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841.
Uchiyama T Miyoki S Telada S Yamamoto K Ohashi M Agatsuma K Arai K Fujimoto MK Haruyama T Kawamura S Miyakawa O Ohishi N Saito T Shintomi T Suzuki T Takahashi R Tatsumi D 《Physical review letters》2012,108(14):141101
The thermal fluctuation of mirror surfaces is the fundamental limitation for interferometric gravitational wave (GW) detectors. Here, we experimentally demonstrate for the first time a reduction in a mirror's thermal fluctuation in a GW detector with sapphire mirrors from the Cryogenic Laser Interferometer Observatory at 17 and 18 K. The detector sensitivity, which was limited by the mirror's thermal fluctuation at room temperature, was improved in the frequency range of 90 to 240 Hz by cooling the mirrors. The improved sensitivity reached a maximum of 2.2×10(-19) m/√Hz at 165 Hz. 相似文献
842.
We propose and demonstrate a novel and simple dual-parameter measurement scheme based on a cascaded optical fiber device of long-period grating (LPG) and photonic crystal fiber (PCF) modal interferometer. The temperature and refractive index (RI) can be measured simultaneously by monitoring the spectral characteristics of the device. The implemented sensor shows distinctive spectral sensitivities of -30.82 nm/RIU (refractive index unit) and 47.4 pm/°C by the LPG, and 171.96 nm/RIU and 10.4 pm/°C by the PCF modal interferometer. The simultaneous measurement of the temperature and external RI is experimentally demonstrated by the sensor. The temperature shift and RI shift calculated by the sensor matrix agree well with the actual temperature and RI change in the experiment. 相似文献
843.
利用蒙特卡罗方法分别研究了3种能量X光机的光子穿透不同厚度铝的硬化情况及3种能量光机作为光源测量面密度的过程,并开展了相关实验研究,根据模拟结果对比分析了不同能量光机X射线硬化对面密度测量灵敏度的影响,结果表明:对同种能量光机的光子而言,随着面密度变大,射线硬化程度越严重,导致测量灵敏度下降;光子能量越低,测量灵敏度随面密度变大下降越快,反之亦然;对于某一范围面密度被测物,调整X光机电压使X光子刚好穿透并形成有效图像,可获得最理想的测量灵敏度。 相似文献
844.
利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO2衬底上成功生长了非极性的a面(1120) ZnO薄膜. 衬底温度为350℃时,薄膜是混合取向(a向和c向),以c面ZnO为主,且晶粒尺寸分布很宽;提高温度达500℃,薄膜变为单一的(1120)取向,摇摆曲线半高宽0.65°,晶粒尺寸分布趋窄,利用偏振透射谱可以明显看出其面内的各向异性. 衬底温度650℃下制备的样品晶粒继续长大,虽然摇摆曲线半高宽变大,但光致发光谱(PL)带边发射峰半高宽仅为105meV,比在350℃,500℃下制备的样品小1/5.
关键词:
非极性ZnO
2')" href="#">γ-LiAlO2
PLD
透射谱 相似文献
845.
846.
Hydrogen Passivation Effect on Enhanced Luminescence from Nanocrystalline Si/SiO2 Multilayers 下载免费PDF全文
Nanocrystalline Si/SiO2 multilayers are prepared by thermally annealing amorphous Si/SiO2 stacked structures. The photoluminescence intensity is obviously enhanced after hydrogen passivation at various temperatures. It is suggested that the hydrogen trapping and detrapping processes at different temperatures strongly influence the passivation effect. Direct experimental evidence is given by electron spin resonance spectra that hydrogen effectively reduces the nonradiative defect states existing in the Si nanocrystas/SiO2 system which enhances the radiative recombination probability. The luminescence characteristic shows its stability after hydrogen passivation even after aging eight months. 相似文献
847.
Modelling of spall damage in ductile materials and its application to the simulation of the plate impact on copper 下载免费PDF全文
A statistical model of dynamic spall damage due to void nucleation and growth is proposed for ductile materials under intense loading, which takes into account inertia, the elastic-plastic effect, and initial void size. To some extent, void interaction could be accounted for in this approach. Based on this model, the simulation of spall experiments for copper is performed by using the Lagrangian finite element method. The simulation results are in good agreement with experimental data for the free surface velocity profile, stress record behind copper target, final porosity, and void concentrations across the target. The influence of elastic-plastic effect upon the damage evolution is explored. The correlation between the damage evolution and the history of the stress near the spall plane is also analyzed. 相似文献
848.
利用微波电子回旋共振等离子体增强非平衡磁控溅射法在不同N2流量下制备无氢SiNx薄膜.通过X光电子能谱、纳米硬度仪等表征技术,研究了不同N2流量下制备的SiNx薄膜的化学键结构、化学键含量、元素配比及各元素沿深度分布.研究结果表明,N2流量是影响SiNx薄膜化学键结构、元素配比、元素延深度分布等性质的主要因素.在N2流量为1 sccm的条件下制备的SiNx薄膜呈富Si态;在N2流量为2 sccm的条件下制备的SiNx薄膜中Si-N键含量最高,可达到94.8%,化学吸附主要发生在薄膜表面,同时薄膜具有较好的机械性能,硬度值可达到22.9 GPa;在N2流量为20 sccm条件下制备的SiNx薄膜,薄膜表面含有46.8%的N-Si-O键及18.6%的Si-O键结构,薄膜内部含有36.8%的N-Si-O键及12.5%的Si-O键结构,表明薄膜结构疏松,在空气中易被氧化,化学吸附在薄膜表面及内部同时发生,因此薄膜具有较差的机械性能,硬度值仅为12 GPa. 相似文献
849.
提出用AlGaAs材料为n型下DBR,AlGaInP材料为p型上DBR,GaInP/AlGaInP多量子阱为有源区来制备650nm波长的共振腔发光二极管(RCLED).用传输矩阵法对器件的结构进行了理论设计,并制备了RCLED和普通LED两种结构.测试结果表明,RCLED有更高的发光效率,是普通LED的近1.3倍,当注入电流从3mA增加到30mA时,RCLED的峰值波长只变化了1nm,而普通LED的波长则变化了7nm,且RCLED的光谱半宽窄,远场发散角小.
关键词:
发光二极管
共振腔
金属有机物化学气相淀积 相似文献
850.