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61.
谭叶  俞宇颖  戴诚达*  于继东  王青松  谭华 《物理学报》2013,62(3):36401-036401
在火炮上利用金属铋(Bi)直接撞击单晶LiF窗口, 开展了金属Bi反向碰撞的冲击加载-卸载实验研究, 实验采用激光位移干涉测试系统, 获得了金属Bi在11—16 GPa压力范围内完整的卸载粒子速度剖面. 实验结果结合特征线方法计算表明, 金属Bi经冲击加载进入体心立方相, 并在11—16 GPa冲击压力作用下发生了卸载熔化, 界面粒子速度剖面的卸载拐点, 对应着金属Bi经冲击加载后发生的卸载熔化, 而这一结论同Cox的理论计算及一维流体力学程序计算结果基本一致. 本文报道的金属Bi卸载波剖面解读技术, 对于认识冲击加载下其他相似材料相变具有实用价值.  相似文献   
62.
63.
64.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道 关键词: 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟  相似文献   
65.
Tang  L.C.  Chang  C.C.  Chen  T.C.  Yau  H.F.  Ye  P.X. 《Optical and Quantum Electronics》2002,34(12):1241-1249
We propose a novel geometry for a self-pumped phase conjugator that uses a +c-face incident configuration in a photorefractive pentagon-shaped 0°-cut BaTiO3 crystal for obtaining fast response in phase conjugation. A steady phase-conjugate output with a fast response time 0.4 s is obtained when the incident beam has a 4 W/cm2 intensity. The influences of position and angle on the temporal phase-conjugate response are also investigated. The advantage of this phase conjugator using this novel configuration is improved resolution of a phase-distorted image with a value as high as 128 lp/mm.  相似文献   
66.
The procedure of microphase adsorption–spectral correction is applied to the interaction of eosine Y (EO) to the micelles of cetyl trimethyl ammonium bromide (CTAB). The Langmuir aggregation of EO on CTAB occurs owing to microelectrostatic attraction. The results have shown that at pH 3.8, monomeric and micellar aggregates have the structure EO5·CTAB2 and (EO5·CTAB2)39. The adsorption constant of an aggregate is 7.01·105, its molar absorption coefficient is = 8.8·104 liters·mole–1·cm–1 at 550 nm. Application of the aggregation of EO on CTAB gives satisfactory results for quantitative determination of cation surfaceactive agents (surfactants).  相似文献   
67.
半个世纪以来,对半导体技术的深入研究和广泛应用推动了电子工业和信息产业的迅速发展。目前半导体技术正向高速度、高集成化方向发展,但这也不可避免地引发了一系列问题,例如电路中能量损耗过大导致集成片发热,如何进一步将电子器件小型化等。人们由此感到半导体器件的能力已基本达到了极限,转而把目光由电子投向了光子,因为光子有着电子所不具备的优势:速度快,彼此间不存在相互作用,一旦实现用光子替代电子传递信息,  相似文献   
68.
对强流脉冲离子束(IPIB)辐照Ti靶的烧蚀效应进行了二维数值研究.得到了表面烧蚀物质随脉冲时间的变化关系.得出TEMP Ⅱ 型加速器产生的脉冲束流辐照靶材时引起的汽、液化均是从表面开始、并且汽化过程中表面物质被层层烧蚀的结论.同时,得到中心区的平均烧蚀速度为10m/s 数量级,它远小于产生的烧蚀等离子体的喷发速度.得到脉冲期间靶材内部不同位置烧蚀斑痕形状的时间演化过程,以及束流中含有的离子种类分额不同时IPIB辐照过程产生的不同效果. 关键词: 强流脉冲离子束 靶 烧蚀过程 二维数值模拟  相似文献   
69.
The performance of a PSK optical phase locked-loop (PLL) homodyne system based on an eight-port 90° optical hybrid, which is used to suppress the local oscillator (LO) intensity noise in both data recovery arm (I arm) and carrier recovery arm (Q arm), is evaluated. Incomplete cancellation of LO intensity noise results from unmatched photodetectors, couplers pathlengths, and non-ideal couplers power splitting ratio. Optimum LO power can be found for the given receiver parameters.  相似文献   
70.
本文报道用真空热蒸发法淀积的非晶态硒化镉薄膜作光敏介质制备超快光电导探测器。用对撞脉冲锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲序列对探测器的响应时间进行检测,结果表明a-CdSe薄膜对皮秒(10-12秒)级的超短光脉冲作用具有良好的瞬态响应光电特性,探讨a-CdSe薄膜快速弛豫过程的内在机理。  相似文献   
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