晶格畸变检测仪研究碳化硅晶片中位错缺陷分布

利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布.与LEXT OLS40003D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶片上位错腐蚀坑信息完全呈现出来,且根据腐蚀坑呈现的颜色及尺寸大小,可以分辨出...     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…     

6H-SiC衬底片的表面处理

相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜.     

关于分布函数极大值位置的讨论

将关于某个变量的连续分布函数进行变数变换,除非新老变数为线性关系,否则变换前后的分布函数的极大值之间的关系一般会不同于新老变数之间的关系。     

增生性疤痕组织与正常上皮组织FTIR光谱研究

通过对40例疤痕组织和正常皮肤组织的ETIR光谱比较分析发现,由于个体差异,其光谱均可分为三种不同类型。此外,疤痕组织中的胶原、蛋白质、核酸和脂类等生物大分子的吸收峰强度均在不同程度上高于正常皮肤组织,但两者的A_(1083)/A_(1548)并无明显差异。提示疤痕组织中的细胞仍属正常生长,治疗中不应损伤。     

β-榄香烯振动光谱的量子化学从头计算

利用G98及GAMESS从头计算程序的RHF／6－31方法,对β－榄香烯的全部振动基频作了计算,并与实测红外光谱做了对比,归属了它们的振动模式,讨论了它们的特征基频,并对理论计算的振动频率进行了标度校正。     

From cluster assembly to ultrathin nanocrystals and complex nanostructures

Ultrathin nanostructures have attracted much attention in recent years due to their predictable novel properties and various potential applications. The improvement in synthetic skills has led to many successful syntheses of nanostructures including zerodimensional (0D) nanoclusters, one-dimensional (1D) nanowires, two-dimensional (2D) nanosheets and other higher-level complex nanostructures, where cluster-assembly of primary nanocrystals is a common process. In this review, progress in ultrathin nanocrystals in the last decade and several important factors in the growth mechanisms are covered. By giving examples of cluster assembly from 1D to 3D nanostructures, the utility of cluster assembly in the synthesis of new materials has been demonstrated.     

Nd2(Fe,Si)17合金的结构与磁性

本文对Nd-Fe-Si三元系富铁区域相的结构和磁性进行了研究。结果表明,Nd-Fe-Si三元系富铁区域(Fe>40at％),除出现NdFe₂Si₂三元金属间化合物外(Si>20at％),同时只出现Nd₂(Fe,Si)₁₇赝二元金属间化合物,其中Si取代9d位的Fe原子,而不能形成类似于Nd₂Fe₁₄B的三元金属间化合物,Si取代Nd₂Fe₁₇中的9d位Fe原子后,使晶胞体积缩小;使饱和磁化强度减小;同时使Fe次晶格的铁磁相互作用增强,导致居里温度增高;还使得Fe次晶格的易面各向异性减弱,造成室温下各向异性场减小。 关键词：     

一种推广伊辛自旋模型的实空间重正化群理论

本文提出了一种推广的伊辛自旋模型。它包括了伊辛自旋模型、Schofield和Bowers提出的混合自旋模型以及一种特殊的格点稀释伊辛自旋模型作为特例。运用实空间重正化群得到了这个推广模型的相变流图和三个非平庸不动点(一个伊辛不动点,一个三相不动点和一个一级相变不动点)。结果表明:混合自旋模型和伊辛模型属于同一普适类。证实了Schofield和Bowers通过直接对混合自旋模型临界指数的计算所做的结论。 关键词：     

利用光热偏转技术实施光学薄膜弱吸收的多波长测量

介绍了光热表面形变光束偏转技术用于测量光学薄膜弱吸收的基本原理,简述多波长吸收测量装置的建立和测试过程,最后给出简单的测量实例.