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891.
 We study a full hydrodynamic semiconductor model in multi-space dimension. The global existence of smooth solutions is established and the exponential stability of the solutions as is investigated. Received November 14, 2000; in revised form March 25, 2002 Published online August 5, 2002  相似文献   
892.
IntroductionThe interest in polyoxometalates that are widelyused in medical chemistry, catalyst reactions, and ma-terial sciences stems from their complicated aggregatesformed by means of corner-, edge- and face-sha-ring[1—4]. The exploitation of new str…  相似文献   
893.
FANG  Yu YIN  Yi-Qing 等 《中国化学》2002,20(4):317-321
The aggregation of dansyl chloride (DNS-Cl) in acetone has been studied in detail by steady-state fluorescence techniques.It has been demonstrated that DNS-Cl is stable in acetone during purification and aggregation study processes.The aggregates are not solvolyzed in acetone,and do not take part n any chemical reactions either.It has been found that DNS-Cl tends to aggregate even when its concentration is much lower than its solubility in acetone.The aggregation is reversible,and both the aggregation and the deaggregation are very slow processes.Introduction of SDS has a positive effect upon the formation and stabilization of the aggregates.  相似文献   
894.
本文对二种新合成的2,3-二羟基萘二钼和四钼多酸有机衍生物[n-Bu)4N]2[Mo2O5(OC10H6O)2](Ⅰ)和[n-Bu)4N]2[Mo4O10(OC10H6O)2(OCH3)2](Ⅱ)进行了红外光谱与核磁共振波谱研究,发现[Mo2O5]^2 中钼氧多桥键的红外振动频率较[Mo4O10(OCH3)2]^2 中钼氧多桥键的红外振动频率红移,而在配合物Ⅱ中2,3-二羟基中芳环的^1H化学位移较配合物Ⅰ中向低场移动。同时还发现含二钼配位中心[Mo2O5]^2 的[Mo2O5(OC10H6O)2]^2-与含四钼配位中心[Mo4O10(OCH3)2]^2 的[Mo4O10(OC10H6O)2(OCH3)2]^2-生成条件的差异仅仅只在反应体系的pH值的微小变化,说明钼多酸有机衍生物阴离子是对体系酸碱度极为敏感的物质。  相似文献   
895.
双面金属包覆介质波导模序数的判别方法   总被引:3,自引:0,他引:3  
在双面金属包覆介质波导中 ,随着介质层厚度的变化 ,会出现TM0 模与TM1 模的分离和简并两种状态 ,从而影响衰减全反射 (ATR)谱中模序数的确认。通过对金属波导的理论分析和实验研究 ,提出了三种模序数确认方法 :本征角计算法、吸收峰全峰半宽比较法和吸收峰峰间距比较法 ,实现了两种状态下对模序数的准确判断  相似文献   
896.
V02-based thin film materials on silicon substrates are fabricated by ion beam sputtering and a post-annealing which is different from the conventional fabricating method. An infrared linear microbolometer array with 128 pixels is prepared using as-deposited vanadium dioxide thin films. Optical and electrical properties for V02-based microbolometer array are tested.  相似文献   
897.
无界区域抛物方程自然边界元方法   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
本文应用自然边界元方法求解无界区域抛物型初边值问题。首先将控制方程对时间进行离散化,得到关于时间步长离散化的椭圆型问题。通过Fourier展开,导出相应问题的自然积分方程和Poisson积分公式。研究了自然积分算子的性质,并讨论了自然积分方程的数值解法,最后给出数值例子。从而解决了抛物型问题的自然边界归化和自然边界元方法。  相似文献   
898.
Holography is a promising technique for power combining applications in the frequency range of short millimeter and submillimeter waves. In this paper, quasi-optical holographic power combining circuits are investigated. An equivalent network is utilized which rigorously models horn arrays and biperiodic dielectric structures in order to design computer-generated holograms. We apply the network model to a 5-element quasi-optical power combiner and demonstrate its capability. The hologram is designed for 150 GHz and has an efficiency of 92.5 % with a 90 % bandwidth of 5.3 %. With the aid of a broadband waveguide power divider and a vector field measurement system, the circuit is analyzed.  相似文献   
899.
A set of a-SiOx:H (0.52 <x< 1.58) films are fabricated by plasma-enhanced-chemical-vapor-deposition (PECVD) method at the substrate temperature of 250°C. The microstructure and local bonding configurations of the films are investigated in detail using micro-Raman scattering, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). It is found that the films are structural inhomogeneous, with five phases of Si, Si2O:H, SiO:H, Si2O3:H and SiO2 that coexist. The phase of Si is composed of nonhydrogenated amorphous silicon (a-Si) clusters that are spatially isolated. The average size of the clusters decreases with the increasing oxygen concentration x in the films. The results indicate that the structure of the present films can be described by a multi-shell model, which suggests that a-Si cluster is surrounded in turn by the subshells of Si2O:H, SiO:H, Si2O3:H, and SiO2.  相似文献   
900.
1 IntroductionForsolvingstiffinitialvalueproblemsforsystemsofODEsy′=f(y) ,y(t0 ) =y0 ,t0 <t≤T ,y0 ,y∈Rm,f :Ω Rm →Rm (1 .1 )manyparticularone blockmethodsoftheformYn+1= AYn+h( B0 F(Yn) + B1F(Yn+1) ) , A =A Im, Bi=Bi Im,A ,Bi∈Rr×r,Yn =(YTnr,… ,yT(n+1)r- 1) T,F(Yn) =(fT(ynr) ,… ,fT(y(n+1)r- 1) ) T,yj≈ y(tj) ,…  相似文献   
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