k成正比.  相似文献   
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