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71.
The apparent Schottky barrier height (SBH) of the nickel silicide Schottky contacts annealed at different temperatures was investigated based on temperature dependence of I-V characteristic. Thermionic emission-diffusion (TED) theory, single Gaussian and double Gaussian models were employed to fit I-V experimental data. It is found the single Gaussian and double Gaussian SB distribution model can give a very good fit to the I-V characteristic of apparent SBH for different annealing temperatures. Also, the apparent SBH and the leakage current increase with annealing temperatures under reverse voltage. In addition, the homogeneity of interfaces for the samples annealed at temperatures of 500 and 600 °C is much better than that of the samples annealed at temperatures of 400, 700, and 800 °C. This may result from the phase transformation of nickel silicide due to the different annealing temperatures and from the low Schottky barrier (SB) patches. 相似文献
73.
74.
本文给出了超球上加权Bergman空间上Hankel算子属于Schattenp-类(2≤p<+∞)的一个充要条件,推广了文[10]中的主要结果。 相似文献
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80.
A method is proposed to calculate molar conductivity based on mode coupling theory in which the ion transference number is introduced into the theory. The molar conductivities of LiPF6, LiClO4, LiBF4, LiAsF6 in PC (propylene carbonate) are calculated based on this method. The results fit well to the literature data. This presents a potential way to calculate the conductivities of Li-ion battery electrolytes. 相似文献