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81.
We find the existence conditions for stationary dipole and tripole surface solitons formed at the interface of a nonlocal nonlinear medium and a lattice with linearly modulated frequency. We investigate how the degree of nonlocality, the depth, and the modulation frequency of the optical lattice field affect on the existence of the surface solitons and their dynamics. The relationship between the power and the model parameters is identified. The stability of the surface dipole and tripole solitons is numerically investigated.  相似文献   
82.
Nanowires offer a unique approach for the bottom-up assembly of electronic and photonic devices with the potential of integrating photonics with existing technologies. The anisotropic geometry and mesoscopic length scales of nanowires also make them very interesting systems to study a variety of size-dependent phenomenon where finite-size effects become important. We will discuss the intriguing size-dependent properties of nanowire systems with diameters in the 5–300?nm range, where finite-size and interfacial phenomena become more important than quantum mechanical effects. The ability to synthesize and manipulate nanostructures by chemical methods allows tremendous versatility in creating new systems with well-controlled geometries, dimensions, and functionality, which can then be used for understanding novel processes in finite-sized systems and devices.  相似文献   
83.
84.
Among the three possible phase structures (bcc, fcc and hep) of iron rich Fe100-cMn c alloys (c Mn <40 at%), the two closed packed structures, fcc and hep, produce poor resolved and similar Mössbauer spectra. Therefore the evaluation of spectra collected on a sample (nominalc Mn =35 at%) with coexisting fcc and hep phases only was possible with the help of the Afans’ev/Tsymbal method of “Mössbauer lines sharpening” introduced recently/1,2,3/. A comparison of the hyperfine field vs. temperature with an FeNi-Invar alloy (c Ni =35 at%) shows a surprising similarity.  相似文献   
85.
86.
87.
Zn–Sn–O (ZTO) thin film transistors (TFTs) were fabricated with a Cu source/drain electrode. Although a reasonably high mobility (μFE) of 13.2 cm2/Vs was obtained for the ZTO TFTs, the subthreshold gate swing (SS) and threshold voltage (Vth) of 1.1 V/decade and 9.1 V, respectively, were inferior. However, ZTO TFTs with Ta film inserted as a diffusion barrier, exhibited improved SS and Vth values of 0.48 V/decade and 3.0 V, respectively as well as a high μFE value of 18.7 cm2/Vs. The improvement in the Ta‐inserted device was attributed to the suppression of Cu lateral diffusion into the ZTO channel region. (© 2013 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)  相似文献   
88.
In this paper, we show a mathematical construction of Beck–Cohen superstatistics in the Bayesian point of view with the help of the two representations of a gamma function. Furthermore, it is shown how some results for superstatistics are related to each other.  相似文献   
89.
90.
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