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981.
利用不同能量的质子在大气环境中辐照拟南芥的含水种子,能量从1.1MeV到6.5MeV.根据模拟计算结果,相应能量的离子对种子的损伤区域分别为胚的浅层、胚的一半和整个胚.本实验中,具有较高能量的质子可以完全均匀地作用于拟南芥生长、发育及遗传密切相关的胚茎端分生组织,而能量较低的质子则不能直接作用于茎端分生组织.实验所用质子注量范围为4×109ions/cm2—1×1014ions/cm2.实验结果显示,虽然拟南芥种子的发芽率和幼苗存活率随离子注量增加都呈现下降的趋势,但对应于不同的胚损伤区域,即在不同的入射质子能量条件下,注量曲线具有各自的特征.实验结果显示,拟南芥种子中除了胚茎端分生组织作为对离子辐照敏感的辐射主靶外,茎端分生组织之外的胚区域可能作为离子辐射次靶,影响到最终的辐射生物学效应.
关键词:
离子辐照
拟南芥
胚区域
生物效应 相似文献
982.
983.
研究了一种新型的覆膜钡钨阴极——双层膜(Os-W/Re膜)钡钨阴极.对这种新型阴极的发射性能进行了测试,重点对其老炼前后表面薄膜的微观形貌进行了分析,表明中间层Re膜的加入使覆膜钡钨阴极的性能得到了改善.通过对Os-W双元合金膜钡钨阴极和Os-W/Re双层膜钡钨阴极发射特性的比较,发现Os-W/Re双层膜阴极的直流发射性能好于Os-W合金膜阴极.对两种阴极激活后发射表面的X射线光电子能谱分析表明,Os-W/Re双层膜阴极激活后表面形成的三元合金膜是其发射特性优于Os-W合金膜阴极的主要原因.应用扫描电子显微镜分析比较两种阴极激活老炼后的表面状态,结果表明:Os-W合金膜阴极在老炼一段时间后,其表面薄膜出现开裂,这会导致阴极发射均匀性下降;而Os-W/Re双层膜阴极在同样老炼条件下,发射表面薄膜均匀并保持完整,从而确保覆膜钡钨阴极发射均匀性和工作可靠性.
关键词:
双层膜钡钨阴极
Os-W/Re膜
Os-W膜
薄膜开裂 相似文献
984.
本文介绍非线性方程转化直线性方程和多元线性回归法来分析近代物理实验中塞曼效应分裂干涉圆环多处选点测量的处理过程。 相似文献
985.
不同方法制备的CO2-3替换磷灰石固溶体晶体化学的FTIR研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用不同方法制备了CO2-3替换的磷灰石固溶体,利用FTIR结合XRD对其进行了晶体化学研究,结果表明均相沉淀法制备的碳羟磷灰石(CHAP)属B型替换且替换方式是[CO3·OH]四面体替换[PO4]四面体;固相离子交换法制备的CHAP属A型替换且替换方式是[CO3]三角形配位体替换通道位置的OH-;固相反应法制备的碳氟磷灰石(CFAP)属B型替换,其替换方式是[CO3·F]四面体替换[PO4]四面体;sol-gel法制备的CHAP属AB混合型替换,其Ψ3分裂为Ψ3-1,Ψ3F,Ψ3-4.高斯函数法拟合表明Ψ3F峰是A型替换的Ψ3-2与B型替换的Ψ3-3的叠合.当WCO2-3<3.34%时,随CO2-3含量增加,A型替换量增大,且当WCO2-3=3.34%时达最大值,当3.34%<WCO2-3<7.52%时,随CO2-3含量增加,B型替换量增大,且当WCO2-3= 7.52%时亦到饱和. 相似文献
986.
987.
本文基文献 [1]的思路 ,详细论述了利用遗传算法解决有风险控制的最优资产组合问题的具体实现过程 .并论证了用浮点数的方法表示的最优保存遗传算法的全局收敛性 相似文献
988.
Global Existence and Exponential Stability of Smooth Solutions to a Full Hydrodynamic Model to Semiconductors 总被引:1,自引:0,他引:1
We study a full hydrodynamic semiconductor model in multi-space dimension. The global existence of smooth solutions is established
and the exponential stability of the solutions as is investigated.
Received November 14, 2000; in revised form March 25, 2002 Published online August 5, 2002 相似文献
989.
本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。 相似文献
990.